电路的基本概念和基本定律
电流和电路模型

理想元件、理想电路、集总参数元件、集总参数电路
集总元件:
当电路器件的尺寸远小于电路最高工作频率所对应的波长时,可以认为元件的参数“集总”于一个点上,形成所谓的集总参数元件。
理想元件:
是抽象的模型,没有体积大小,是集总参数元件。
由理想元件组成的电路称为电路模型
集总参数电路:
由集总参数元件构成的电路称为集总参数电路,简称集总电路。
在集总电路中,任何时刻该电路任何地方的电流、电压都是与其空间位置无关的确定值。
作业:模拟信号和数字信号的区别是什么
表示方式:
模拟信号是一种连续变化的电子信号,表示为一个无限精细的波形,可以用电压或电流表示
数字信号是一种离散的电子信号,表示为一系列的数字。
传输特性:
模拟信号在传输过程中容易受到干扰,包括噪声、失真等
数字信号在传输过程中不容易受到干扰,因为它们的信息可以通过错误检测和纠正技术来保证信息的准确性。
应用领域:
模拟信号常用于音频、视频和其他模拟信息的传输,如音频播放器、收音机等
数字信号常用于数据通信和计算机网络等领域,如计算机、手机、数字电视等。
电路的基本变量
电流
单位时间内通过导体横截面的电荷量定义为电流强度,简称电流(和高中没区别)
用符号i (t)表示,设在dt时间内通过导体某一横截面的电荷量为dq(t),则

若dq(t)/dt为常数,即是直流电流,用大写字母I表示,这时通过导体的横截面的电荷量为q与时间t成正比,即

单位:

参考方向
人们任意选定的一个方向
所选的电流参考方向不一定就是电流的实际方向。
如图1.8所示。对于连接电路a、b两点间的二端元件,流经它的电流i的参考方向常用箭头表示。

当所设的电流参考方向与实际方向一致时,电流为正值(i > 0);
当所设的电流参考方向与实际方向相反时,电流为负值(i <0)。
这样,在选定的电流参考方向下,根据电流的正负,就可以确定电流的实际方向。
电压
单位正电荷由a点移到b点时电场力所作的功称为a、b两点间的电位差,即a、b间的电压,用符号u(t)表示, 即

大小和方向都不随时间改变的电压称为直流电压,用大写字母U表示。在这种情况下,电场力作的功与电荷量成正比,即

单位:

电压的实际方向规定为从高电位点指向低电位点,是电位真正降低的方向。
和电流一样,电路中两点间的电压也可任意选定一个参考方向。
所谓电压参考方向,就是所假设的电位降低的方向
在电路图中用“+”、“–”号标出
“+”表示参考极性的高电位端
“–”表示参考极性的低电位端

电流和电压的关联参考方向和非关联参考方向
对一个元件或一段电路上的电压、电流的参考方向可以分别独立地任意指定,但为了方便,常常采用关联参考方向,即电流的参考方向和电压的参考方向一致,如图1.10(a)所示。电流、电压参考方向相反时称为非关联参考方向,如图所示。

(a) 关联参考方向;(b) 非关联参考方向
功率和能量
功率定义、单位、计算公式(和电压电流关系,计算的吸收功率)
单位时间内做功的大小称做功率
以符号p(t)表示,功率的数学定义式可写为

式中dw(t)为dt时间内电场力所做的功。
功率的单位为瓦(W)
1瓦功率就是每秒做功1焦耳,即1W = 1 J/s
当电压、电流参考方向关联时,有

同理,当电压、电流参考方向非关联时,有p=-ui
功率计算公式

两边从-∞到t积分,可得

表示电压与电流参考方向关联时从-∞到t时间内输入电路的总能量,或称电路吸收的总能量。
电路基本元件
作业:将三大基本电路元件和以下三个特点对应,1)储存电场能量2)储存磁场能量3)耗能
解:
储存电场能量:电容器
电容器的作用是储存电场能量,当通过电容器的电流变化时,它的电压也会随之变化,因此它能够缓冲电路中的瞬时电压变化。
储存磁场能量:电感器
电感器的作用是储存磁场能量,当通过电感器的电流变化时,它会产生磁场,在磁场消失时,会释放出能量,因此它能够缓冲电路中的瞬时电流变化。
耗能:电阻器
电阻器的作用是耗能,它的作用是限制电流的流动,阻抗电流的流动,在阻抗电流的流动过程中,会消耗电能,因此它能够起到降低电路电压和限制电流强度的作用。
首先介绍几个名词
VAR:元件端子上的电压、电流关系,称之为元件的伏安关系。
电路元件分类
根据能量特性
有源元件:电源这种供电的
无源元件:用电器
端口数目
就是看你跟外面连几根线
譬如一般的电阻连两根,就是二端元件
例题:什么是电子管、晶体管,晶体管包括哪些种类
电子管:
一种早期的电子器件,是一个封闭的管形真空腔,内部真空
用于对电信号进行放大、检波或转换
通过控制电子在真空中的流动来实现其功能,它需要额外的电源来启动
广泛用于电子设备,如收音机、电视机和电子计算机
晶体管:
它允许控制电流或电压以进行放大或开关操作。
三个部分组成:源(Source)、漏(Drain)和基(Base)
通过控制基-源电压,晶体管可以控制通过源到漏的电流
可以用作开关或放大器
晶体管比电子管更小、更简单、更省电,是当今电子设备中使用最广泛的元器件之一。
分类
BJT:双极晶体管是一种常见的晶体管类型,由两个p-n结组成。它们可以用作放大器或开关。
JFET:结构场效应晶体管是一种基于控制电场的晶体管。它们可以用作放大器或开关。
MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管是一种常见的晶体管类型,它们可以用作放大器、开关或逻辑元件。
CMOS:互补金属氧化物半导体是一种结构由pMOS和nMOS互补组成的晶体管类型,用于提供高效率、低功率消耗的电子电路
电阻元件:
一个二端元件,如果在任意时刻t,其VCR能用u-i平面(或i-u平面)上的曲线所确定,就称其为二端电阻元件,简称电阻元件。
它是实际电路中的电灯泡、电炉、滑杆电阻器、半导体二极管等所有消耗能量的器件的理想化模型。
如果电阻元件的伏安关系不随时间变化(即它不是时间的函数),则称其为时不变(或非时变)的,否则称为时变的。
如其伏安特性是通过原点的直线,则称为线性的,否则称为非线性的。

电阻
考点:VAR伏安关系、欧姆定律、电阻单位、电导单位
在关联参考方向下,线性时不变电阻的电压与电流的关系就是熟知的欧姆定律,为u=R·i
说人话,就是高中那种情况
线性电阻的伏安特性
欧姆定律也可以用另一形式表示:i= G·u
G是元件的电导,是一个与电压、电流无关的正常量,单位为西门子,简称西(S),
表明在一定电压下,电导G越大,电流i越大,
所以电导G是表征电阻元件对电流传导程度的参数;
显然,电阻元件的电导与电阻互为倒数,即:

若电压、电流采用非关联参考方向,则欧姆定律应改为
u=-R·i或i=-G·u
开路:(我不知道你们什么情况,我高中叫断路)
线性电阻R=无穷 或G=0,称为开路,
其伏安特性曲线与u轴重合
此时无论端电压为何值,其端电流恒为零;
短路:
当R=0或G=无穷,称为短路,
其伏安特性曲线与i轴重合,电阻元件相当于一段理想导线
此时无论端电流为何值,其端电压恒为零。

耗能元件
线性非时变电阻(电导),t时刻的电压(或电流)只与t时刻的电流(或电压)有关。这说明电阻(电导)上的电压(或电流)不能记忆t时刻以前电流(或电压) 的“历史”作用。所以说电阻、电导元件是无记忆性元件,又称即时元件。
可得电阻R的吸收功率为

电阻元件是一个只消耗电能而非储存电能的元件,称为耗能元件。
例题:
计算电阻上的电流和吸收功率
在图所示电路中,已知R=5 kΩ,U=-10V ,求电阻中流过的电流和电阻的吸收功率。

答:
由于电阻上电流电压为非关联参考方向,因此按欧姆定律,其电流

电阻的吸收功率为

或者

电容元件
考点:存储电场能量、电容单位
作业:电容两端什么情况下有电流
答:
电容两端有电流的情况是当它的电压发生变化时,就会有电流通过。
例如,如果将电压从低到高升高,就会有电流从正极流向负极。
电压降低时,电流也会相应地反向流动。
电容元件:
一个二端元件,如果在任意时刻t,其所积累的电荷与端电压之间的关系能用q-u平面上的一条曲线所确定,就称其为电容元件。
电容器是最常用的存储电能的器件,将两片金属极板中间填充电介质,就可以构成一个简单的实际电容器。
如果约束电容的q-u平面上的曲线不随时间变化(即它不是时间的函数),则称其为时不变(或非时变)的,否则称为时变的。
如曲线是通过原点的直线如图1.11(b)所示,则称为线性的,否则称为非线性的。本书主要讨论线性时不变电容元件。
考点:理解线性电容的VAR,微分形式、积分形式

线性电容
对线性非时变电容,电荷量q与其端电压u的关系为

式中C称为电容元件的电容量,单位为法拉,简称法(F)。
它是一个与q、u和 t无关的正值常量
表征电容元件积聚电荷能力的物理量。
线性电容的VAR: (设u, i取关联参考方向)

设t0为初始时刻,时刻t0以后电容上电压的关系为

u(t0)反映了电容在初始时刻的储能状况,故也称为初始状态。
伏安关系的微分形式表明,
通过电容元件的电流与该时刻的电压变化率成正比
电容电压应连续变化。
如果电容两端加直流电压,电压恒定不变,其变化率为零,则电流i=0
电容元件相当于开路。故电容元件有隔断直流的作用。
伏安关系的积分形式表明
任意时刻t的电容电压与该时刻以前电流的“全部历史”有关。
或者说,电容电压“记忆”了电流的作用效果,故称电容为记忆元件。
考点:电容通交流阻直流、电容:电压变化产生电流
电容的储能: (设u, i取关联参考方向)
电容元件的吸收功率为

