lc160809的博客

转载 verilog产生锁存器的情形汇总

写这篇文章是因为本小白在刷题过程中看到答主的代码总是不把if-else写全，而我又记得不写全是可能产生latch的，对此很迷惑，仔细看过之后发现只有组合逻辑（电平触发）电路中的不完整if-else和case才会产生锁存器latch。图中case分支中只写了（se=0）的情况，而（se=1）的情况未给出，且没有写default，于是当（se=1）时，q1保持原来的值不变，这样就产生了锁存器（q1$latch)。写完整后，就没有生成锁存器，而是生成了一个二选一的选择器，这正是我们想要设计的。

原创 50.辐射抗扰RS和传导抗扰CS测试环境和干扰特征分析

辐射抗扰RS考察对外界电磁场干扰得抗扰能力，测试频段为80MHz~2000MHz，用1KHz得正弦波进行调幅，在电波暗室内进行。测试标准：IEC 61000-4-3。传导抗扰测试标准：IEC61000-4-6。

原创 49.EFT测试与静电测试环境和干扰特征分析

对于接触放电，先将静电枪对准被测设备，然后按动放电开关；对于空气放电，先持续按住放电开关，再靠近被测设备。EFT测试是模拟在大的感性设备断开瞬间产生的快速瞬变脉冲群对被测设备的影响。同等条件下，CDM和MM模型的能量要高得多。重复频率100KHz更接近真实干扰。

原创 48.辐射发射RE和传导发射CE测试方法分析

所有EMC测试项目都是基于模拟现实的。模拟现实中可能发生的各种真实场景，然后统计总结出各种场景下的真实应力，并通过制造测试仪里，模拟出相应激励来。各类要求标准的测试项目近似，只是因行业的不同，在指标限值要求上会略有差异。

原创 47.电压跌落与瞬时中断干扰的防护改善措施

（2）减缓负载启动的动态过程，使用MOS管缓开启（Vgs并阻容网络），降低超调电流σ。但是它会降低系统的动态响应速度。（3）敏感电路与大负载电路共用电源，大负载启动瞬间供电系统能力不足，导致电压塌陷跌落；（4）大功率负载支路串入电感，减小瞬态电流。（注意：电感一定不能串入到主路）（1）电源插头接触不良，瞬态中断即刻恢复；（5）保护控制板电压，免受电源波动的影响。（3）大功率负载供电并上大的储能电容。（2）电网不稳，瞬态抖动；（1）增大电源功率余量。

原创 46.浪涌与电压跌落短时中断测试环境和干扰特征分析

电压波1.2/50、电流波8/20组合波，电源端和室内信号端的实验；10/700电压波，室外信号端的浪涌实验。根据测试等级和输出阻抗，可以粗略算出浪涌电流的大小。例如用等级2做差模测试，浪涌电流大约为500A。模拟AC电网中接入大功率设备引起的电网电压下降甚至短时中断，考察设备在此工作状态的性能稳定性。包含电源端和信号端测试。交流测试标准：IEC 61000-4-11。直流测试标准：IEC 61000-4-29。测试标准：IEC 61000-4-5。

原创 45.传导发射整改摸底测试方法

对频点超标，找到同频点的传导后，顺藤摸瓜沿着走线路径一路（注意这里的路径包络金属走线传播路径，也包括与干扰源线缆离得近的分布电容耦合路径），追到源头，最后在这一路上施加措施。在传导超标导线的进出机箱接口处开始探查测试，记录存储频谱图，记录噪声频点的大概幅值（留作加措施后的效果验证对比之用）。对传导的包络超标，找进出机箱的导线是否经过了环路的附近，尤其是上下方。去正式实验室做一次预测试，取得频谱图，确定超标频点和超标量（备用）。重复步骤2的测试方法，顺藤摸瓜，找到传导路径。用示波器的FFT功能测量板上信号。

原创 44.辐射发射整改简易摸底测试方法

金属机壳的，一般是出自缝隙、孔洞、屏幕、进出机箱的导线等。找到同频点的辐射后，记录存储频谱图，记录噪声频点的大概幅值（留作加措施后的效果验证对比之用）。对包络超标，在导线、孔缝出，谈到同频段超标包络后，打开机箱，顺藤摸瓜沿着相同频段特征的走线路径追到源头，查找源头处的环路，最后在源头和这一路上施加措施。加措施后，重复步骤2，记录存储频谱图，记录噪声频点和包络的大概幅值。对频点超标，找到同频点的辐射后，打开机箱，顺藤摸瓜沿着走线路径一路追到源头，最后在这一路上施加措施。确定超标频点和超标量（备用）。

