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ldinvicible
这个作者很懒,什么都没留下…
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不可不知的嵌入式工程师经验
转自:http://blog.21ic.com/user1/8338/archives/2012/95303.html不可不知的嵌入式工程师经验作者:彩阳 日期:2012-9-10 3:06:002推荐本文将从技术和就业经验等角度为即将进入嵌入式开发的工程师们,详细讲述了嵌入式的概念,嵌入式开发之间的异同以及应该如何做出选转载 2013-06-20 21:19:47 · 1002 阅读 · 0 评论 -
DC/DC和LDO的区别
转载自:http://blog.csdn.net/henhen2002/article/details/5808120LDO :LOW DROPOUT VOLTAGE低压差线性稳压器,故名思意,为线性的稳压器,仅能使用在降压应用中。也就是输出电压必需小于输入电压。优点:稳定性好,负载响应快。输出纹波小缺点:效率低,输入输出的电压差不能太大。负载不能太大,目前最大的LDO为5A(转载 2013-08-23 10:15:08 · 1210 阅读 · 0 评论 -
关于滤波电容、去耦电容、旁路电容作用
1.关于去耦电容蓄能作用的理解1) 去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰,干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上,芯片附近的电容还有蓄能的作用,这是第二位的。你可以把总电源看作密 云水库,我们大楼内的家家户户都需要供水,这时候,水不是直接来自于水库,那样距离太远了, 等水过来,我们已经渴的不行了。 实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。如果微观来看,高频器件在工转载 2013-08-23 10:27:26 · 863 阅读 · 0 评论 -
关于nor flash和nand flash启动过程区别
http://blog.csdn.net/txgc0/article/details/84523701、比较nor flash 和nand flash:Nor flash :intel推出,一般以64-128kb每块进行擦除,时间约为5s(这是一个很大的数)。带有EBI(三总线)接口,支持线性读取,支持片上程序执行(XIP);虽然擦写速度慢,但是读取速度很快(也许是因为转载 2013-12-02 11:54:05 · 925 阅读 · 0 评论 -
Nand Flash坏块处理
http://m.elecfans.com/article/560407.htmlNand Flash存储器是Flash存储器的一种,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。1989年,东芝公司发表了Nand Flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘...转载 2018-07-02 16:17:13 · 8046 阅读 · 0 评论