电容元件所储存的能量为其从到t时刻所吸收的能量

电容吸收的能量以电场能量的形式储存在元件的电场中。
电容在任何时刻t储存的电场能量wc(t)将等于它吸收的能量

任意时刻t,电容的储能只取决于该时刻的电容电压值,恒有wC(t)≥0
故电容元件是储能元件而不是耗能元件,它从外部吸收的能量以电场能量形式储存于自身的电场中。
电容元件上的电压、电流关系是微积分关系,因此电容元件是动态元件
电阻元件上的电压、电流关系是代数关系,所以它是即时元件。
例题:
图1.12(a)所示电路中,电容C = 0.5 mF,电压u的波形如图1.12(b)所示。求电容电流i,并绘出其波形。
解:
由电压u的波形,应用电容元件的元件约束关系,可求出电流i。当0 ≤t≤1 ms,电压u从0 V均匀上升到10 V,其变化率


由关联参考方向下电容伏安关系的微分形式可得

当1ms ≤t ≤3 ms,5 ms≤t ≤7ms及t≥8ms时,电压u为常量,其变化率为

当3≤t≤5时,电压u由10 V均匀下降到-10 V,其变化率为


当7ms≤t≤8 ms时,电压u由-10 V 均匀上升到10 V ,其变化率为


电流波形如右图所示。

电感元件
考点:存储磁能、电感单位
作业:电感两端什么情况有电压
答:
电感两端有电压的情况是当它的电流发生变化时,就会产生电压。
例如,当电流通过电感器时,电感器就会产生磁场,并且当磁场消失时,就会释放出能量,产生电压。
因此,当电流的流向改变时,电感器就会产生相应的电压。
一个二端元件,如果在任意时刻t,其磁链与电流i(t)的关系能用平面上的曲线确定,就称其为电感元件。
电感是最常用的存储磁能的器件,把导线绕成线圈就构成实际的电感元件。
如果约束电感的平面上的曲线不随时间变化(即它不是时间的函数),则称其为时不变(或非时变)的,否则称为时变的。
如曲线是通过原点的直线,则称为线性的,如图(b)所示,否则称为非线性的。

考点:理解线性电感的VAR、微分形式、积分形式

线性电感的VCR: (设u, i取关联参考方向)

设t0为初始时刻,时刻t0以后电感上电流的关系为

i(t0)反映了电感在初始时刻的储能状况,故也称为初始状态。
考点:电感通直流阻交流、电感:电流变化产生电压
电感的储能: (设u, i取关联参考方向)
电感元件的吸收功率为

电感元件所储存的能量为其从到t时刻所吸收的能量

电感在任何时刻t储存的磁场能量wL(t)将等于它吸收的能量

电感是一种储能元件,它本身不消耗能量。同时,电感元件也不会释放出多于它吸收的能量,所以它又是无源元件。
注意:
伏安关系的微分形式表明,任何时刻,电感元件的端电压与该时刻电流的变化率成正比;且电感电流应连续变化。
当电感电流为直流时,恒有电压u=0,电感元件相当于短路,电感有通交流作用。
伏安关系的积分形式表明
任意时刻t的电感电流与该时刻以前电压的“全部历史”有关。所以电感电流具有“记忆”电压的作用,是一种记忆元件。
任意时刻t,电感的储能只取决于该时刻的电感电流值,恒wL(t)≥0
故电感元件是储能元件而不是耗能元件
从外部吸收的能量以磁场能量形式储存于自身的磁场中。
电感元件上的电压、电流关系是微积分关系,因此电感元件是动态元件。
例题:
图(a)所示电路中,电感量L=100mH,其电流i波形如图(b)所示。求电感电压u,画出它的波形,并计算电感吸收的最大能量。

解:
由电压i的波形,应用电感元件的元件约束关系,可求出电压u。
当0 ≤t≤1 ms时,

当1ms≤t ≤4ms时,电流i为常量

当4ms≤t ≤5ms时

可得电感吸收的最大能量

电压波形如图所示

电源
考点:电压源和电流源、独立源和受控源、符号
基本的有源电路元件有电压源和电流源。
根据电压源的电压值或电流源的电流值
是确定值——独立源
随其他支路的电压或电流而变化——受控源。
独立电源
考点:电压源特点、电压和电流的决定因素、直流/交流电压源、VCR
1.独立电压源
一个二端元件,如其端口电压总能保持为给定的时间函数uS(t)或定值US,而与流过它的电流无关,则称其为独立电压源,简称电压源。
分类:
端电压保持给定时间函数uS(t)的电压源称为时变电压源,如图(b)所示
其特性曲线是一条平行于i轴但却随时间改变的直线
u轴上的截距表示不同时刻时变电压源的电压值;
说人话:随着时间的改变,电压会变化
端电压保持定值US的电压源称为直流电压源,如图(c)所示
其特性曲线是一条平行于i轴的直线
u轴截距US表示直流电压源的电压值。
若uS(t)=0或US=0,则伏安特性曲线与i轴重合,电压源相当于短路。

电压源特点:
电压源的端电压由它自身决定,与通过它的电流无关。
流经电压源的电流由电压源及与其相连的外电路共同决定,或者说它的输出电流随外电路变化。
考点:电流源特点、电压和电流的决定因素、直流/交流电流源、VCR
2.独立电流源
一个二端元件,如流经它的电流总能保持为给定的时间函数iS(t) 或定值IS ,而与其端口电压无关,则称其为独立电流源,简称电流源。
分类:
流经电流源的电流保持给定时间函数iS(t)的电流源称为时变电流源,如图(b)所示
其特性曲线是一条垂直于i轴但却随时间改变的直线
i轴上的截距表示不同时刻时变电流源的电流值。
流经电流源的电流保持定值IS的电流源称为直流电流源,如图(c)所示
其特性曲线是一条垂直于i轴的直线
i轴截距IS表示直流电流源的电流值

电流源的特点:
流经电流源的电流由它自身决定,与其两端电压无关。
电流源两端电压由其本身的输出电流与外部电路共同决定。
例题:
电路如图1.17所示,已知R=5 W, US=2V , IS=1 A 。试求:
(1) 电阻R两端的电压U1;
(2)1 A电流源两端的电压U及功率P

解:
(1) 由于电阻R与电流源IS相串联,因此流过电阻R的电流就是1 A,而与2 V电压源无关,即

所以根据欧姆定律,可得

(2)1A电流源两端的电压包括5 W电阻上的电压和2 V电压源,因此

电流源上电压、电流为非关联参考方向,所以

电流源向外提供功率。
受控源
考点:受控源概念、4类:VCVS、CCVS、VCCS、CCCS
受控源:
受控源就是非独立电源
电压源的电压或电流源的电流不是给定的时间函数,而是受电路中某支路电压或电流控制的。
受控源是有源的四端元件,有两个端口,
它的两个受控端构成输出端口(电源端口),
体现为源电压uS或源电流iS,能提供电功率;
另外两个控制端构成输入端口(控制端口),体现为控制电压uC或控制电流iC。
根据受控源是电压源还是电流源,控制量是电压还是电流,可将受控源分为:
电压控制电压源(VCVS),图(a)
电流控制电压源(CCVS),图(b)
电压控制电流源(VCCS),图(c)
电流控制电流源(CCCS),图(d)

巧计:
第二个都是C,是controlled(控制),第四个字母都是S,是source(源)
那么,只需要观察第一,第三个字母
V是电压
C是电流(后面的KCL,KVL也是这么记忆)
独立源是一端口元件,只需一个方程就可以表征其特性。受控源是二端口元件,其元件特性需用两个方程来描述。
其输入、输出端口电压、电流关系分别为:

上述各式中μ、r、g、β是控制系数。
其μ和β是无量纲的系数,分别称为电压放大系数和电流放大系数
r是具有电阻量纲的常量,称为转移电阻
g是具有电导量纲的常量,称为转移电导。
基尔霍夫定律
作业:描述KCL和KVL
KCL:
规定了在一个点上所有进入该点的电流之和必须等于该点所有出去的电流之和。
也就是说,电流的守恒性在该点是必须遵循的。
KVL:
规定了在一个回路中电动势的增加等于该回路中电动势的损失。
也就是说,电动势的守恒性在整个回路是必须遵循的。
考点:
名词术语:支路、节点、回路、网孔
给定电路,找出所有支路、节点、回路、网孔
支路:单个二端元件或若干二端元件依次连接组成的一段无分支的电路称为支路。(m)
节点:电路中三条或三条以上支路的连接点称为节点。(n)
回路:电路中任一闭合路径称为回路。 (l)
网孔:电路内部不含有支路的回路称为网孔。

考点:KCL定义
基尔霍夫电流定律(KCL)
描述电路中与节点相连的各支路电流间相互关系的定律
基本内容是:
对于集总参数电路的任意节点,在任意时刻流出该节点的电流之和等于流入该节点的电流之和。
∑i出= ∑i入
KCL也可表述为:对于集总参数电路中的任意节点,在任意时刻,流入或流出该节点电流的代数和等于零,即

例题:


例题:用KCL求支路电流(电阻并联分流)
如图所示电路,已知i1=-5 A,i3=1 A,i4=2 A。试求i5。

(1) 对于节点a,由KCL可知


对于节点b,由KCL可知


(2)作封闭面,列广义节点KCL方程进行求解。



基尔霍夫电压定律(KVL)
基尔霍夫电压定律是描述回路中各支路(或各元件)电压之间约束关系的定律。
基本内容是:对任何集总参数电路,在任意时刻,沿任意闭合路径巡行,各段电路电压的代数和恒等于零
数学表示式为

m为回路中包含元件的个数
uk(t)表示回路中第k条支路的电压

假设回路绕行方向为顺时针方向则KVL方程为

将上式改写为

此式表明在集总参数电路中,任一时刻沿任一回路的支路电压降之和等于电压升之和,即

图中,节点a、c之间并无支路,但是仍可以把abca看做一个回路,可列如下方程:

