P型MOS管的导通条件:
靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。
对N沟道G极电压为**+极性**。
对P沟道的G极电压为**-极性**。 (p-mos内阻相当较大,只适合低功率的情况)
场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,
对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。
P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,
如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,
D为2.8V。如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw,那么mos管不导通,D为0V,
所以,
如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管关断,低电平使mos管导通。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V,那么GPIO高电平的时候为1.8V,GS为1.8-2.8=-1V,
mos管导通,不能够关断。
GPIO为低电平的时候,假如0.1V,那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。
不是单纯的栅极给低电平就能导通,以下有两个例子(看规格书Vgs电压等于多少=截至电压)
MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压,和刚满足导通条件时比较,导通后随着源极S电位的升高,Vg电压也要升高,在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。
N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管,导通后Vgs与“偏置”电路有关,与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的(在无“偏置”时,即正常时是导通的)。
mOS管注意:
1、为了安全使用MOS管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
2、各类型MOS管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中,要遵守MOS管偏置的极性,如结型MOS管栅源漏之间是PN结。N沟道管栅极不能加正偏压,P沟道管栅极不能加负偏压。