2015年05月_NTMR

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转载 wlcsp封装技术的优缺点与未来

WLCSP即晶圆级芯片封装方式，英文全称是Wafer-Level Chip Scale Packaging Technology，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20%的体积)，此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。它号称是封装技术的未来主流，已投入研发的厂商包括FCT、Aptos、卡西欧、E

2015-05-29 10:34:45 28774

转载浅谈设计PCB时抗ESD的方法

来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏,需要采取多种技术手段进行防范。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article

2015-05-28 10:43:53 1503

原创继电器的应用技巧

1．要正确选型要用好继电器，正确选型是很重要的，首先必须对被控对象的性质、特点和使用要求有透彻的了解，并进行周密考虑。对所选继电器的原理、用途、技术参数、结构特点、规格型号要掌握和分析。在此基础上应根据项目实际情况和具体条件，来正确选择继电器。2．对接点的认识继电器线圈未带电时处于断开状态的动静接点，称为“常开接点”，反之，则称为“常闭接点”。一个动接点同时与一个静接点常闭而与另一个静

2015-05-27 20:01:34 805

转载 2014世界10大DRAM公司

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，是一种最常见的半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。据IHS调查显示，2013年世界DRAM的销售值比上年窜升了32.5%，达到350亿美元，2014年还将快速增长19.4%，达418亿美元，2015年稍差，但也能微增2%，达到425亿美元。在广泛

2015-05-27 17:06:54 17164

转载 NVSRAM：不再需要电池的非易失性存储方案

本文首先对目前市场上各种非易失性存储器进行了比较，其次对NVSRAM的工作原理和工作方式进行详细的阐述，同时，以Cypress NVSRAM为例描述了NVSRAM独有的特点，最后结合市场的应用对NVSRAM的应用进行介绍。非易失性存储器比较目前非易失性存储实现方式主要有如下三种：Micro Power SRAM+后备电池+控制器、电池后备供电SRAM(BBSRAM, Battery B

2015-05-27 12:54:21 7507 1

转载同步SRMA比异步SRAM更快

内存，或内存储器，又称为主存储器，是关系到计算机运行性能高低的关键部件之一，无疑是非常重要的。为了加快系统的速度，提高系统的整体性能，我们看到，计算机中配置的内存数量越来越大，而内存的种类也越来越多。内存新技术计算机指令的存取时间主要取决于内存。对于现今的大多数计算机系统，内存的存取时间都是一个主要的制约系统性能提高的因素。因此在判断某一系统的性能时，就不能单凭内存数量的大小，

2015-05-26 17:49:59 9189

转载异步SRAM的信号

异步SRAM是128K×8位结构的1M位SRAM，我们以CY62l28为例进行说明。引脚配置如图所示，这是非常标准的配置，在其他生产商的许多产品中都能见到这种配置。在自制的SRAM主板上就使用了现成的ISSI引脚兼容产品。　　图 CY62128的引脚配置　　异步SRAM的各个引脚所表示的意思如下所述。各个控制输人与操作状态的关系如表所示。　　表 SRAM的控制输入与

2015-05-26 17:38:44 3508