【MOS管】MOS管驱动设计

硬件工程师星

已于 2025-04-09 20:13:34 修改

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分类专栏： # 元器件文章标签：嵌入式硬件

于 2025-04-09 20:11:24 首次发布

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功率MOS管驱动设计

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流，其导通状态由G极和S极之间的电压差决定，然而，在MOSFET的GS两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单
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导通条件
MOS管是压控型器件，其导通状态由G极和S极之间的电压差决定。
对于NMOS管，当Vg-Vs（即G极和S极的电压差）大于一定值Vgs(th)（开启电压）时，MOS管会开始导通。同样地，对于PMOS管，当Vs-Vg（即S极和G极的电压差）大于Vgs(th)时，MOS管也会导通。需要注意的是，这些电压差不能过大，否则可能会损坏MOS管。具体的开启电压和其他参数可以根据器件的规格书（SPEC）来确定。
如果不考虑纹波和EMI的要求话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。
对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。
与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。
由此我们可以知道，如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低，就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。
大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后再驱动MOS的方法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。
比较好的方法是使用专用的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类芯片一般有很大的瞬间输出电流，而且还兼容TTL电平输入，MOSFET驱动芯片的内部结构如下：
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MOS驱动电路设计需要注意的地方：

因为驱动线路走线会有寄生电感，而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路。
如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话，在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡，导致MOS管急剧发热甚至爆炸，一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻，降低LC振荡电路的Q值，使震荡迅速衰减掉。
因为MOS管栅极高输入阻抗的特性，一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通，所以建议在MOS管[G S]之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。
如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿MOS管的话，可以在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管。TVS可以认为是一个反应速度很快的稳压管，其瞬间可以承受的功率高达几百至上千瓦，可以用来吸收瞬间的干扰脉冲。
MOS管死区时间：死区时间（Dead Time)是指在无刷电机驱动中，用于避免上下桥臂开启或关闭的重叠现象的一段时间间隔。这种重叠现象可能导致电机驱动器中的晶体管（例如功率开关）损坏，同时也会降低电机的效率。在无刷电机的三相桥臂驱动器中，每个桥臂通常包含两个功率开关，用于控制电机相的通断。当需要改变电流方向或切换到下一个相位时，需要保证前一个相位的功率开关完全关闭，后一个相位的功率开关完全打开。然而，由于开关器件的特性和电路传导延迟，存在一个短暂的时间间隔，称为死区时间。死区时间的引入是为了防止上下桥臂之间出现短路，以及减小功率开关由于交叉导通而带来的过渡电压和电流冲击。在设置死区时间时，需要考虑开关器件的反应时间、电源电压等因素，以确保足够的时间间隔来避免冲突和损坏。通常，死区时间是以微秒为单位进行设置，具体数值取决于实际应用和电路设计。在无刷电机控制系统中，合适的死区时间能够提高电机的控制精度、减少功率损耗和噪音，并保护驱动器和电机不受损坏。

MOS管驱动电路参考：
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MOS管驱动电路的布线设计：

MOS管驱动线路的环路面积要尽可能小，否则可能会引入外来的电磁干扰。应尽量缩短驱动电路与MOS管栅极之间的走线长度，增加走线宽度，以减少寄生电感和电阻对驱动效果的影响
同时，应将驱动电阻等关键元件放置在离MOS管栅极较近的位置。
驱动芯片的旁路电容要尽量靠近驱动芯片的VCC和GND引脚，否则走线的电感会很大程度上影响芯片的瞬间输出电流。
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常见的MOS管驱动波形：

如果出现了这样圆不溜秋的波形就等着核爆吧，有很大一部分时间管子都工作在线性区，损耗极其巨大。
一般这种情况是布线太长电感太大，栅极电阻都救不了你，只能重新画板子。

高频振铃严重的毁容方波。
在上升沿下降沿震荡严重，这种情况管子一般瞬间死掉，跟上一个情况差不多，进线性区，原因也类似，主要是布线的问题，又胖又圆的肥猪波。
上升下降沿极其缓慢，这是因为阻抗不匹配导致的，芯片驱动能力太差或者栅极电阻太大，果断换大电流的驱动芯片，栅极电阻往小调调就OK了。
打肿脸充正弦的生于方波他们家的三角波，驱动电路阻抗超大发了，此乃管子必杀波，解决方法同上。

大众脸型，人见人爱的方波。
高低电平分明，电平这时候可以叫电平了，因为它平，边沿陡峭，开关速度快，损耗很小，略有震荡，是可以接受的，管子进不了线性区，强迫症的话可以适当调大栅极电阻。

方方正正的帅哥波，无振铃无尖峰无线性损耗的三无产品，这就是最完美的波形了。

选型要求

一、功率需求

在选择 MOS 管时，首先要考虑应用场景的功率需求。根据所需的最大功率，确定 MOS 管的耐压和最大电流：最大漏极-源极电压（Vds），最大漏极电流（Id）。如果功率需求较高，需要选择大功率 MOS 管，反之则选择小功率 MOS 管。此外，对于不同功率等级的 MOS 管，其价格也会有所不同，因此在选型时需要根据实际需求和成本预算进行权衡。

二、开关速度

MOS 管的开关速度是影响电路性能的重要因素。根据应用场景需要的开关速度，选择 MOS 管的恢复时间、开启时间和关闭时间。对于高速电路，需要选择开关速度较快的 MOS 管，而对于低速电路，则可以选择开关速度较慢的 MOS 管。需要注意的是，开关速度越快，MOS 管的价格也会越高。

三、温度

应用场景的温度决定了需要选择的 MOS 管的最大工作温度。在高温环境下，需要选择耐高温的 MOS 管，否则可能会导致 MOS 管过热损坏。此外，对于不同温度等级的 MOS 管，其价格也会有所不同，需要在选型时根据实际需求和成本预算进行权衡。

四、负载类型

根据应用场景的负载类型选择合适的 MOS 管。例如，电阻性负载需要高电流的 MOS 管，而电容性负载需要高速的 MOS 管。对于不同类型的负载，MOS 管的特性也会有所不同，需要根据实际情况进行选择。

五、封装类型

MOS 管的封装类型有两种：插件式和贴片式。插件式封装常见类型有 -220、-251 等，贴片式封装常见类型有 -252、-263 等。选择封装类型时，需要考虑电路板的布局和空间要求。对于空间要求较高的电路板，可以选择贴片式封装的 MOS 管，反之则选择插件式封装的 MOS 管。
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六、沟道类型

MOS 管有 n 型和 p 型两种沟道类型。 在选择 MOS 管时，需要根据电路需求和实际应用场景选择合适的沟道类型。例如，在电路中需要控制正向电压的场合，可以选择 n 型 MOS 管，适用于低压侧开关，导通电压较低；而在需要控制反向电压的场合，则选择 p 型 MOS 管，适用于高压侧开关，适合驱动高电压负载。
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