CMOS反相器

最新推荐文章于 2024-07-21 17:24:42 发布
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分类专栏： 场效应管 常见电路分析
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CMOS反相器是一种具有静态功耗低、抗干扰能力强、电源利用率高和输入阻抗高的特点的电路。当输入为0时，输出为高电平VDD；输入为VDD时，输出为低电平0。其工作基于PMOS和NMOS管的导通条件，实现反相逻辑。随着电源电压的增加，其抗干扰能力增强，且能适应较宽的电源电压范围。
摘要由CSDN通过智能技术生成

VTp  PMOS导通条件：Vgs（th）P<0

VTn  NMOS导通条件：Vgs（th）N>0

当UI=0，     Ugs（N）=0，N管截止，Ugs（P）<0，P管导通，所以Uo=VDD，输出高电平
当UI=VDD，Ugs（N）>0，N管导通，Ugs（P）=0，P管截止，所以Uo=0，输出低电平

即UI=/UO，反相器逻辑符号如下：

 

CMOS反相器特点<

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lin1612
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