NAND
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这个作者很懒,什么都没留下…
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NAND纠错方式
Hanming,RS,BCH —— NAND Flash中常用的纠错方式 因为闪存中会有出错的可能,如果没有使用ECC模块,读出的数据和写入的数据会有不匹配的可能,也许一个文件中只有一两个bit不匹配,这也是不能容忍的。相对来说SLC中出错概率比较低,所以使用一个纠错能力不强的Hanming码就可以了,在MLC中Hanming码就显得力不从心了,需要纠错能力更强的RS或者B转载 2013-07-18 18:55:12 · 1849 阅读 · 0 评论 -
模2运算的原理
模2运算的原理 模2运算是一种二进制算法,CRC校验技术中的核心部分,因此,我们在分析CRC算法之前,必须掌握模2运算的规则。与四则运算相同,模2运算也包括模2加、模2减、模2乘、模2除四种二进制运算。而且,模2运算也使用与四则运算相同的运算符,即“+”表示模2加,“-”表示模2减,“×”或“·”表示模2乘,“÷”或“/”表示模2除。与四则运算不同的是模2运算不考虑进位和借位,即模2转载 2013-07-19 10:30:03 · 791 阅读 · 0 评论 -
NandFlash详述
NandFlash详述 自:http://www.cnblogs.com/sankye/articles/1638852.html 想念东北的下雪的冬天1. 硬件特性:【Flash的硬件实现机制】Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(V转载 2013-07-18 15:15:49 · 3561 阅读 · 0 评论