神舟IV板 W25X16 FLASH范例使用

使用该例子做移植时，出现了形形色色的问题，按我最原始的想法，是将W25X16分成几个区域， 如下图：

0x00000 ~ 0x00FFF (4K)  作为头信息，0x01000 ~ 0x01FFF (4K) 作为配置信息，0x02000 ~ 0x03FFFF (256K) 作为保留区域，从0x100000 ~ 0x1FFFFF (1M)作为数据区，以后还可以扩展成其他型号FLASH。

看似简单的问题，其实也确实挺简单，但因为对神舟IV所带的FLASH操作函数不熟悉，导致出现奇怪的问题。

W25X16 分为几个部分，1个块等于64K，包含16个扇区，每个扇区是4K。 一个扇区包含16个页，每个页是256个字节。  有三种擦除方式，第一是整个芯片擦除 (Chip Erase)，W25X16差不多需要20几秒。 块擦除神舟库函数没有实现，扇区擦除是毫秒级别。

对于FLASH的操作，最重要的就是先擦除，否则写进去的数据是错误的。测试情况也是如此。

SPI_FLASH_SectorErase  这个函数用于擦除一个扇区（4K），参数我错误的认为是擦除第N个扇区，蹭这样使用 SPI_FLASH_SectorErase(1)，这明显是擦除第一个扇区，这还引起了我迷惑了很久的一个问题，为什么每次写入CONF区后，HEADER的数据就不正确了。还出现过写入4K的数据，只有前面一部分是正常的，也是因为擦除的区域错误引起。

主要是它的参数其实还是一个地址。如，要操作CONF区域，就得先使用SPI_FLASH_SectorErase(0x1000)，这里使用SPI_FLASH_SectorErase(0x1FFF)也是可以的，只要没有操过扇区的边界。如SPI_FLASH_SectorErase(0x2000)就不行了，很明显已经是擦除第二个扇区了，如果仍然是往0x1000地址区写入数据，读出来的可能就是错误数据。使用SPI_FLASH_BufferWrite函数，对于读取和写入的数据大小，可以比较随意，几个字节也是可以的。但如果是用于做数据存储，跟EEPROM就有很大区别，不能简单的通过移动指针来访问数据，它需要整块整块的来存储。

使用FLASH做数据存储，而且数据量比较大，考虑到FLASH本身擦些次数有限 100000次左右，暂不考虑页擦除方式，采用扇区方式，自然就得至少分配4K的缓冲来作为存储。初步想法是在收到信号后插入到缓冲，在主循环中调用函数监控数据，待到满足4K大小时，就写入到FLASH，这里不能简单这样写入，需要先读出来一次，并检测该扇区是否还存在空闲位置并做相应的处理。还提供一种方式，用于立即写入FLASH，少量数据时也写入到FLASH，这样防止数据因为数量问题丢失。