什么是内存时序

所谓内存时序,可以简单理解为内存的延迟

延迟越低,意味着CPU与内存交换数据间隔时间越短,性能相对越强

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图中的 CL 18-22-22-42 即为时序

时序有四个参数 CAS - tRCD - tRP - tRAS,分别对应上图中所谓的CL 18-22-22-42


CPU在与内存交换数据,可以简要将内存理解为一个平面网状方格

CPU在寻址时,先确定所在的行,再确定所在的列,从而找到正确的数据

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通过整个内存寻址过程,可以看出 tRAS = t选择数据所在行 + tRCD + (CL)CAS 这也是为什么时序最后一项比较高的原因


那真实的内存延迟怎么计算呢?

以DDR4 3200 C16 -18 - 18 - 36 为例:

频率3200Mhz指一个时钟周期(1s)工作3200M次,不难想到,产生延迟的主要原因实际上就是每次寻址的时间间隔(tRP)

真实内存延迟时间 = (1 / 频率) * tRP

前文提到,DDR内存的实际频率为等效频率的一半

也就是说 DDR4 3200 C16 -18 - 18 - 36 的真实内存延迟为:

1 / (1600 * 一百万) * tRP = 10ns

同理 DDR4 3600 C17 -17 - 18 - 39 的真实内存延迟 9.44ns

尽管时序较高,但频率越高,延迟实际也不见得更高

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从上图不难看到,在DDR时代里,频率越来越高,相应的时序也越来越高,但实际上真正的延迟实际反而下降

(题外话:2021年 10 月底, DDR5 时代来临,威刚 DDR5 4800 C40 ,时序高得可怕)

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### 回答1: DDR内存时序指的是内存访问时的时间顺序和时机控制。它的含义是内存在读取或写入数据时需要按照一定的时间序列和时机完成。时序包括了读写延迟、预充电等时间参数,以及时序时钟的频率等。时序的好坏直接影响着内存的性能。对于DDR内存来说,时序越紧,内存性能就越高,但也对系统稳定性提出了更高的要求。因此,在安装DDR内存时,需要选择适合自己主板的合适时序。同时,为了保证系统的稳定性,时序还需要进行一定的调试和测试。虽然时序可能对一般用户来说不太容易理解,但是在高性能计算领域和专业级应用中,它是一个非常重要的参数。 ### 回答2: DDR内存时序是指内存的读写操作所需的时间间隔的规定。时序内存的性能和稳定性都有着很大的影响。内存时序是由内存控制器和内存模块共同决定的,其中包括读写延迟、传输延迟等参数。 DDR内存时序包括许多参数,如CAS延迟、RAS延迟、预充电延迟等等。这些参数一般都以数字形式表示,如CAS 14-16-16-35等,分别对应着不同的时序参数。其中,CAS(Column Address Strobe)延迟是指访问列地址所需的时间,而RAS(Row Address Strobe)延迟则是指访问行地址所需的时间。预充电延迟则是在读写操作之前需要对内存进行一定的初始化,这个过程就是预充电。此外,时序还包括传输延迟等。 要正确设置DDR内存时序,需要前期的测试和调整。时序设置得越合理,内存的读写性能和稳定性就越好,而设置不当则会造成内存读写失败、内存崩溃等问题。因此,了解DDR内存时序是非常重要的。 ### 回答3: DDR内存上的时序是指内存模块在执行读写操作时所需要遵循的时序规则,包括预充电、CAS延迟、写入延迟、写入时序等。时序的准确性对于内存的性能和稳定性都有着重要的影响。在内存控制器发出读写指令后,内存必须按照时序规则来响应控制器的指令,才能正确地完成数据的传输。如果时序出现问题,就有可能导致读写数据的错误或者内存无法正常工作。因此,在选择和安装DDR内存时,需要注意内存时序参数是否符合主板和CPU的要求,以确保系统的稳定性和性能。在超频时,时序也是重要的参数之一,通过对时序参数的调整,可以提升内存的工作频率和性能。
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