TMS320C6713烧写Flash的通用方法

1 你必须知道的TMS320C6000启动过程

这部分内容在我的另一篇博客

DSP TMS320C6000基础学习（7）—— Bootloader与VectorTable

有提到过，这里重新摘录一遍。

如上图

• 在Device Reset阶段：设备初始化为默认状态，大部分三态输出都配置为高阻态。
• 在CPU Reset阶段：从RS上升沿处开始（这个时候，HD[4:3]配置启动模式，HD8配置大小端模式，CLKMODE配置输入时钟源，根据HPI_EN配置外设功能），处理器检查启动模式HD[4:3]，启动bootloader程序。

从上图可以看出，CE1地址空间必需连接Flash芯片才能使用外部Flash引导模式，在电路设计时要注意。

若HD[4:3]=10（本文的操作环境基于此），EDMA自动将CE1起始位置的1KB代码拷贝到内部程序存储器的0地址，这部分功能是由硬件完成的，称一级引导Bootloader。

因此，外部Flash启动的最简单的想法就是：把要运行的程序放到CE1的起始1KB地址空间。这样只要设置HD[4:3]=10就能自启动了。那这么简单，还有讨论本文的必要吗？

呃，如果你的思维还停留在小孩子过家家的程度，唉。。。1KB？1KB才能存多少代码？要是代码量超过1KB呢？这正是本文要探讨的问题的初衷：程序代码>1KB，如何让C6713的程序从外部Flash自启动？

这就涉及另一个Bootloader了，我们称之为二级引导Bootloader（说白了就是一段小程序）。二级Bootloader作用有：（1）在上电复位后将用户的应用程序从Flash拷贝到RAM中执行；（2）跳转到应用程序的入口函数处。

二级Bootloader的执行要由一级Bootloader拷贝到RAM中执行，这就明白了，二级Bootloader必须放在外部Flash的起始的1KB位置处。

我们简要的用个图描述下所谓的二级Bootloader的自启动过程及主要思路。

要完成这个过程，

• 首先要编写一段称为2 Level Bootloader的启动代码并烧写到Flash的初始1KB地址处（DSP6713的CE1起始地址为0x90000000），1 Level Bootloader将该代码拷贝到RAM的起始0地址，开始执行。
• 烧写用户程序到0x90000400开始的Flash地址处
• 2 Level Bootloader将0x90000400开始的用户代码拷贝到RAM的0x400地址处
• 2 Level Bootloader调用_c_int00用户入口程序，然后调用main函数开始执行用户代码

关于_c_int00的介绍也请参考[DSP TMS320C6000基础学习（7）—— Bootloader与VectorTable]本文所有操作的前提是您已经配置好了中断向量表（这样在调用_c_int00时才能正确的进入到用户程序）。

2 编写二级Bootloader

先宏定义一下EMIF相关的寄存器，因为我们要读Flash，所以在二级引导程序运行前要配置EMIF寄存器，

;
;  ======== c6713_emif.s62 ========
;
            .title  "Flash bootup utility"

; global EMIF symbols defined for the c671x family
            .include        boot_c671x.h62

;EMIF Register Addresses for c671x family  
EMIF_GCTL       .equ  0x01800000  ;EMIF global control
EMIF_CE1        .equ  0x01800004  ;address of EMIF CE1 control reg.
EMIF_CE0        .equ  0x01800008  ;EMIF CE0control
EMIF_CE2        .equ  0x01800010  ;EMIF CE2control
EMIF_CE3        .equ  0x01800014  ;EMIF CE3control
EMIF_SDRAMCTL   .equ  0x01800018  ;EMIF SDRAM control
EMIF_SDRAMTIM   .equ  0x0180001c  ;EMIF SDRAM timer
EMIF_SDRAMEXT   .equ  0x01800020  ;EMIF SDRAM extension

; EMIF Register Values specifically for 6713 DSK
EMIF_GCTL_V     .equ  0x00000078  ;
EMIF_CE0_V      .equ  0xffffff23  ;EMIF CE0 SDRAM
EMIF_CE1_V      .equ  0xffffff13  ;EMIF CE1 Flash 8-bit
EMIF_CE2_V      .equ  0xffffbf93 ;EMIF CE2 Daughtercard 32-bit async
EMIF_CE3_V      .equ  0xffffff13  ;EMIF CE3 Daughtercard 32-bit async
EMIF_SDRAMCTL_V .equ  0x53115000  ;EMIF SDRAM control
EMIF_SDRAMTIM_V .equ  0x00000578  ;SDRAM timing (refresh)
EMIF_SDRAMEXT_V .equ  0x000a8529  ;SDRAM extended control

宏定义的EMIF寄存器声明为全局符号，.global与C语言中的extern效果一致，声明为外部符号。

;
;  ======== boot_c671x.h62 ========
;

    .if ($isdefed("BOOT_C671X_") = 0)  ; prevent multiple includes of this file
BOOT_C671X_ .set    1

; EMIF Register Addresses for c671x family         
        .global EMIF_GCTL         ;EMIF global control
        .global EMIF_CE1          ;address of EMIF CE1 control reg.
        .global EMIF_CE0          ;EMIF CE0control
        .global EMIF_CE2          ;EMIF CE2control
        .global EMIF_CE3          ;EMIF CE3control
        .global EMIF_SDRAMCTL     ;EMIF SDRAM control
        .global EMIF_SDRAMTIM     ;EMIF SDRAM timer
        .global EMIF_SDRAMEXT     ;EMIF SDRAM extension

; EMIF Register Values for c671x family
        .global EMIF_GCTL_V       ;
        .global EMIF_CE0_V        ;EMIF CE0 SDRAM
        .global EMIF_CE1_V        ;EMIF CE1 Flash 8-bit
        .global EMIF_CE2_V        ;EMIF CE2 Daughtercard 32-