可见,KVL不仅适用于电路中的具体回路,对于电路中任一假想的回路,它也是成立的。这种假想的回路称为广义回路。
推论:电路中任意两点间的电压等于两点间任一条路径经过的各元件电压的代数和

UAB 沿左和沿右计算结果相同
例题:
已知电路如图1.24所示,已知I1= 4 A,U2 = 10V,U3 = 6 V,R1 = 2 W,R3 = 3 W。试求U4、I2、I3、R2及US的值。

解:
根据欧姆定律可得:

由KVL可得


对于节点a,依KCL有


对右边网孔设定顺时针方向为绕行方向,依KVL有


直流电路及基本分析方法
作业:给出下图电路中的支路、节点、回路、网孔的数量。

支路=6
节点=4
回路=7
网孔=3
作业:


直流电流的一般分析方法
考点:利用KCL、KVL、元件VCR列方程。串联分压、并联分流。
支路电流法
支路电流法是直接以支路电流为未知量,根据元件的VCR及KCL、KVL约束关系,建立数目足够且相互独立的方程组,解出各支路电流,进而求得人们期望得到的电路中任一支路的电压、功率等。
适用于各种复杂电路,但当支路数很多时,方程数增加,计算量加大。
适用于支路数较少的电路。


一般情况下,对于一个有b条支路n个节点的电路
利用KCL可以列出(n -1)个独立的方程
利用KVL可列出b-n+1个独立的方程
支路电流法的一般步骤
(1) 设出各支路电流,标明参考方向。任取n-1个节点,依KCL列独立节点电流方程。
(2) 选取b-n+1独立回路,并选定绕行方向,依KVL列写出所选独立回路电压方程。对平面电路而言,网孔数恰好等于独立回路数,网孔就是独立回路,所以平面电路一般选网孔列写独立电压方程。
(3) 如若电路中含有受控源,还应将控制量用未知电流表示,多加一个辅助方程。
(4) 联立求解(1)、(2)、(3)三步列写的方程组,就得到各支路电流。如果需要,再根据元件约束关系等计算电路中任一支路的电压、功率。


网孔电流法
未知量为假想网孔电流
所谓网孔电流,是指平面网络中沿着网孔边界流动的假想电流,如图2.3所示的Im1和Im2。

网孔电流实际上是不存在的,实际存在的是支路电流。其流动方向就是网孔电流的参考方向,也就是列写KVL方程时的绕行方向,然后列网孔的KVL方程。


网孔电流和支路电流的关系、网孔的KVL方程
3.网孔电流法的一般步骤
(1)确定网孔及设定各网孔电流的参考方向,通常将各网孔电流的参考方向均设为顺时针绕向或均设为逆时针绕向;
(2)按照规则列写网孔方程组;
(3)求解方程组,即可得出各网孔电流值;
(4) 根据所求出的网孔电流即可求出各支路电流。
例题:

节点电压法
所谓节点电压,是指在电路的n个节点中,任选一个为参考点,把其余(n-1)个节点对参考点的电压叫做该节点的节点电压。
如图所示,取节点3为参考点,节点1和节点2对参考节点的电压分别为U1和U2

电路中所有支路电压都可以用节点电压来表示。
以(n-1)个节点电压为变量,对每个独立节点列出一个KCL方程,称为节点方程
联立求解(n-1)个节点方程构成的方程组,便可求出(n-1)个节点电压
通过节点电压便可以直接求出所有支路电压
根据各支路电压与电流的约束关系,可求出所有支路电流。
节点方程:

独立节点KCL方程为

节点电压与各支路电流的关系为

代入KCL方程整理得到

方程组可进一步写成

例题:

如图所示电路,已知US1=10V,US3=4V,IS4=4A,R1=3 W, R2=6 W, R4=6 W 。求节点电压U1和 U2

解:
理想电压源US3支路的电阻为零,即电导为无穷大,无法直接写出节点电压方程。假设流过理想电压源US3的电流为I3,则节点电压方程为

将理想电压源US3的特性作为补充方程

代入数值联立求得U1=12V, U2=8 V
含受控源网络的节点分析
已知电路如图所示。试用节点分析法求i1、i2。


un1=1.6V, un2=-0.8 V

线性电路的几个基本定理
叠加定理
考点:能使用叠加定理求解问题
作业:用叠加定理下图电路中的电流I。画出相应情况的电路图并标出参考方向,在此基础上做计算。
在线性电路中,当有两个或两个以上的独立电源同时作用时,
某一支路的电压(电流)等于每个电源单独作用下,在该支路上所产生的电压(电流)分量的代数和。


当电压源不作用时应视其短路,而电流源不作用时则应视其开路。
例题





注意:
叠加定理只适用于线性电路求电压和电流;不适用于非线性电路。
当一个独立电源单独作用时,其余独立电源做零处理,即保留内阻,
理想电压源用短路替代
理想电流源用开路替代
不能用叠加定理求功率(功率为电源的二次函数)。
注意符号。
5. 含受控源线性电路可叠加,受控源应始终保留。
6.叠加的方式是任意的,方式的选择取决于分析问题的方便。
戴维南定理
考点:使用戴维南定理求解问题的步骤,参考讲义例2.7
作业:什么是戴维南等效定理
作业:用戴维南定理求出下图电路中的电流I。每步画出电路图,在此基础上再计算。


任一线性有源二端网络N,对其外部电路来说,都可以用电压源和电阻串联组合等效代替;该电压源的电压等于网络的开路电压UOC ,该电阻等于网络内部所有独立源作用为零情况下网络的等效电阻R0 。


N0为将N中所有独立源置零后所得无源二端网络。
由戴维南定理所得的电压源等效电路称为戴维南等效电路。
戴维南定理基本解题步骤:
(1)将待求支路与原有源二端网络分离,对断开的两个端钮分别标以记号(如a、b);
(2)应用前面所学过的各种电路求解方法,对有源二端网络求解其开路电压UOC;(等效变换法、节点电压法、网孔电流法等)
(3)有源二端网络内部所有独立源作用为零情况下对无源二端网络求等效电阻R0;(理想电压源短路、理想电流源开路)
(4)将断开的待求支路与戴维南等效电路接上,最后根据欧姆定律或分压、分流关系求出电路的待求响应。
例题:


诺顿定理
内容:任一线性有源二端网络N,对其外部电路来说,都可以用电流源和电阻并联组合等效代替,该电流源的电流等于网络的短路电流ISC ,该电阻等于网络内部所有独立源作用为零情况下网络的等效电阻R0 。


N0为将N中所有独立源置零后所得无源二端网络。
由诺顿定理所得的电流源等效电路称为诺顿等效电路。
凡是戴维南定理能解决的问题,诺顿定理也能解决,其解题步骤与戴维南定理类似。
例题:




最大功率传输定理
考点:什么时候获得最大功率,什么是匹配状态

由图(a)可知,负载获得的功率可表示为


通常把负载电阻等于电源内阻时的电路工作状态称为匹配状态。
高中都学过,此时功率最大
例题:



正弦稳态电路分析
正弦信号基本概念
考点:正弦量三要素。交流信号的瞬时值、有效值和最大值。
作业:正弦信号量为

,其最大值、有效值、频率、周期、角频率、初相是多少,其最大值相量和有效值相量怎么表示。
解:

作业:电阻元件、电容元件、电感元件上的电压、电流在相位上分别是什么关系。
答:
对于电阻元件,电压和电流是同相的,即它们的相位角相同。$$\phi_{U_R}=\phi_{I_R}$$
对于电容元件,电压落后电流90度,即电压的相位角比电流的相位角滞后90度。$$\phi_{U_C}=\phi_{I_C}-90^\circ$$
对于电感元件,电压领先电流90度,即电压的相位角比电流的相位角超前90度。$$\phi_{U_L}=\phi_{I_L}+90^\circ$$
作业:完成以下表格
名称 | 表达式 | 单位 | 含义 |
电阻 | R | 欧姆 | 导体对电流阻碍作用大小 |
电导 | G | 西门子 | 导体对传输电流能力强弱的程度 |
容抗 | Xl | 欧姆 | 电容器所带电荷对移动电荷的阻碍作用 |
容纳 | BL | 西门子 | 在给定点位差下的电荷储藏量 |
感抗 | XL | 欧姆 | 电感线圈对直流电流相互作用 |
感纳 | B | 西门子 | 电感对应电流 的导通能力 |
正弦量三要素
随时间按正弦规律变化的电压u(t)和电流i(t)分别称为正弦电压和正弦电流,统称为正弦量。
我们已经熟知的正弦量的表示方法有:
函数表达式法
f(t) = Fm cos(ωt+j)
波形图法。
函数表达式法
f(t) = Fm cos(ωt+j)
Fm——振幅;
ω——角频率;rad/s
f——频率;赫(Hz) ω=2pf
T——周期;秒(s) T=1/ f

由于已知振幅Fm,角频率ω和初相位j ,就能完全确定一个正弦量,称它们为正弦量的三要素。
正弦量的相量表示
考点:正弦量的符号。
下面先是补充知识,教你复数的一些知识,重点是最后的复数的极坐标形式
一、复数的表示形式
代数形式:

取复数A的实部和虚部用符号表示为:

2、三角形式:


3、指数形式:

4、极坐标形式:

复数加减就不用说了吧~乘除提一下:


