开关电源魔改数控记录、疑惑

来源于唐老师课程

同步整流和非同步区别

在于续流二极管，如果是二极管，那么是非同步降压

如果是mos管，那么是同步降压

优缺点

同步降压中的mos在续流二极管的功耗消耗要比二极管消耗低，以10A为例，见上图对比

二极管选择

只能用肖特基或者快恢复，不能使用普通整流二极管比如IN4007 1N5104等

高压选择 快恢复

低压选择 肖特基

同步整流

MOS内置或者外置

当电流<5-8A，可以选择NMOS内置，否则使用MOS外置。

如果需要外置NMOS，那么需要保证 di/dt回路最小，即 ci与两个mos之间的回路最小

EG1163数控改装思路

补偿电路含义？？？

QFN封装的NMOS 的VGS比较小，但是开关频率低·

boost电路

拓扑类型选择

反激式开关电源< 150W

反激式开关电源

调压

常见buck-boost电路

BUCK电路

TL494 TL594

594（300khz）比494（200khz）开关频率高，基准精度1%比5%高
494内部有两个误差放大器，

1. 可以接成比较器，用来做过流过压保护
2. 或者接成误差放大器。

弃用内置运放方式

运放+级接GND,-级接5V，那么OUT为0V,后方二极管截至，该运放失效

过流保护

Io*R13>运放+级输入（15脚，为1V电压）时运放输出正极，二极管导通，关闭芯片输出（在哪里关闭？）

误差放大器（电压输出控制）

R5和Rf必须形成同向放大关系，放大倍数必须为101倍，对应途中1+Rf/R5 = 101，

删掉R3,R4,将单片机DAC接到R3和R4中间。Vo输出对应关系式为：Vo x R9/R9+R8 = DAC，那么利用单片机DAC输出变化即可控制Vo输出。

R8 R9取值计算方式：首先确定输出Vo范围和DAC输出范围，假设Vo为0-60V，DAC输出范围为0-2.4V，然后先确定R9的值，假设为1K，然后再利用关系式计算R8，一定要确保同向放大倍数为101倍。

电流控制：使用R13配合另外一路单片机DAC和另一路运放控制


另外在输出侧用单片机ADC采集输出电压，采用PID算法控制DAC输出。

参考电路

引脚描述

4脚DTC

引脚控制死区时间，当为0V时死区时间为3%，当为3.3V时，死去时间为100%，即整个芯片关闭输出，整个引脚可以控制软起动。

死区时间T = 1/Fsw

TL494芯片最大占空比为97%

简易软起动，当启动一瞬间，DTC为5V，当电容充电时，4脚电压逐渐降低，494逐渐开启工作，电容越大，充电时间越长，软起动时间越长，可以使用10uF配合4.7k电阻

电容随时间关系
为什么需要软起动呢？

因为上电瞬间，Co输出电容相当于短路，Io非常大，

5脚CT6脚RT

5脚6脚分别接电阻电容到低，控制芯片开关频率.开关频率Fsw = 1/rc,每家厂商都有细微差别，ti分子是1，安美森是1.1

经验取值：3300pF搭配820欧姆，占空比范围为9%-92.5%，

13脚OutCtrl

当接地时，内置三极管基级B为并联，当接14脚REF时，内置三极管为互补。

当并联时，需要手动连接C和E，也就是8和11在一起，9和10在一起

如上图连接，Vi和Vo可为同向，即输入为1，输出也为逻辑1，下拉电阻经验取值为10k、2k、1k。

也可以是反向的，如下图，但这样是反向，唐老师说不好，暂时不明白为什么。唐老师建议使用同向！

14REF

参考电压

12脚Vcc 7脚Gnd

vcc最大可接入41V，待确认。

供电

栅极驱动器

推荐使用EG2104S和EG2104M，EG5620,PT5620,FD2105M LM5106,不推荐IR2104,因为太贵了！EG2104也不推荐，有问题，容易穿MOS.

