RAM和ROM区分

一、概念：
1.RAM：Random Access Memory，即随机存取存储器，掉电之后数据便会丢失，比如计算机的内存。
2.ROM：Read Only Memory，即只读存储器，掉电之后数据可以保持。

二、分类：

1.RAM分为静态RAM【Static RAM \ SRAM】和动态RAM【Dynamic RAM \ DRAM】。
SRAM由触发器(几个MOS管)构成，数据不需要刷新，每个单元占用空间比较大，所以集成度低，价格也非常昂贵，速度非常快，目前好像是最快的。一般用在要求高的场合如CPU的缓存等。DRAM利用MOS管栅极电容存储电荷的方式存储信息，需要定时补充电荷即刷新操作才能维持数据，但是集成度相对比较高，价格低，速度相对SRAM慢但是比任何的ROM快的多。一般计算机内存就是DRAM。
2.ROM分为掩膜ROM，一次性可编程ROM【PROM】，紫外线擦除可编程ROM【EPROM】，电擦除可编程ROM【EEPROM】和闪存【FLASH】。
掩膜ROM：是芯片在出厂的时候就固化信息了，之后不能再修改了，因电路简单，集成度高，大批量生产价格便宜。
PROM：采用熔丝的方式，未熔断表示1，熔断表示0，芯片出厂后一般全是1，用户只可以可以编程一次。
EPROM：用紫外线擦除后可编程，可多次擦除多次编程，一次全部擦除，数据写入需要专门的编程器。一般芯片外壳有个透明的石英窗以方便擦除，由于使用紫外线所以擦除还是没那么方便。
EEPROM：也称为E平方PROM，加电即可擦除，可在线(在电路中无需拔下)多次擦除多次编程，可以字节擦除，块擦除和整片擦除。擦除和写入其实是同一擦除，只不过擦除是固定写入1.
FLASH:可快速擦写，只能按块编程。