相量


正弦稳态电路的相量模型
考点:电阻、电容、电感上的电压和电流的相位关系。



半导体器件基础
作业:
空穴和电子浓度相同的叫什么半导体
本征半导体
掺杂半导体有哪些类型,各自的多数载流子和少数载流子是什么
掺杂半导体主要分为两类:n型半导体和p型半导体。
n型半导体——添加少量的五价杂原子,如磷(P)、砷(As)等,
使得半导体中出现多余的电子,形成负电荷载流子,称为自由电子。
自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
p型半导体——添加少量的三价杂原子,如硼(B)、铝(Al)等
使得半导体中出现空穴缺陷,形成正电荷载流子,称为空穴
空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。
描述PN结特性曲线的四个区域
正向偏置区:
在正向偏置下,外加电压使得P区与N区之间的耗尽区变窄
载流子开始在PN结中流动,电流呈指数增长。
在此区域内,电流随电压变化非常敏感,而电压变化对PN结电阻的影响很小。
反向饱和区:
在PN结的反向电压下,载流子在耗尽区域中移动,电流非常微弱。
当反向电压超过某个临界电压(称为击穿电压),电流急剧增加并保持稳定
此时的PN结表现出类似于导体的特性,称为反向饱和区。
反向截止区:
在低于击穿电压的反向电压下,PN结的电流极小,接近于零。
此时,电流仅仅由少量的漂移电子或空穴组成,并且与电压几乎无关。
反向漏电区:
当反向电压越来越大,PN结会进入反向漏电区,
此时PN结的电流随着反向电压的增加而指数增长,但是PN结电流始终很小。
在此区域内,PN结的电阻非常大,因此很少有电流流过。
写出NPN型三极管的三个区、三个极和二个PN结的名称
NPN型三极管的三个区分别是:
电子注入区(Emitter):由高掺杂的n型材料构成,它是电子的主要注入区域。
基区(Base):由低掺杂的p型材料构成,它是控制三极管的电流的关键区域。
集电区(Collector):由中等掺杂的n型材料构成,它是电子漂移到达的区域。
NPN型三极管的三个极分别是:
发射极(Emitter):连接电子注入区,用于注入电子。
基极(Base):连接基区,用于控制电流。
集电极(Collector):连接集电区,用于收集电子。
NPN型三极管的两个PN结分别是:
发射结(Emitter junction):发射极与基区之间的结。
集电结(Collector junction):集电极与集电区之间的结。
晶体管的发射极和集电极能否互换使用?
如果将发射极和集电极互换使用,晶体管将无法工作,因为这样做会改变PN结的正反极性,从而影响晶体管的整个工作原理。
具体来说,如果将NPN型晶体管的发射极和集电极互换,将会使得P型基区被正向偏置,而N型集电区被反向偏置,这将导致晶体管不能够正常工作。
因此,为了确保晶体管的正常工作,发射极和集电极必须正确连接到电路中,并且不能互换使用。
半导体基础知识
考点:本征半导体、载流子、多子、少子、杂质半导体、N型/P型半导体
纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体
硅(Si)和锗(Ge)是两种最常用的本征半导体。

由于热运动价电子被激活,有些获得足够能量的价电子会征脱共价键成为自由电子
与此同时共价键中就流下一个空位,称为空穴。
这种现象称为本征激发。
能够运动的、可以参与导电的带电粒子称为载流子
本征半导体有两种载流子参与导电,
带负电的自由电子
带正电的空穴
1.N型半导体
在本征半导体硅(或锗,此处以硅为例)中掺入微量的5价元素磷(P),如图(a)所示。
这时的半导体中,自由电子数远超过空穴数,因此它是以电子导电为主的杂质型半导体。
因为电子带负电(negativeelectricity),所以称为N型半导体。
N型半导体中:
自由电子是多数载流子(简称多子),
空穴是少数载流子(简称少子)。杂质离子带正电。
2.P型半导体
在本征硅中掺入三价元素硼(B),如图(b)所示。
这时半导体中的空穴数远大于自由电子数,因此它是以空穴导电为主的杂质型半导体
因为空穴带正电(positiveelectricity),所以称为P型半导体。
P型半导体中:
空穴是多数载流子(多子)
自由电子是少数载流子(少子)。杂质离子带负电。

1.PN结的形成
将P型半导体和N型半导体制作在一起,在两种半导体的交界面就出现了电子和空穴的浓度差。
P区中的多子(即空穴)将向N区扩散
N区中的多子(即自由电子)将向P区扩散。
扩散运动的结果就使两种半导体交界面附近出现了不能移动的带电离子区
P区出现负离子区
N区出现正离子区
如图所示。这些带电离子形成了一个很薄的空间电荷区,产生了内电场。这个空间电荷区就是PN结。

考点:PN节概念、内电场、扩散、漂移、正偏、反偏
2.PN结的单向导电性
在PN结两端外加电压,称为给PN加上偏置。
当P区电位高于N区时称为正向偏置;
反之,当N区电位高于P区时称为反向偏置。
PN结最重要的特性就是单向导电性。
(1)PN结正向偏置。给PN结加正向偏置电压,如图(a)所示。
这时正向电流I较大,PN结在正向偏置时呈现较小电阻,PN结变为导通状态。
(2)PN结反向偏置。给PN结加反向偏置电压,如图(b)所示。
这时内电场增强
有利于少子的漂移而不利于多子的扩散。
由于电源的作用,少子的漂移形成了反向电流IS。但是,少子的浓度非常低,使得反向电流很小,一般为微安数量级。
所以可以认为PN结反向偏置时基本不导电。

半导体二极管
二极管伏安特性曲线几个区
1. 正向特性
当外加正向电压时,二极管内有正向电流通过。
正向电压较小,且小于Uon时,二极管的正向电流很小,此时二极管工作于死区,称Uon为死区的开启电压。
当正向电压超过Uon后,电流将随正向电压的增大按指数规律增大
二极管呈现出很小的电阻。
正向导通电压通常也称为二极管的正向钳位电压。

2.反向特性
当外加反向电压时,有利于漂移运动,二极管中由少子形成反向电流。
反向电压增大时,反向电流稍有增加,
当反向电压增大到一定程度时,反向电流将基本不变,即达到饱和
因而称该反向电流为反向饱和电流,用IS表示。
反向饱和电流越小,管子的单向导电性越好。
当反向电压增大到图中的UBR时,在外部强电场作用下,少子的数目会急剧增加,因而使得反向电流急剧增大。
这种现象称为反向击穿,电压UBR称为反向击穿电压。
前面已指出,半导体中的少子浓度受温度影响,因此二极管的伏安特性对温度很敏感。
当温度升高时,正向特性曲线向左平移,反向特性曲线向下平移,如图(b)所示。

(1)最大整流电流IF
指二极管长期运行时,允许通过管子的最大正向平均电流。
使用时,管子的平均电流不得超过此值,否则可能使二极管过热而损坏。
(2)最高反向工作电压UR。
工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值
否则二极管可能被击穿
为了留有余地,通常将击穿电压UBR的一半定为UR。
(3)反向电流IR。
在二极管两端加上规定的反向电压时,流过管子的反向电流。
通常希望IR值越小越好。
反向电流越小,说明二极管的单向导电性越好。
此时,由于反向电流是由少数载流子形成,所以IR受温度的影响很大。
(4)最高工作频率fM
当二极管在高频条件下工作时,将受到极间电容的影响。
fM主要决定于极间电容的大小。
极间电容越大,则二极管允许的最高工作频率越低
当工作频率超过fM时,二极管将失去单向导电性。
例:
1. 一般电路
二极管电路如图(a)和(b)所示,试判断两图中的二极管是导通还是截止?并求输出电压uo。设二极管为理想二极管。

解:图(a)中,将二极管断开,如图(c)所示。则断开处A、B间电压为UAB=-6+12= 6V>0,即A点电位高于B点,所以二极管正偏导通。又因为二极管可视为理想二极管,所以此时二极管等效为一根导线,输出电压uo =-6V。
图(b)所示电路中有两只二极管,同样先断开VD1和VD2,如图(d)所示,则VD1两端电压UAB = 6V,VD2两端电压UCD = −9 + 6 = −3V。因此VD1正偏导通,VD2反偏截止。在VD1导通的情况下(VD1处等效为一根导线),再断开VD2,此时VD2两端电压UCD = −9V,所以VD2反偏截止。可求得输出电压uo = 0V。
半导体三极管
作业:
NPN型三极管有哪三种工作状态,各工作状态下发射结和集电极的偏置状态分别是怎么样的
截止区:
当NPN型三极管的基极电压低于某一特定值时,三极管将处于截止状态
此时三极管的发射结与基极之间的PN结被正向偏置
集电结与基极之间的PN结被反向偏置
因此,在截止区,发射结和集电极之间几乎没有电流流动。
放大区:
当NPN型三极管的基极电压逐渐增加时,三极管将进入放大区
此时三极管的发射结与基极之间的PN结仍然是正向偏置
集电结与基极之间的PN结也是正向偏置
在这种情况下,三极管中的电流将得到放大,从而允许输出信号电压的增强。
饱和区:
当NPN型三极管的基极电压进一步增加时,三极管将进入饱和区
此时三极管的发射结与基极之间的PN结仍然是正向偏置
而集电结与基极之间的PN结也是正向偏置,但此时集电结区域已经饱和,因此无法进一步增加输出信号电压
在这种情况下,发射结和集电极之间的电流达到最大值,且基极电流也达到最大值。
总之,在截止区,发射结和集电极之间的电流几乎为零;在放大区,发射结和集电极之间的电流得到放大,但还没有达到最大值;在饱和区,发射结和集电极之间的电流已经达到最大值,而且无法再增加。
考点:NPN三极管构造、三极管的3个区、3个极、2个结、电流放大原理、三极管输出特性曲线的三个区域对应的PN结偏置状态
半导体三极管:
它具有电流放大作用,是构成各种电子电路的基本元件。