辅助电源

当输入电压太大，需要给MCU3.3v,TL49412V供电时，可以使用EG1192等芯片

EG2104

下管建议并联SS34管子，为什么？

升降压电路

LM5175

LTC3780

可用于太阳能充电mptt芯片

EG1151

6块钱，内部集成MCU + 栅极驱动器+ 运放

SC8701

6.8一片

PCB布局-MOS

PCB布局-电容

PCB布局-FB连线

可以把不重要的电阻往左边挪，让FB最短

PCB布局-回路面积

回路面积越小越好

参数

改数控

SC8801 SC8802

有特点，有个dir能控制双向

改双向数控

电流检测

唐老师说低端电流检测会造成纹波大，建议使用高端电流检测，但是为什么低端纹波大呢？？？

SC8701J就是高端电流检测

电容

PCB布局时CI电容可以顶层底层上下堆成放置，这样能防止啸叫

布局特点

1. 四层板最好
2. 电感使用一体式屏蔽电感，
3. 电容上下对称放置，
4. 环路需要最小，
5. 电感下方需要挖空，不能覆铜Gnd，否则容易电感变小，磁力线容易在gnd产生感应电动势，产生emi干容
6. 下管并联肖特基二极管，这样死区时间，可以通过此二极管续流，提高效率，如下图，唐老师说可提高1%效率
7. 下管也要接rc吸收电路，如上图 c12和R8，具体还不太清楚。下一步搜索唐老师RC吸收电路看
8. 输出接共模电感，可使得输出纹波变小

电感

DCR越小越好，当然越小越贵

如何取值

最小电感计算：其中得他L是纹波系数，一般取值0.1-0.2，得到最小电感后再向上取比他大的一个电感型号。

MOS

四开关管多用NMOS，因为NMOS偏移，PMOS贵，但是Nmos需要自举

模型

Cgs会造成关断过慢，以图右侧mos开关led为例，当按键T按下，mos导通，led灯亮，当按键抬起，led没有立即熄灭，就是因为Cgs太大的原因。


重要参数指标

１.　Ｖｄｓ

２．Ｉｄ

３．Ｒｄｓｏｎ

４。Ｑｇ　此参数可通过外围电路覆盖，

Nmos驱动电路

基本原则，MOS管满开快关！

当用作同步buck时，一定要有死区时间，否则上下管同时导通，会造成mos短路击穿。



下图是一个电动车驱动，左侧分立元件组成可以替代IR2104,

注意：C28并联作用，之前提到Ｃｇｓ讨厌，为什么这里还要并联一个电容呢，这里的作用就是为了实现上管ｍｏｓ管慢开，因为下管没有加此电容　，而要关断时可以通过T17快速放电。Ｄ２０看样子是一个稳压二极管，应该时为了稳住Ｖｇｓ，保证导通电压相同。

下图放电回路为：R26和Ｑ３

即使用了IR2104栅极驱动器，也要加上一个PNP三极管，加快Ｖｇｓ放电速度，就不用到Ｉｒ２１０４内部释放了。

Rg作用

Rg为保护电阻，一般取值100R-1K。

https://www.bilibili.com/video/BV1km4y1D7oU

PMOS驱动电路

封装选型

建议从TO247 TO220转向QFN封装，晶圆倒装技术，寄生电感小，因此纹波小，电流要求大，可以选择两片并联。

TO220封装缺点，寄生电感L和寄生电容Cgs大，不好。优点是：方便辅助散热，可利用空位外接散热片
这种比较好

mos管开启电压与mos管内阻的关系

Vgs越大，Rds越小，当然Vgs有上限，见数据手册，下图是辅组电源升压到15V

MOS栅极驱动器

注意母线电压的区别 ，母线电压不同于VCC，他们都是pin2pin可替换的

DT为死区时间，单位为纳秒

他们共同特点是灌电流大于拉电流

当驱动氮化镓时建议选用PT5620,因为氮化镓VCC范围是5.5v-6.2V，建议在氮化镓上并联一个6.2V的二极管
单片机可以控制栅极驱动器的SD脚，为1输出，为0芯片关闭，

RC吸收电路

降低振铃信号，可以接入c吸收或者rc吸收电路
电气面朝上会造成振铃（金属线的电感和电容震荡），朝下的不会

计算方式

辅助电源可选型号

图中电压为最大允许输入电压

其中eg1192 唐老师有开源，可下载

通信电路

Π122u31是国产隔离芯片

防反接电路

mos实现