可控硅参数说明

光耦可控硅触发电路需要注意的几个要素：

1/        光耦的导通电流IF，计算R2。

2/        门极触发电压VGT，不能太高，R1/R3分压。

3/        门极触发电流IGT，不能太高，R1限流，R3分流。

4/        R1/R3的计算还要考虑负载阻抗。

5/        可控硅根据负载选择合适的缓冲电路。

电路如图所示，

图中ELM3052为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR并且起到隔离的作用，R1为触发限流电阻，R3为BCR门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机的I/O引脚输出负脉冲信号时U1导通，ELM3052导通，触发BCR导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感性交流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，上图中的C1、R4为RC阻容吸收电路。

                                                        ELM3052参数如下

查看参数表可知LED导通电流10mA，导通压降1.2V。那么导通段电阻为R2= （5-1.2）V/10ma。

输出电流最大为1a,R1电阻为220*1.414/1a≈311Ω。

可控硅参数说明及中英文对照表

VDRM	Repetitive peak off-state voltage	断态重复峰值电压	断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压bo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。UU
VRRM		反向重复峰值电压	在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
IT(RMS)	On-State RMS Current (full sine wave)	通态电流均方值	-	A
IGT	Triggering gate current	门极触发电流	为了使可控硅可靠触发，触发电流Igt选择25度时max值的α倍，α为门极触发电流—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选型时α取大于1.5倍即可。	mA
VTM	Peak Forward On-State Voltage	通态峰值电压	它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅	V
VGT	Triggering gate voltage	门极触发电压	—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~1.2倍即可。	V
VGD	Non-triggering gate voltage	门极不触发电压	-	V
IDRM	Maximum forward or reverse leakage current	断态重复峰值漏电流	为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。	mA
IRRM	Maximum reverse leakage current	反向重复峰值漏电流		mA
IH	Holding Current	维持电流	维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。	mA

R3阻值 = 可控硅导通的最低压降 / 光耦导通的电流，稍取大一些