三极管的电流放大原理

三极管内部载流子的运动
上图所示电路中,电源电压VCC>VBB且各电阻取值合适时,能保证发射结正偏、集电结反偏,即保证三极管处于放大状态。
(1)发射区向基区注入电子,形成发射极电流IE。
(2)电子在基区的扩散和复合,形成基极电流IB。
(3)集电区收集电子,形成集电极电流IC 。
集电区的少子(空穴)将在结电场的作用下形成漂移电流,即反向饱和电流,称为ICBO。
ICBO数值很小,可以忽略不计,但由于它受温度影响大,将影响三极管的性能。
三极管的三个区
从输出特性曲线可以看出,三极管有三个不同的工作区域,截止区、放大区和饱和区。
(1)截止区
截止区指曲线上IB≤0的区域
此时,集电结和发射结均反偏,三极管为截止状态
IC很小,集电极与发射极之间相当于断开的开关。
(2)放大区
放大区内,对于NPN型三极管来说
满足UBE>0,UBC<0
对应的各电极电位关系为VC>VB>VE
(3)饱和区
饱和区内,DIC<βDIB
一般称UCE =UBE时三极管的工作状态为临界状态,即临界饱和或临界放大状态。
临界状态时的UCE称为临界饱和电压,记作UCES,一般小功率硅三极管的UCES<0.4V
此时c-e间相近似认为短路,相当于闭合的开关。

放大电路基础
作业:
放大电路的电压放大倍数和放大电路对信号源的电压放大倍数之间的关系是什么
放大电路的电压放大倍数是指输出电压与输入电压之比,通常用增益(Gain)表示,
即增益=输出电压/输入电压。
而放大电路对信号源的电压放大倍数是指输出电压与信号源电压之比,也可以用增益来表示,
即增益=输出电压/信号源电压。
这两个增益之间的关系是:
放大电路的电压放大倍数等于放大电路对信号源的电压放大倍数乘以负载电阻与放大电路输出阻抗之和。
具体来说,如果用Av表示放大电路的电压放大倍数,用Ai表示放大电路对信号源的电压放大倍数,用RL表示负载电阻,用Ro表示放大电路的输出阻抗,那么有以下公式:
Av = Ai x (RL / (Ro + RL))
这个公式说明了,为了实现较大的电压放大倍数,放大电路需要具有较高的输入电压放大倍数,同时需要匹配合适的输出负载电阻和输出阻抗。如果放大电路的输出阻抗很小,那么其对信号源的影响将会很小,这样可以实现较高的电压放大倍数;如果放大电路的输出阻抗很大,那么其对信号源的影响将会很大,这样会导致输出电压的损失,从而降低电压放大倍数。
放大的概念和放大网络
考点:电压放大电路二端口网络模型中的概念、输入输出电阻、电压放大倍数和对信号源电压放大倍数关系
二端口网络

信号源:交流电压源、向量表示电压和电流。
R_s:信号源内阻、R_i:输入电阻、R_o:输出电阻、R_L:负载电阻。
二端口,包括输入端口和输出端口。
输入端看过去,像一个等效电阻R_i,即输入电阻
输出端看过去,放大电路是一个有内阻的电压源,电压源内阻为输出电阻。
放大倍数
物理意义:放大倍数是衡量一个放大电路放大能力的指标。放大倍数越大,则放大电路的放大能力越强。
(1)电压放大倍数

(2)电流放大倍数

输入电阻
物理意义:输入电阻用于衡量一个放大电路向信号源索取信号大小的能力。输入电阻越大,表明放大电路从信号源索取的电流越小,放大电路所得到的输入电压Ui就越接近信号源电压US。所以说,为使放大电路从信号源索取到更大的电压信号,就要增大输入电阻。

输出电阻
物理意义:输出电阻是衡量一个放大电路带负载能力的指标,用Ro表示。输出电阻越小,则放大电路的带负载能力越强。

实际测试放大电路的输出电阻时,常用以下公式

基本共射放大电路分析
作业:
共射极放大电路中,输入电压信号源变大时,基极电流、基极发射极电压、集电极电流、集电极发射极电压怎么变。
答:
基极电流会增大。
由于基极-发射极间存在 PN 结,当输入电压增大时,将会使得基极-发射极间的正向偏置电压增大,从而使得 PN 结的正向偏置电流增大。因此,基极电流也会随之增大。
基极发射极电压会减小。
由于基极电流增大,会导致基极发射极间的压降增大,从而使得基极发射极电压减小。
集电极电流会增大。
由于基极电流增大,会导致三极管的放大倍数增大,从而使得集电极电流也随之增大。
集电极发射极电压会减小。
由于集电极电流增大,会导致集电极发射极间的压降增大,从而使得集电极发射极电压减小。
为什么共射极放大电路的相频特性中,在通频段的相位响应是-180度。
答:
共射极放大电路的输出信号是从集电极中取出的
而三极管的放大倍数是由基极电流变化引起的
当基极电流随着输入信号的变化而变化时,三极管的放大倍数也会发生相应的变化
由于放大倍数与输出信号的相位是相关联的,因此,当放大倍数发生变化时,输出信号的相位也会发生相应的变化
在共射极放大电路中,由于放大倍数与输入信号的相位之间存在180度的相位差,因此,输出信号的相位与输入信号相差180度。
考点:共射放大电路电压放大的原理
分析思路:为了便于分析,通常将直流和交流分开来讨论(仅是一种分析方法),也即所谓的放大电路的静态分析和动态分析。

放大电路分析框架、静态工作点分析、动态分析、分析内容
静态分析
1.直流通路
所谓直流通路,是指在直流电源VCC单独作用下直流电流流经的通路,也就是静态电流流经的通路,用于设计和分析静态工作点。

在直流通路中,电容阻止直流通过,相当于开路
信号源为零,即为短路,应保留其内阻
由于C1、C2的“隔直”作用,静态工作点与信号源内阻RS和负载电阻RL无关。
此时输入信号电压u_i=0,只有直流电源作用
直流通路简化电路模型。只有一个电源V_CC
Vcc通不过C1/C2,不需要考虑信号源内阻/负载。
2.画图法解静态工作点
当无输入信号,即ui=0时,放大电路处于静态或叫处于直流工作状态。
IBQ——基极电流
ICQ——集电极电流
uBEQ——基级发射极电压
uCEQ ——集电极发射极电压。
这4个量在三极管输入和输出特性曲线上所确定的点称为静态工作点,习惯上用Q表示。
“工作点”指的是输入、输出特性曲线上的点。
图解法分析静态工作点:根据实测特性曲线和电路约束,找到静态工作点。
外电路的回路方程为(KVL)


输入回路负载线为直线,约束u_BE和i_B的关系(KVL),取决于V_CC和R_B,输入特性曲线也约束了u_BE和i_B的关系。U_BEQ和I_BQ要同时满足二个约束。
输出回路负载线为直线,约束i_C和u_CE的关系(KVL),取决于V_CC和R_C,输出特性曲线也约束了i_C和u_CE的关系。i_C和u_CE要同时满足二者。
1)根据输入回路负载线和输入特性曲线的交点,得到对应的I_BQ和U_BEQ。
2)根据I_BQ确定输出特性曲线(多条输出特性曲线中的一条),根据输出回路的直流负载线方程和输出特性曲线交点,得到I_CQ和U_CEQ。
估算法解静态工作点

动态分析
1.交流通路
交流通路是指输入信号作用下交流信号流经的通路,也就是动态电流流经的通路。
容量大的电容(如耦合电容)视为短路
独立直流电压源短路;
独立恒流源开路。

2.画图法解放大倍数

放大倍数求解过程:
给定输入ui→ib→ic→uce(uo)产生输出。
画图确定放大倍数:uCE变化比上ui变化

1)输入:U_i变化->U_BE在U_BEQ周围变化->i_b变化(不沿着原来的输入负载线移动,或者说输入回路负载线此时实际在左右移动,因为加正/负ui后,根据输入回路KVL可知相同的VCC和R_B下,u_BE会增加/减小。)
2)输出:i_b变化->输出特性曲线上下移动->i_c变化->u_CE变化(沿着交流负载线变化,因为VCC和RC//RL没变,交流负载线给出了有负载时u_CE和i_C变化的关系)(输出特性曲线在变化,因为i_b在变化)。
交流负载线和直流负载线区别是多了R_L的影响,斜率不同,也经过原来的Q点,负载开路时,直流和交流负载线重合。
3)放大倍数=u_CE变化/u_i变化
以上为图解法求解电压放大倍数过程,前提是测量出了各条输出特性曲线,不准确,但可理解变化关系。
1.放大电路的静态
当放大电路的输入信号ui = 0时,电路中只有直流电源VCC作用,此时电路中的电压和电流只有直流成分,放大电路的这种状态称为静态。
静态工作点:当直流电源VCC、基极电阻Rb和集电极电阻Rc等主要元件参数确定后,电路中的直流电压和直流电流的数值便唯一地被确定下来。这个确定的静态电流和静态电压的数值将在三极管的特性曲线上唯一确定一个点,这个点称为放大电路的静态工作点,用Q(Quiescent)表示。
今后把静态工作点处的静态电流和静态电压表示为IBQ、UBEQ、ICQ和UCEQ。
2. 放大电路的动态
当放大电路加上交流信号ui后,信号电量叠加在原静态值上,此时电路中的电流、电压既有直流成分,也有交流成分。
为了分析方便,通常将直流和交流分开考虑,现只考虑交流的情况,此时电路中的电流、电压是纯交流信号,没有直流成分,电路的这种工作状态称为动态。
为了清楚地表示放大电路中的各电量,对其表示的符号进行如下规定。
(1)直流量:字母大写,下标大写。如IB、IC、UBE、UCE 。
(2)交流量:字母小写,下标小写。如ib、ic、ube、uce。
(3)交、直流叠加量:字母小写,下标大写。如iB、iC、uBE、uCE。
(4)交流量的有效值:字母大写,下标小写。如Ib、Ic、Ube、Uce 。
分析顺序:通常遵循“先静态,后动态”的原则。只有静态工作点合适,电路没有产生失真,动态分析才有意义。
直流通路与交流通路

