p-mos,n-mos的导通条件

P型MOS管的导通条件：
靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。

对N沟道G极电压为**+极性**。
对P沟道的G极电压为**-极性**。 （p-mos内阻相当较大，只适合低功率的情况）

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，
对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

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P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，

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如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，

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D为2.8V。如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，

所以，

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如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。

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如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，
mos管导通，不能够关断。
GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。

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不是单纯的栅极给低电平就能导通，以下有两个例子（看规格书Vgs电压等于多少=截至电压）
MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。

N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的（在无“偏置”时，即正常时是导通的）。

mOS管注意：

1、为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

2、各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS管偏置的极性，如结型MOS管栅源漏之间是PN结。N沟道管栅极不能加正偏压，P沟道管栅极不能加负偏压。