原创 43.防雷击浪涌设计

感应雷——雷云在高压线上方会吸引正电荷，当雷云放电消失后正电荷会快速释放。正电荷在泄放过程中会经过变电站、变电所之后进入家庭或者办公室，产生很高的过电压。（1）雷击浪涌以共模为主，但是由于电路、线路的不对称性，共模也会转变成差模。直击雷——带电荷的云对建筑物、避雷针等放电，或者带异种电荷的雷云撞击放电，其能量超级大；（4）GDT具有续流遮断特性，需要串MOV在外部浪涌撤销的时候去断流。（2）多级防护电路之间需要加延迟电路——共模电感或者差模电感；（3）第一级使用通流量大的器件，后级可以使用通流量小的器件；

原创 42. PCB防静电环设计

防静电环主要用于生产、运输、售后等环节人体会直接接触电路板的场景。防静电环只在顶层和底层设计即可。

原创 41.防静电的系列措施

（4）ESD会引起IC闩锁（LatchUp），CMOS内部类可控硅结构单元被激活，形成从VCC-GND的大电流，而且一直保持，轻症短路失效，重症烧毁。（3）ESD接触到IC引脚，Ip达几十安培，会烧伤IC融化硅片管芯、内部金属连接烧断、钝化层被破坏，晶体管单元烧坏；可以将GND接到一块浮空的金属上，增大自身电容性，或者用金属隔离ESD干扰。（1）通常情况下，TVS离被保护IC引脚远一点更好，利用走线电感降低残压。（1）放电电流tr≈1nS，ESD保护器件响应时间应小于1nS；

原创 40.电缆的处理

不同接地点之间总是有地电位差的，如多点接地，会因此在屏蔽层上形成电流，屏蔽反而引入干扰（例如变频器类设备）。（1）如果保证地点位差为0，双端地可以给外来干扰泄放提供低阻抗路径，甚至在金属机柜上屏蔽层可以多点接地；但是单端接地也有其缺点，外部注入到屏蔽层上的干扰可能泄放路径过远，此时又是双端接地为宜。（3）双层屏蔽线，内层单端接地（防静电感应），外层双端接地（防浪涌等强干扰）；（5）两层屏蔽应是相互绝缘隔离型屏蔽，如果没有彼此绝缘，视为单层屏蔽。（1）屏蔽层的效果主要由屏蔽层接地泄放产生，接地方式很重要！

原创 39.电气连接口与隔离舱设计

设计隔离舱，将滤波器前后级隔离开。部分DB25的连接器内部，各引脚会加到外壳的滤波电容。（2）经过滤波器前后的导线注意保持足够的隔离距离，减小分布电容；非永久性连接的接口插座，可以加装塑料帽进行防尘和防静电。（1）电源滤波器最好嵌在机壳上，把干扰隔离在外；

原创 38.机壳间接缝的处理

（2）使用屏蔽材料搭接缝隙，屏蔽效能较用紧固点连接更好，注意上下盖与屏蔽材料搭接要保证面连接良好导通。（1）用紧固点压紧连接，紧固点的间距小于波长的1/20,等效于一个高通滤波器；影响缝隙屏蔽效能（SE）的主要因素：缝隙深度和缝隙最大尺寸；既要防止金属涂层导入静电，也要保证搭接处的面连接。搭接处如果有绝缘漆，要除掉，保证搭接处导通良好。可以在接缝处喷导电漆或者加导电胶，保证良好导通。（1）非金属机壳的搭接。（2）金属机壳的搭接。

原创 37.孔洞的处理

（2）穿孔金属板（推荐）：简单便宜，SE稳定 ，SE<30dB@1GHz的场合。（1）覆盖金属丝网（不推荐）：用于要求不高、通风量大，同时有防尘要求的场合，不适合用于SE》10dB@1Hz的场合；（4）靠近机箱接缝的散热器、通风口及安装孔的金属部件上的边和拐角，做成圆弧型状，避免尖端放电；（3）金属帽（防止进入机箱内部）或者塑料防尘盖（绝缘阻止放电）罩住少用的连接器；（4）按键窗口是容易引起干扰的（尤其是ESD干扰）路径；（7）电缆远离边缘缝隙或拐角或尖角（易引入电干扰）。（1）ESD防护是设计重点；

原创 36.金属壳体材料的选择与工艺处理对EMC的影响

（2）电磁感应原理，壳体表面形成的涡流产生反向磁场，对源干扰磁场排斥来抵消进入屏蔽体的磁场。（1）用高磁导率铁磁材料（如铁、硅钢片、坡莫合金等)，对干扰磁场分路；（3）铁磁材料不能用于高频磁场屏蔽，高频时磁滞损耗和涡流损耗太大。屏蔽电磁场，选用高导电率材料（铝、钢、铁、铜等）（2）提高磁导率，增大屏蔽体壁厚，提升屏蔽效能；（1）采用导体材料，如铜、铝等；