静态分析
1. 近似估算法(公式法)求Q点

三极管导通时,UBEQ的变化很小,可视其为常数。一般认为:硅管UBEQ0.7V,锗管UBEQ 0.2V。
2. 用图解法计算Q点
用图解法确定静态工作点的方法如下:
(1)根据公式求出IBQ,并在三极管的输出特性曲线上找出对应IBQ的那条曲线。
(2)根据

画出与之对应的线段,该线段称为直流负载线。可见,直流负载线的斜率为−1/Rc。
(3)在输出曲线上找出直流负载线与IBQ那条曲线的交点,此交点就是需要确定的静态工作点Q,然后根据Q点找出ICQ和UCEQ的值。
例3-2 在下图所示单管共射放大电路中,已知Rb = 280kΩ,Rc =3kΩ,VCC = 12V,β =50,UBEQ =0.7V,三极管的输出特性曲线如图3-8所示。试用图解分析法确定静态工作点。

解:首先利用近似估算法估算出IBQ。

然后在输出特性曲线上画出直流负载线,如图所示。具体画法是,根据方程,求出直流负载线上两个特殊点为:当IC = 0时,UCE = 12V;当UCE = 0时,IC = 4 mA。连接以上两点,即为直流负载线。直流负载线与IB = 40μA的那条输出特性曲线的交点就是静态工作点Q。
找出Q点后,在图像上确定出该点的横纵坐标即可。横坐标UCEQ = 6V,纵坐标ICQ = 2mA。

动态分析
动态分析目的:放大电路动态分析的目的是求解放大电路的各项动态性能参数,如电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro。
动态分析可方法:采用图解法和微变等效电路分析法,此处重点介绍微变等效电路分析法。
微变等效电路法:由于三极管在放大区时,其电压电流近似呈线性,所以可以采用线性电路的分析方法来分析放大电路。这种分析方法得出的结果与实际测量结果基本一致,此方法称为微变等效电路分析法。



2.用微变等效电路法分析单管共射放大电路
用微变等效电路法分析放大电路时,首先需要画出交流通路的微变等效电路,在微变等效电路中对几个动态指标进行求解。
单管共射放大电路如下图(a)所示。根据以上分析可画出其微变等效电路如图(b)所示。



下图(a)所示是发射极接有电阻的单管共射放大电路,图(b)、图(c)分别是它的直流通路和交流微变等效电路。参照以上的分析方法,请读者自行对图(a)电路进行静态分析和动态分析。并与如图3-4(b)所示的单管共射电路比较,说明发射极电阻Re的接入对各项动态指标有何影响。

截止失真和饱和失真
饱和失真和截止失真:
为了不失真(或基本不失真)地放大信号,必须首先给放大电路设置合适的静态工作点,否则就会出现非线性失真。
若Q点太高,ui正半周幅值较大的部分将进入饱和区,此时,当iB增大时,iC不再随之增大,致使iC、uCE的波形发生失真,这种失真叫饱和失真。
若Q点太低,ui负半周幅值较小的部分将进入截止区,使iB、iC等于零,致使iB、iC、uCE的波形发生失真,这种失真叫截止失真。
饱和失真和截止失真统称为非线性失真。由此可知,只有放大电路设置合适的静态工作点,才能保证交流信号叠加在大小合适的直流量上,处于三极管的近似线性区(即放大区)。
静态工作点计算+微变等效电路动态分析方法例题
放大电路静态工作点的稳定
温度对静态工作点的影响

1. UBE 改变。UBE 的温度系数约为 –2mV/°C,即温度每升高1°C,UBE 约下降 2mV 。
2. b 改变。温度每升高1°C, b 值约增加0.5%~ 1 %, 3. ICEO 改变。温度每升高 10°C ,ICEQ 大致将增加一倍,说明ICEQ 将随温度按指数规律上升。
这些参数的变化最终都表现为使静态电流ICQ变化。

电路的稳定原理分析如下:

I1=I2+IBQ,通常情况下,IBQ «I2 ,有I1 ≈I2
三极管的基极电位UBQ是由VCC分压后得到,因此它不受温度变化的影响,基本是恒定的。
电路的静态工作点稳定的过程描述:
假如环境温度升高,则静态工作点电流增大,而ICQ的增大,从而使发射极
电位上升,这又使管参数UBE 减小,而UBE的减小就使三极管的基极电流IBQ
减小,IBQ对ICQ的控制作用又使ICQ成比例减小 。




(2)动态分析:

(3)当β=100时

与(1)的结果比较,说明该电路达到了稳定工作点的目的,稳定效果的取得是由于IBQ自动调节的结果。当β=50时,ICQ =1.62 mA 。当β=100时,根据三极管的性能,ICQ应增大,但Re的作用,使IBQ由32.3µA降到16.3µA,其结果使ICQ基本保持不变。
放大电路静态工作点的稳定
作业:
放大电路的分析方法有哪些,各自的分析内容是什么。
直接法:
根据放大电路的电路图,采用基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律,利用电路等效原理,推导出电路的各种参数,如电流、电压、功率、电阻等。
这种方法适用于简单的放大电路,分析结果准确可靠,但是对于复杂的放大电路,推导过程复杂,需要耗费大量的时间和精力。
叠加法:
将放大电路分解为多个部分,每个部分单独分析,再将各个部分的分析结果叠加在一起,得到整个电路的参数。
这种方法适用于放大电路的各个部分具有独立功能的情况,例如共基极、共射极和共集极等不同的放大电路,每个部分可以单独分析,再进行叠加计算,得到整个电路的放大倍数。
小信号模型法:
将放大电路中的非线性元件,如三极管,近似为一个线性元件,根据线性电路理论,建立电路的小信号模型,然后进行参数计算。
这种方法适用于放大电路的信号幅度很小,可以近似为线性的情况,例如共射极放大电路和共基极放大电路。
频率响应法:
根据放大电路的传输函数,分析电路的频率响应特性,包括通频带、截止频率、相位特性等。
这种方法适用于分析放大电路的频率响应,例如共射极放大电路和共基极放大电路。
图解法:
通过电路的图形、波形等直观表达,分析电路的特性。
例如,利用直流负载线和交流负载线相交点的位置,分析电路的静态工作点和交流工作点,从而得到电路的放大倍数。
考点:Q点稳定电路的分析,例6.2
温度对静态工作点的影响
所谓Q点稳定,是指ICQ和UCEQ在温度变化时基本不变,这是靠IBQ的变化得来的。

Q点稳定
指在环境温度变化时静态集电极电流ICQ和管压降UCEQ基本不变,Q点在三极管输出特性坐标平面中的位置基本不变。
常用方法:
引入直流负载反馈
温度补偿的方法
使IBQ在温度变化时产生与ICQ相反的变化
依靠IBQ的变化来抵消ICQ和UCEQ的变化。
温度身高,IBQ需要减少



放大电路的三种组态
作业:
微变等效电路中,三极管可以等效成什么
答:
在微变等效电路中,三极管可以等效成一对互补的跨导,即一个NPN型三极管和一个PNP型三极管组成的互补对。
这个互补对的跨导可以用一个差模放大器的基本模型来表示,这个模型由两个共射极放大电路组成,分别代表NPN型三极管和PNP型三极管。
其中,共射极放大电路的输入端连接,共射极的输出端通过负载电阻连接在一起,形成一个差模放大器的基本电路结构。
这个微变等效电路中,三极管的互补对的跨导可以表示为一个常数gm,它代表了输入信号和输出信号之间的关系,也就是输出电流与输入电压之间的比值。当输入信号变化时,输出电流也随之变化,这就是三极管的放大作用。通过这个微变等效电路,可以方便地分析和计算三极管放大电路的参数和特性,例如放大倍数、输入电阻、输出电阻等。
写出三极管放大电路的三种组态,及其特点
共射放大电路:
这种组态中,三极管的发射极连接到地,输入信号加在基极,输出信号从集电极取出。
这种组态的特点是电压增益高、输入电阻低、输出电阻高,
适合作为信号放大器使用。
共基放大电路:
这种组态中,三极管的基极连接到地,输入信号加在发射极,输出信号从集电极取出。
这种组态的特点是电压增益低、输入电阻低、输出电阻高,
适合作为电压跟随器或高频放大器使用。
共集放大电路:
这种组态中,三极管的集电极连接到电源,输入信号加在基极,输出信号从发射极取出。
这种组态的特点是电压增益低、输入电阻高、输出电阻低,
适合作为缓冲放大器使用。
考点:三种组态的特点
三极管单管放大电路有共发射极、共集电极和共基极三种基本接法,它们的特点归纳如下。


