NAND FLASH ECC校验原理与实现

由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。
为了检测数据的可靠性，在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。
    如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出错。
    对数据的校验常用的有奇偶校验、CRC校验等，而在NAND Flash处理中，一般使用一种比较专用的校验——ECC。按照ECC的校验能力可以分为：1bit ECC/512Byte、4bit ECC/512Byte、8bit ECC/512Byte。
 
    NAND闪存的每一个页面上都包括额外的存储空间，它就是64个字节的空闲区(每512字节的扇区有16字节)。该区能存储ECC代码及其它像磨损评级或逻辑到物理块映射之类的信息。ECC能在硬件或软件中执行，
    但是，硬件执行有明显的性能优势。在编程操作期间，ECC单元根据扇区中存储的数据来计算误码校正代码。数据区的ECC代码然后被分别写入到各自的空闲区。
    当数据被读出时，ECC代码也被读出；运用反操作可以核查读出的数据是否正确。

能校正的错误的数量取决于所用算法的校正强度。在硬件或软件中包含ECC，就提供了强大的系统级解决方案。最简单的硬件实现方案是采用简单的汉明(Simple Hamming)码，但是，只能校正单一位错误。
瑞德索罗门(Reed-Solomon)码提供更为强大的纠错，并被目前的控制器广为采用。此外，BCH码由于比瑞德索罗门方法的效率高，应用也日益普及。
 
    目前大多数MCU厂家为了降低客户的开发周期，在MCU内部集成了NAND FLASH控制器，也就可以实现硬件ECC的功能。
    在硬件ECC的使用中，用户只需要配置相应的寄存器就可以实现数据的校验，但坏块管理还需用户自己做坏块管理表。
    然而，在有些功能简单或通用性的MCU就没有集成NAND FLASH控制器，用户在使用NAND FLASH为了包装数据的可靠性就只能使用软件ECC，当然坏块管理表也就得用户自己做了。
 
硬件ECC举例
    硬件型号：三星S3C2416 + 旺宏MX30LF1G18AC   4bit ECC/512Byte；
    说明：S3C2416集成NAND FLASH控制器，可以支持1bit、4bit、8bit ECC/512Byte；
          MX30LF1G18AC是4bit ECC/512Byte；
   
   
软件ECC举例：
     ECC方式：汉明(Simple Hamming)码；
     ECC位数：1bit ECC/512Btye；
    
ECC原理及方式：
     ECC一般每256字节原始数据生成3字节ECC校验数据，这三字节共24比特分成两部分：6比特的列校验和16比特的行校验，多余的两个比特置1，如下图所示：
                      
     ECC的列校验和生成规则如下图所示：
                      
用数学表达式表示为：
P4=D7(+)D6(+)D5(+)D4 P4`=D3(+)D2(+)D1(+)D0P2=D7(+)D6(+)D3(+)D2 P2`=D5(+)D4(+)D1(+)D0P1=D7(+)D5(+)D3(+)D1 P1`=D6(+)D4(+)D2(+)D0这里(+)表示“位异或”操作
ECC的行校验和生成规则如下图所示：
用数学表达式表示为：
P8 = bit7(+)bit6(+)bit5(+)bit4(+)bit3(+)bit2(+)bit1(+)bit0(+)P8……………………………………………………………………………………这里(+)同样表示“位异或”操作
 
    当往NAND Flash的page中写入数据的时候，每256字节我们生成一个ECC校验和，称之为原ECC校验和，保存到PAGE的OOB（out-of-band）数据区中。
    当从NAND Flash中读取数据的时候，每256字节我们生成一个ECC校验和，称之为新ECC校验和。
    校验的时候，根据上述ECC生成原理不难推断：将从OOB区中读出的原ECC校验和新ECC校验和按位异或，若结果为0，则表示不存在错（或是出现了ECC无法检测的错误）；
    若3个字节异或结果中存在11个比特位为1，表示存在一个比特错误，且可纠正；
    若3个字节异或结果中只存在1个比特位为1，表示OOB区出错；其他情况均表示出现了无法纠正的错误。
 
 
总结：
    具体用户使用硬件ECC还是软件ECC，主要是看用户使用的MCU是否带NAND Flash控制器和用户是否对数据ECC这个要求。无论硬件或软件ECC，坏块管理的工作都是要用户自己处理的。
    对于4bit和8bit ECC，主要采用R-S码或BCH码。
    
    
    nand的纠错能力，目前有1位、4位和8位，也就是说在512字节中如果是4位的ecc那就可以纠正最多4个bit的错误，一般就是翻转的错误！
    
    oob？

      冗余区域，一般存放的是ecc纠错码，一般4位的ecc的纠错后需要的字节数为：4 bit ecc, per 512 bytes can creat 13 * 4 = 52 bit , 52 / 8 = 7 bytes ，就是需要7个字节的空间

      而我们目前的nandflash的页大小一般为2kb，也就是2kb/512bytes==4，也就是说至少需要4×7=28个ecc纠错的字节存放的地方

     oob分区一般已经由硬件厂商固定了，每512字节的oob大小为16字节，那么2kb的页就是64字节

     oob分区：

struct nand_ecclayout _nand_oob_64 = {

 .eccbytes = 24,   //ecc纠错需要的空间

 .eccpos = {       //具体存放的位置

     40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47,

     48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55,

     56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63},

 .oobfree = {

  {

        .offset = 2,      //偏移2位，这2位主要用来存放坏块标志，0xff

        .length = 38}} //多余的部分，可以用来存放系统文件的标志，如yaffs！

};

文件系统
常见的有JFFS2、YAFFS、TrueFFS文件系统都提供了坏块管理、负载均衡，ecc纠错检错等功能。
有UBIFS，UBIFS建立在UBI层上，UBI层建立在MTD上，而上述的两个文件系统是直接建立在MTD上的。
UBI要的工作就是实现更好的负载均衡和坏块管理，减轻文件系统的工作。