原创 35.结构EMC注意的几个问题

对于电场干扰（du/dt），优先选用导电率高的材料（如铝）；对于磁场干扰（di/dt），优先选择导磁率高的材料（如钢、坡莫合金）。（2）任何封闭且连续的金属体，不论厚度，屏蔽效能SE不低于80dB；（2）金属机壳内壁做粗糙，或者贴上吸波材料，防止镜面反射增大干扰。（1）非金属材料的外壳视同“裸奔”，等同于没外壳；（1）增大导线与PCBA的平行距离，减小分布电容。（3）低于80dB的原因时缝隙孔洞。

原创 34.多点求均值的模拟信号抗干扰算法使用注意事项

（3）服从正态分布和均匀分布的干扰信号适合用多点求均值滤波抗干扰。通过产品电路噪声分析或者电流钳配合示波器FFT得出。（3)连续采样的多个点数至少要覆盖一个噪声周期。可以通过产品功能分析得出，干扰频段f。（1）多点求均值滤波属于低通滤波器。至少要大于5倍的有用信号频率f。（2）实际每次采样要采样n个点。（2）有用信号的频率f。

原创 33.降速提高EMC能力

降速之后，信号的波形更完整，容错空间更大；另外边沿变缓，对外干扰也会减小。

原创 32.MCU休眠模式降低被干扰的发生概率

原创 31.软件时序控制方式抗干扰

（1）将受软件控制的功能或软件检测到的状态一一罗列；（3）软件编程时，从时间时序上错开时间控制；（2）将其中的潜在干扰和敏感信号分开；

原创 30.沿触发控制与电平宽度触发控制的抗干扰能力对比分析

（2）发送端发送有用触发信号，接收端被负干扰脉冲干扰导致触发失败的概率增加。（1）控制信号的速率比较低；

原创 29.机箱布线与PCB布线的EMC审查规范

（1）所有进出机箱的导线，其内部相连的导线在机箱内、板卡上走线时，要远离敏感信号的走线或过孔，防止外面干扰通过进出线串扰机箱内的敏感信号；（1）所有进出机箱的导线，在机箱内和板卡上走线时，要远离内部干扰信号及过孔，防止内部干扰耦合到导线上传播到机箱外面去；（2）板~板间走线、PCBA上的敏感信号走线或过孔，与板卡上的干扰信号线或过孔，布线上要远离，防止自扰；（3）上述两条要求中，线~线难避开的时候，用信号地线（对线缆可用接PE、机壳的屏蔽层）将两者相互隔离。（3）输入、输出机箱的信号线、电源走线；

原创 28.环路干扰防护

共模信号环路内部的磁感应相互抵消，环路外部磁感应增强，容易形成对外的EMI辐射；差模信号环路外部的磁感应相互抵消，环路内部的磁感应增强，如果其它信号从环路区域经过，容易引入干扰。（2）降低系统工作频率，增大dt;（1）降低系统功耗，降低dB；超标的包络频段得到改善。（3）减小环路面积S。

原创 27.电源和地的单点串并联接线隐患及对EMC的影响分析

原创 26.电流信号的强抗干扰能力运用

工业上常采用4~20mA电流信号来传输模拟量，导线电阻串联在回路中不影响精度，在普通双绞线上可以传输数百米。下限没有取0mA的原因是为了能检测短线，正常工作时不会低于4mA，当传输线因故障断路，环路电流降为0，常取2mA作为断线报警阈值。现场干扰以电场干扰为主，电压较高但是能量（电流I）较低。如果以能量信号作为传输媒介，被干扰电流干扰到的可能性较小。因此，电流型信号的抗干扰能力较强。以恒流源驱动电流信号传输数字信号，线缆上电流信号收到干扰的影响变小。

原创 25.Reset信号的防范处理措施

（1）Reset信号线旁边绝不可以有du/dt、di/dt比较大的信号线缆或电源线缆，也不可以有与进出机箱的导线相通的走线；（2）复位信号对应的GND地线，与有较大瞬态电流的电路的GND，不可以有单点串联的接地结构。（1）Reset信号自身被干扰；（2）GND信号被干扰抬高；（3）VCC信号被干扰抬高；

原创 24.感性负载干扰的防护处理设计措施

（1）在电机两端并电容，减小du/dt，但是会降低电机的动态响应速度；（3）在布局布线上，将电机驱动电路和其它控制电路采用单点并连接地。（2）在需要保护的继电器两端加上阻容吸收电路；