(1)共发射极电路
电压放大倍数和电流放大倍数均较大
输入电压与输出电压信号相反
输入电阻,输出电阻适中
频带较窄,一般作为低频多级放大电路的单元电路。
(2)共集电极电路
电压放大倍数小于1并接近于1,无电压放大能力
电流放大倍数较大,仍然可以放大功率
输入电阻最大、输出电阻最小的电路,并具有电压跟随的特点。
常用于多级放大电路中的输入级和输出级,或者作为实现阻抗变换的缓冲级,功率放大电路中也常采用射极输出的形式。
(3)共基极电路
电压放大倍数较大,且输入与输出电压信号同相
电流放大倍数略小于1,无电流放大能力,但是功率放大倍数适中。
该电路的输入电阻小,输出电阻适中
电压放大倍数、输出电阻与共射电路相当
三种接法中高频特性最好的电路。常作为宽频带放大电路和高频放大电路。
多级放大电路
作业:
多级放大电路由哪三级构成
输入级:输入级是多级放大电路中的第一级,
其主要作用是将输入信号转换为电流信号,并对信号进行一定程度的放大。
输入级的输出信号会被送入后续的放大级进行进一步放大处理。
中间级:中间级通常包含多个级别
用于进一步放大输入信号,并提高电路的整体增益。
中间级的主要作用是增强信号强度,并通过级联多个放大器的方式提高整个电路的增益和稳定性。
输出级:输出级是多级放大电路中的最后一级,
其主要作用是将经过多次放大的信号输出到负载中。
输出级需要具备较低的输出阻抗,以便输出信号能够顺利地传递到负载中,
同时还需要具有足够的功率来驱动负载。
总的来说,多级放大电路通过级联多个放大器的方式,将输入信号进行逐级放大,从而获得更高的电路增益,并将输出信号传递到负载中。在实际应用中,多级放大电路被广泛用于各种领域,如音频放大器、射频放大器、功率放大器等。
多级放大电路各级间有哪些耦合方式
直接耦合:
直接耦合是将两个级别的电路直接连接起来,通常通过电容或变压器等元件实现。
这种耦合方式具有简单、稳定、易于调节等特点,
但也可能带来DC漂移、低频响应差等问题。
电容耦合:
电容耦合是通过一个电容器将两个级别的电路连接在一起,实现信号的耦合。
这种耦合方式具有简单、灵活、响应平坦等优点,
但电容器会引入一定的相位移动和频率响应问题。
电感耦合:
电感耦合是通过一个互感器将两个级别的电路连接在一起,实现信号的耦合。
这种耦合方式通常用于高频放大器中,具有高品质因数、较好的高频响应等优点
但也可能存在互感器品质不佳、难以调节等问题。
变压器耦合:
变压器耦合是通过变压器将两个级别的电路连接在一起,实现信号的耦合。
这种耦合方式通常用于功率放大器中,具有能量传输高、隔离性好、抗干扰能力强等优点
但也可能存在成本高、尺寸大、重量重等问题。


考点:多级放大电路的组成、电压放大倍数和各级放大倍数关系、输入电阻、输出电阻
多级放大电路的耦合方式
定义:在多级放大电路中,级与级之间的连接方式称为耦合。
分类:多级放大电路的耦合方式有:阻容(电阻,电容)耦合、直接耦合、变压器耦合等。
1、阻容耦合

优点:”隔直流“”每一级工作点相互独立“
对交流信号而言,电容相当于短路,信号可以畅通流过
对直流信号而言,电容相当于开路,从而使前后两级的工作点相互独立,互不影响,给分析、设计和调试带来很大方便。
不足:”不能放大直流信号“”不便于集成化“
(1)因为作为耦合元件的电容对缓慢变化的信号容抗很大,不利于流畅传输。所以,它不能放大缓慢变化的信号,更不能反映直流成分的变化,而只能放大交流信号。
(2)耦合电容不易集成化。
2、直接耦合

优点:既能放大交流信号,也能放大直流信号;同时还便于集成化。
缺点:
(1)直接耦合前后级之间存在直流通路,造成各级静态工作点相互影响,分析、设计和调试比较烦琐。
(2)不能独立各级的零点漂移
3、变压器耦合

耦合原理:变压器耦合是指通过变压器将前级的输出端与后级的输入端或负载连接起来的方式。
优点:
(1)各级静态工作点相互独立。便于分析、设计和调试
(2)可以实现阻抗变换,在分立元件放大电路中的到广泛应用。
缺点:
(1)低频特性差,不能放大缓慢变化的信号
(2)笨重、不便于集成;

多级放大电路的放大倍数=各级放大倍数乘积。
多级放大电路的输入阻抗=第一级放大电路的输入阻抗
多级放大电路的输出阻抗=最后一级放大电路的输出阻抗
【补充例题】 下图所示为三级阻容耦合放大电路。已知:VCC = 15V,Rb1 =150 kΩ,Re1 = 20kΩ,Rb22 =100 kΩ,Rb21 = 15kΩ,Rc2 = 5 kΩ,R/e2 = 100Ω,Re2 =750 Ω,Rb32 =100 kΩ,Rb31 = 22kΩ,Rc3 = 3 kΩ,Re3 = 1 kΩ,RL = 1 kΩ,三个三极管的电流放大倍数均为β=50,UBEQ =0.7 V,均为200Ω。试求电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

解:在上图电路中,第一级是射极输出器,第二级和第三级是具有电流反馈的工作点稳定电路,均是阻容耦合,所以各级静态工作点均可单独计算。




集成运放及其应用
放大电路基础
作业:
集成运放电路由哪些部分组成
比较器:比较器是集成运放电路中的核心组件,其用于将输入信号与一个参考电压进行比较,并输出高电平或低电平的信号。
放大器:集成运放电路中的放大器用于放大输入信号,以便输出一个更大的信号,从而增强信号的强度或增益。
滤波器:滤波器用于从输入信号中滤除某些频率成分或频带,以便获得所需的频率响应或输出信号。
增益控制电路:集成运放电路中的增益控制电路用于调整输出信号的增益或放大倍数,以便适应不同的应用需求。
电源电路:电源电路用于为集成运放电路提供所需的电源电压和电流,以确保其正常工作。
反馈电路:反馈电路用于将输出信号的一部分反馈到输入端,以实现稳定的输出特性和更高的线性度。
为什么用差分放大电路做集成运放电路的输入级
差分放大电路由两个输入端和一个输出端组成,其中两个输入端分别接收输入信号和反向输入信号。差分放大电路可以将两个输入信号的差值放大,而抑制它们的公共模式信号,从而使得其在抵抗共模噪声、提高信噪比、提高输入阻抗等方面具有较好的性能。因此,差分放大电路通常被用作集成运放电路的输入级。
集成运放电路的输入级需要满足高输入阻抗、低噪声、高增益、广泛的输入电压范围和良好的共模抑制能力等要求。差分放大电路能够满足这些要求,具有以下优点:
高输入阻抗:差分放大电路可以在不消耗电流的情况下实现高输入阻抗,从而不会影响信号源的输出。
低噪声:差分放大电路可以通过合理的设计和优化降低噪声,从而提高信噪比。
高增益:差分放大电路具有高增益,可以放大微弱的信号,并将其转换为可以被后续电路处理的强信号。
广泛的输入电压范围:差分放大电路可以适应不同范围的输入信号,从而具有更广泛的应用范围。
良好的共模抑制能力:差分放大电路能够抑制共模信号,从而有效降低输入信号中的噪声和干扰。
集成运放电路工作在线性工作区的特点是什么
响应线性:在线性工作区,集成运放电路对输入信号的响应是线性的,即输出信号与输入信号之间存在一个线性的函数关系。这种线性响应特性使得集成运放电路可以准确地放大、处理和传输输入信号。
高增益:在线性工作区,集成运放电路具有高增益,可以放大微弱的输入信号,从而将其转换为可以被后续电路处理的强信号。
宽频带:在线性工作区,集成运放电路具有宽带宽,即其可以放大高频信号并且不会发生失真或变形。
低失真:在线性工作区,集成运放电路的失真程度很低,可以保持输入信号的形状和幅度,从而减少失真和畸变。
高稳定性:在线性工作区,集成运放电路的稳定性很高,即其输出信号不会随着时间和环境的变化而发生变化,从而保证输出信号的准确性和可靠性。
综上所述,集成运放电路在线性工作区的特点包括线性响应、高增益、宽频带、低失真和高稳定性等。这些特点使得集成运放电路在各种电路应用中得到广泛应用,如信号放大、滤波、比较、信号调理、直流偏置等等。


集成运放概述
集成运放基本组成
1. 集成电路的分类
(1)按制造工艺分类
按照集成电路的制造工艺不同可分为半导体集成电路(又分双极型集成电路和MOS集成电路),薄膜集成电路和混合集成电路;
(2)按功能分类
集成电路按其功能的不同,可分为数字集成电路,模拟集成电路和微波集成电路。模拟集成放大器——集成运算放大器(集成运放)。
(3)按集成规模分类
集成规模又称集成度,是指集成电路内所含元器件的个数。按集成度的大小,集成电路可分为小规模集成电路(SSI),内含元器件数小于100;中规模集成电路(MSI),内含元器件数为100~1000个;大规模集成电路(LSI),元器件数为1000~10000个;超大规模集成电路(VLSI),元器件数目在10000至100000之间。集成电路的集成化程度仍在不断地提高,目前,已经出现了内含上亿个元器件的集成电路。
2. 集成运算放大电路的分类
集成运放有四种分类方法。
(1)按用途分类
集成运放按其用途分为通用型和专用型两大类。
① 通用型集成运放
通用型集成运放的参数指标比较均衡全面,适用于一般的工程设计。一般认为,在没有特殊参数要求情况下工作的集成运放均可列为通用型。由于通用型应用范围宽、产量大,因而价格便宜。作为一般应用,首先考虑选择通用型。
② 专用型集成运放
这类集成运放是为满足某些特殊要求而设计的,其参数中往往有一项或几项非常突出,可分为:
低功耗或微功耗集成运放:电源电压在±15 V时,功耗小于6 mW或μW级。
高速集成运放。
带宽集成运放:一般增益带宽积应大于10MHz。
高精度集成运放:特点是高增益、高共模抑制比、低偏流低温漂、低噪声等。
高电压集成运放:正常输出电压Uo大于±22 V。
功率型集成运放。
高输入阻抗集成运放。
电流型集成运放。
跨导型集成运放。
程控型集成运放。
低噪声集成运放。
集成电压跟随器。
(2)按供电电源分类
① 双电源集成运放
绝大部分集成运放在设计中都是正、负对称的双电源供电,以保证运放的优良性能。
② 单电源集成运放
这类运放采用特殊设计,在单电源下能实现零输入、零输出。交流放大时,失真较小。
(3)按制作工艺分类
集成运放按制作工艺可分为三类,分别是:双极型集成运放、单极型集成运放和双极—单极兼容型集成运放。
(4)按级数分类
集成运放按级数可分为四类,分别是:单运放、双运放、三运放和四运放。
概念:共模输入、差模输入、零点漂移、开环、闭环、正反馈、负反馈
输入级——差分放大电路
差分放大电路(也称差动放大电路),其功能是放大两个输入信号之差。
选为输入级的缘由:由于集成运放的内部实质上是一个高放大倍数的多级直接耦合放大电路,因此必须解决零漂问题,电路才能实用。虽然集成电路中元器件参数分散性大,但是相邻元器件参数的对称性却比较好。差动放大电路就是利用这一特点,采用参数相同的三极管来进行补偿,从而有效地抑制零漂。在集成运放中多以差分放大电路作为输入级。
差分放大电路常见的形式有三种:基本形式、长尾式和恒流源式。



