CCS编译优化与volatile

开发环境:CCS3.1,DM642开发板

在保存几百K的数据参数时,因为擦写Flash的时间较长,擦写过程中没能喂看门狗而导致系统重启,写数据失败。于是我考虑改写Flash的擦写函数,在擦写过程中加入喂狗函数。我在bsl源码中找到了EVMDM642_FLASH_write()和EVMDM642_FLASH_erase(),拷贝到我的工程,修改了函数名,编译后用仿真器加载Debug版测试通过,而后将Release版烧写到DSP上测试,却发现根本没有擦写过一个字节。

参考了张进东的博客“CCS优化编译引起的问题”,才知道编译优化引起的问题。但是将整个工程的Opt Level设为None还是比较可惜的,因为Opt Level = File确实对程序的执行速度优化了。解决方法有两个:

1. 对函数中所有变量加volatile(推荐)

例如将

*((Uint8 *)EVMDM642_FLASH_BASE+0xAAA) = 0xaa;

改为

*((volatile Uint8 *)(EVMDM642_FLASH_BASE+0xAAA)) = 0xaa;

2. 将函数放入单独的文件中,将该文件的“File Specific Options –> Compiler”的Opt Level设为None

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