从HSPICE代码修改的PSPICE忆阻器仿真的一个简单实验

本文介绍了如何基于HSPICE代码在PSPICE 10.5.0上进行忆阻器的仿真。通过定义子电路memristor.subckt并调整参数,实现了忆阻器的滞回效应。仿真过程包括定义子电路、注意幂函数和表达式的区别、以及运行仿真以观察结果。
摘要由CSDN通过智能技术生成

网上pspice的教程不少,可是数量多也真心让我头疼,总结了今天一下午弄的成果,希望后人不要再走弯路。


*****本实验原始HSPICE代码取自Yide Zhang(张以德),本实验代码为张先生代码修改所得,特此致谢张先生,转载请保留此行。*****


本实验使用PSPICE 10.5.0。

通过定义子电路memristor.subckt,并调用子电路进行忆阻器仿真。

最终实现了忆阻器的滞回效应。

首先需要定义忆阻器子电路memristor.subckt


*Single Memristor Property

.SUBCKT memristor plus minus
.PARAM 
+Ron=1MEG Roff=50MEG Rinit=44MEG 
+D=10N uv=1e-14 p=1 
### 回答1: 三级 CMOS 运算放大器的 HSPICE 仿真代码如下: ``` * CMOS Operational Amplifier .include '45nm_HP.pm' M1 outA VDD VDD PMOS l=0.18u w=3.3u M2 outA VDD mid PMOS l=0.18u w=1.65u M3 mid VDD VSS PMOS l=0.18u w=0.825u M4 inA mid VSS NMOS l=0.18u w=0.825u M5 mid inB VSS NMOS l=0.18u w=1.65u M6 outA VSS VSS NMOS l=0.18u w=3.3u R1 inA 0 1k R2 inB 0 1k V1 inA 0 DC 0 V2 inB 0 DC 0 V3 VDD VSS DC 3.3 .tran 10p 200n .plot tran v(outA) .end ``` 注意:这仅是一个示例代码,可能需要根据您的具体需求进行调整。 ### 回答2: 下面是一个用HSPICE编写的三级CMOS运算放大器的仿真代码: .include cmos_models.txt .param VDD = 5V M1 n1 n2 n3 VDD nmos W=2u L=0.5u M2 n2 n4 n5 VDD nmos W=2u L=0.5u M3 n3 n6 n7 VDD nmos W=2u L=0.5u MP1 n4 n1 N1 VDD pmos W=4u L=0.5u MP2 n1 n7 N1 VDD pmos W=4u L=0.5u MP3 n4 N1 n8 VDD pmos W=2u L=0.5u Vin n6 0 DC 0 AC 1m Cc n6 0 1p Cc=1e-12 .tran 0.1ns 10us .control run plot V(n7) .endc .end ### 回答3: 要用HSPICE编写一个三级CMOS运放的仿真代码,首先需要创建仿真环境,包括各个电路元件的参数设置和连接关系。 首先,我们需要定义每个CMOS晶体管的元件参数。每个晶体管由一个PMOS和一个NMOS组成,它们被连接成三级级联的形式。我们需要定义晶体管的长度和宽度、模型名称和其他必要的参数。接下来,我们需要定义源极、漏极和栅极的连接关系,以正确描述晶体管之间的电流流动。 然后,我们需要定义电源和地连接来提供电源和参考电平。电源应设置为所需的供电电压。在这个过程中,可以选择使用恒流源或电流镜源来提供恒定的电流,以供电路运行。参考电平通常设置为地的电位。 接下来,我们需要定义输入和输出的连接。输入信号可以是电压源或电流源,而输出信号则通过测量电流或电压来得到。在设置输入和输出之后,我们需要定义信号源的参数,如电压的幅值和频率。 最后,我们需要定义仿真的参数和运行时间。仿真参数包括仿真步长、仿真起始时间和仿真结束时间。运行时间是指仿真所需的总时间。 在所有这些设置完成之后,我们可以运行HSPICE仿真代码,得到三级CMOS运放的性能指标,如增益、带宽等。通过调整每个晶体管的尺寸和电源电压等参数,可以优化电路的性能。 综上所述,编写三级CMOS运放的HSPICE仿真代码需要设置晶体管的参数、连接关系、电源和地的连接、输入输出连接、信号源的参数、仿真参数和运行时间。通过运行仿真代码,可以得到电路的性能指标,并通过调整参数进行优化。
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