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场效应管
lin1612
这个作者很懒,什么都没留下…
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三极管与场效应管的区别
场效应管是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)的简称。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点,特别适用于高灵敏度和低噪声的电路,现已成为普通晶体管的强大竞争者。普通晶体管(三极管)是一种电流控制元件,工作时,多数载流子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型晶体管;而场效应管(FE转载 2013-07-13 10:22:07 · 1260 阅读 · 0 评论 -
场效应管的分类
场效应管分结型和绝缘栅型两大类:按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。所以一共有6种场效应管,分别为结型场效应管:N沟道、P沟道绝缘栅性场效应管:N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型原创 2013-07-13 10:13:39 · 1055 阅读 · 0 评论 -
场效应管导通条件
FET类型符号工作条件开关状态备注N沟道结型UGS=0D、S导通UGSD、S断开P沟道结型UGS=0D、S导通UGS>UGS(OFF)>0原创 2013-07-17 21:44:02 · 14629 阅读 · 0 评论 -
CMOS反相器
VTp PMOS导通条件:Vgs(th)PVTn NMOS导通条件:Vgs(th)N>0当UI=0, Ugs(N)=0,N管截止,Ugs(P)当UI=VDD,Ugs(N)>0,N管导通,Ugs(P)=0,P管截止,所以Uo=0,输出低电平即UI=/UO,反相器逻辑符号如下:原创 2013-07-19 21:04:19 · 5716 阅读 · 0 评论