SAM-BA v2.6和NandFlash 坏区管理

最新推荐文章于 2022-10-25 14:10:39 发布

lichangc

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分类专栏： ARM9--ＡＴ91SAMxxx 文章标签： tcl shell 制造脚本

本文链接：https://blog.csdn.net/lichangc/article/details/7439898

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Question

当擦除或者写NANDFLASH的时候，SAM-BA v2.6会查找出很多坏区. 这个正常吗?我应该怎么处理他们呢？
Answer
SAM-BA v2.5 或者是之前的版本，对AT91SAM9260-E或者 AT91SAM9263-EK主板的NandFlash烧写的时候，通常会出现这种情况. 这些区不一定真正的损坏了，但是数据尤其是ECC字节要被写入的空白区，正是为坏扇区的标志为所预留的区域。因此SAM-BA v2.6 检测他们为坏区. 要想得到一个空白的没有坏区的NANDFLASH，可以遵循以下的步骤来解决这个问题: - 启动SAM-BA v2.6 GUI - 在NANDFLASH tab, 选择'NandFlash Init' 脚本并且执行 - 在GUI 的TCL shell部分写入: '::NANDFLASH::EraseAllNandFlashFull' 警告 :这个过程将擦除所有的数据也包括坏区的标志位，所以制造商提供的坏区标志将丢失. 假如你知道哪一个区被制造商标志为坏区的话，你也是人为的在SAM-BA TCL shell通过输入如下语句来标识出他们'::NANDFLASH::TagBadBlock <block_number>'.

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