1、基本形式的差分放大电路
理想运放的特点
理想运放工作在线性区间的特点、虚断、虚短
具有负反馈的集成运放应用电路
反向比例运算电路、同向比例运算电路
例题
作业:




数字逻辑基础
数制和码制
二进制、十进制、八进制、十六进制相互转换
对十进制数进行编码(BCD码):1)8421码;2)余三码
逻辑代数及其运算
与、或、非、与非的逻辑表达式、逻辑电路符号、真值表。
多变量的与非运算。
逻辑代数的基本公式和规则
基本公式,重点掌握0-1律、互补律、分配律、反演律
规则:
1)带入规则含义;
2)反演规则,用反演规则对表达式化解;
3)对偶规则,可写出表达式的对偶表达式
逻辑函数的化简
方法1:逻辑代数化简,使用基本公式和规则,得到与非形式。
方法2:卡诺图化简。写出给定逻辑表达式的最小项形式(标准与或形式)。画出给定最小项的卡诺图。用卡诺圈进行化简。
组合逻辑电路
组合逻辑概述
组合逻辑电路的设计步骤,可根据功能设计一个组合逻辑电路。例9.2、作业题。
常用组合逻辑电路部件
掌握译码器74LS138的功能,理解其输出变量和输入变量的关系,写出各输出的逻辑表达式。用74LS138实现逻辑函数。例9.8。
竞争与冒险
理解竞争冒险的含义。
消除竞争冒险的方法。
触发器和时序逻辑电路
触发器
考点:触发器逻辑功能的描述方法。
时序逻辑电路简称时序电路,它的逻辑功能与组合电路有所不同,究其原因是因为时序电路的结构中包含具有记忆功能的基本逻辑单元——触发器(Flip-Flop),而组合电路中不包含触发器。
触发器的功能特点:
(1)有两个稳定状态——0状态和1状态,因此也称为双稳态触发器。它能存储1位二进制信息。
(2)如果外加输入信号为有效电平,触发器将发生状态转换,即从一种稳态翻转到另一种新的稳态。
为了便于描述,今后把触发器原来所处的稳态用Qn表示,称为现态;而将转换之后的新的稳态用Qn+1表示,称为次态。我们分析触发器的逻辑功能,主要就是分析当输入信号为某一种取值组合时,输出信号的次态Qn+1的值。
(3)当输入信号有效电平消失后,触发器能保持新的稳态。因此说触发器具有记忆功能,是存储信息的基本单元。
触发器的分类:触发器的种类较多,根据逻辑功能可划分为 RS触发器、D触发器、JK触发器、T触发器和T/触发器;根据触发方式的不同可划分为电平触发型和边沿触发型触发器;从结构上可划分为基本触发器、同步触发器、主从触发器和边沿触发器,其中,同步触发器、主从触发器、边沿触发器又统称为时钟触发器。
功能描述方法:在分析触发器逻辑功能时,常用的分析方法有:真值表、特性方程、状态转换图、工作波形图(时序图)。
考点:基本RS触发器的逻辑功能,输出Q随S和R的变化。
基本RS触发器:






综合以上对基本RS触发器逻辑功能的分析结果,下面分别用真值表、特性方程、状态转换图、工作波形图将其功能进行描述。
(1)真值表
通过前面的分析可以看出,触发器的次态Qn+1不仅与触发信号、有关,还与现态Qn有关,这正体现了触发器的记忆功能。因此,真值表中,自变量共有3个,、和Qn,函数是Qn+1。如表10-1(a)所列,(b)是简化真值表。表中“×”表示触发器输出状态不定。


基本RS触发器、D触发器、JK触发器特性方程。
(2)特性方程
根据基本RS触发器的真值表10-1(a),可以画出卡诺图,如图10-2所示。合并最小项得到基本RS触发器的特性方程为

(3)波形图
触发器的状态也可用工作波形图表示,下面通过一道例题说明波形图的画法。

解: 根据基本RS触发器的真值表,画出波形图如下:

同步D触发器
同步D触发器又称D锁存器,简称锁存器,其电路结构及逻辑符号如图4-15所示。它是在同步RS触发器的基础上,将G3门的输出反馈到G4门作为R输入信号,S输入端改为D而构成的。显然,在CP= 1期间,电路总有R≠S成立,从而克服了输入信号存在约束的问题。

逻辑功能分析及描述:
CP= 0时,门G3、G4被封锁,触发器保持原来状态。
CP= 1时,门G3、G4打开,此时,若D= 0,则G3门输出高电平,G4门输出低电平,触发器被置0;若D= 1,则G3门输出低电平,G4门输出高电平,触发器被置1。也就是说,D是什么状态,触发器就被置成什么状态。所以特性方程为:
Qn+1 = D (CP= 1期间有效)
其真值表如表10-3所列。可见,D触发器只有置0和置1两项功能。
如图10-10所示是在给定CP和D信号波形的基础上画出的如图10-9所示同步D触发器Q端的电压波形(设触发器初始状态为0态)。


同步D触发器特点小结:
优点:同步D触发器除具有同步RS触发器的优点外,还解决了输入信号存在约束的问题。
缺点:仍存在直接控制问题。即CP= 0时,触发器不接收输入信号,保持原态;但当CP= 1时,触发器接收输入信号,其输出状态仍然随输入信号变化而变化。为了从根本上解决电平直接控制问题,人们在同步触发器基础上设计出了主从出发器。
2. 主从JK触发器
在主从RS触发器的基础上,将Q和 分别反馈到G8、G7门的输入端,并将原输入信号R、S重新命名为J和K,就构成主从JK触发器。如图4-25(a)所示,图(b)所示为它的逻辑符号。
将主从JK与主从RS触发器的逻辑图进行比较可以看出,其触发信号的关系为:



(1)真值表
根据以上分析,可以得到主从JK触发器的真值表如表10-4所列。

(2)特性方程
该触发器的特性方程可由主从RS触发器的特性方程推导得到。

主从JK触发器的波形图如图10-13所示。

【例10-6】 如图10-19(a)所示各触发器,已知CP为如图(b)所示的连续脉冲,试画出Q1~Q4的波形。设各触发器初态为Q= 0。

解: 根据JK触发器的特性方程以及电路图,首先写出各触发器的特性方程,然后根据特性方程可直接画出Q端的波形。
由JK触发器的特性方程可得:

根据Q1~Q4的特性方程可直接画出其电压波形,如图(b)所示。
【例10-6】 逻辑电路如图10-20(a)所示,图(b)所示为CP及输入信号X的波形,试画出输出端Q1和Q2的波形。设触发器的初始状态为Q=0。
解: 根据JK触发器的特性方程可得:

可见,输出信号应为X与以及三个信号相异或的结果。于是,可得波形如图(c)所示。

电平触发方式和边沿触发方式的含义和符号。
时序逻辑电路
理解时序逻辑电路的结构图,找到其中的以下内容:输入信号、输出信号、
时序电路的特点
1. 功能特点
时序电路的输出不仅取决于该时刻的输入信号
并与电路的原来状态有关。
简而言之,时序电路具有“记忆性”。
时序电路之所以具有上述功能特点,归根到底是由于电路结构决定的。
2. 结构特点
时序电路由组合电路和存储电路组成。
存储电路是由具有记忆功能的触发器构成。
图10-24所示为时序电路的结构方框图
图中X为输入信号
CP为时钟脉冲
Y为输出信号
Q为存储电路的状态输出
W为存储电路的反馈信号
在实用的时序电路中,有时可能没有输入信号X,并且可能以存储电路的状态作为整个电路的输出。

考点:驱动信号、组合电路内部输出、电路状态、组合电路内部输入、触发器输出、触发器输入。
时序电路的功能描述方法
为了准确描述时序电路的逻辑功能,常采用逻辑方程、状态表、状态图、时序图等方法,几种方法各有特点,相互补充。在实际使用当中,可根据具体情况选用。
1. 逻辑方程
Y(tn)=F[X(tn),Qn]…时序电路的输出方程
W(tn)=F[X(tn),Qn]…存储电路的驱动方程(激励方程)
Qn+1 = F[W(tn)]= F[X(tn),Qn]…存储电路的状态方程
考点:解释输出方程、驱动方程、状态方程。
时序电路的一般分析方法
【分析目的】:根据已知的逻辑图,求出电路所实现的功能。其分析目的与组合电路一样。具体分析
【分析步骤】:
(1)根据已知逻辑图写方程,包括:存储电路的驱动方程(即触发器输入信号表达式)、时序电路的时钟方程(即触发器时钟信号表达式)以及时序电路的输出方程(即输出信号Y的表达式,没有输出信号时可不用写);
(2)将驱动方程代入触发器的特性方程,求出触发器的状态方程(状态方程实际上就是触发器次态Qn+1的方程);
同步时序逻辑电路的分析步骤。例10.1。
常用中规模时序逻辑电路
计数器的置零和置位是什么意思。同步/异步的置零/置位有什么区别。
74LS161的功能是什么。
分别采用清零和置位方法,用74LS161构成7进制计数器。讲义例题。