原创 23.开关电源干扰控制的EMC改善措施

只能抑制Ts阶段。

原创 22.晶振的信号与布局布线处理

（3）晶振电路注意事项总结。（1）无源晶振电路原理图。（2）有源晶振电路原理图。

原创 21.气体放电管的特性与使用注意事项

（2）GDT放电时残压极低，近似于短路，因此不能单独在电源避雷器中使用，经常串MOV一起使用。（1）过压消失后，放电管要能及时熄灭。即电路正常工作的电压要低于TVS管导通需要维持的电压；氧化锌压敏电阻（MOV)和瞬态电压抑制器（TVS)属于此类。击穿后残压很低，利于浪涌电压迅速泄放，功耗也大大降低；击穿后电压维持在击穿电压上钳位，起到保护作用。气体放电管、气隙型浪涌保护器均属此类。（1）撬棒（Crow Bar)器件。漏电流小，极间电容也小；

原创 20.压敏电阻的特性与使用注意事项

（2）用于信号端 or 上电浪涌防护；（2）用于电源端 or 雷击浪涌防护。（1）TVS管反应快，通流量小；（1）压敏电阻反应慢，通流量大。

原创 19.TVS特性与使用注意事项

注意：TVS管的脉冲电流耐受值会随温度升高而下降。

原创 18.电源滤波器的量化选型方法

在选择电源滤波器时，先分析超标的频点是差模还是共模，根据经验一般0~1MHz内为差模，10MHz以上为共模，1MHz ~10MHz差模和共模都有。选择对应超标频点的插损（共模or差模）>= 超标值+20dB的余量。20dB的余量和滤波器测试的条件——源阻抗等于50欧姆、负载阻抗等于50欧姆有关。（1） 滤波器之前和之后的电路一定要充分隔离，否则噪声会通过两部分电路之间的分布电容直接耦合，影响滤波效果。（2）滤波器的外壳要接地充分，接地不好容易影响共模滤波性能。

原创 17.磁珠在EMC设计中的运用

DC-DC电源多工作在低频段，磁珠表现为电感特性，与后面的电容一起构成LC谐振，形成低通滤波器。在低通滤波器的谐振点处信号会产生增益，因此这个频段的纹波会被放大。可以通过增大电容将谐振频率点往低频移，从而改善纹波。不需要太在意磁珠在100MHz时的电阻值，选型时根据频率特性曲线，选择有用信号频率处阻抗尽量低、噪声频率处阻抗尽量高的磁珠。和磁环类似，低频段感性jwL为主，高频段阻性R为主。

原创 16.磁环在EMC设计中的选型与运用

（5）磁环绕线匝数越多，抑制低频效果越好，抑制高频作用较弱（主要受分布电容影响），而在实际使用中磁环匝数宜根据干扰电流频率参数来调整。（3）磁导率越低，同尺寸磁环上的同匝数线圈电感量越小，但是能应用的频率越高，以此来选择磁环是应用在高频还是低频；段，R(f)很低，L(f)为主，EMI被反射而抑制，磁芯损耗小，等效为低损耗、高品质因数Q电感；（4）磁环优选“外径大、内径小、长度长”，截面积大不容易饱和，可承受偏流大，抑制效果好；段，R(f)大，呈电阻抗特性，且随频率上升而上升；

原创 15.电感特性在EMC设计中的运用

如下图所示，没加电感退耦之前，后级低电压的MOV先动作；加了退耦之后，前级的MOV先动作。理想的共模电感只抑制共模信号，将共模信号以磁阻生热的形式耗散掉；对差模信号不产生影响。实际的共模电感由于两个电感绕组的不完全对称性，也常表现出小的差模电感特性。电感存在分布电容，在高频应用时不容忽视。

原创 14.电容的高频特性在EMC设计中的应用

注意退耦电容放置的位置以及走线注意的问题。

原创 13.电阻在EMC设计中的妙用

这三种防护方式都可以用，哪个器件在最前面，它承受的冲击就越强，可以根据具体需要选择。（1）接插件带电插拔的Vp电压容易损坏IC的管脚，可以使用电阻进行简单防护。（2）IO口信号调理。

原创 12.传导发射和辐射发射的频谱图读图方法

准峰值检波来自民标，从通信行业发展起来的，基于CISPR的标准，以人耳的听觉感官为评价标准，峰值和平均值均不足以反应对人听觉效果的影响，因此用准峰值。测试频段30MHz~1GHz，与传到测试不同，只针对准峰值。（2）用近场探头在机器外围探查，找到存在同频段包络的部位（一般是电线、机器开口等）；（1）幅度大、重复频率低的信号与幅度小、重复频率高的信号可能会有相同的准峰值输出；（3）打开机箱盖，沿着导线顺藤摸瓜，往电路板上溯源，找到包络最强的部位；（2）连续波信号，准峰值测量结果与峰值测量结果一样；