功率场效应管的驱动

最新推荐文章于 2024-08-11 23:46:27 发布

luobinrobin

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文章标签：硬件工程

本文链接：https://blog.csdn.net/luobinrobin/article/details/140887603

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        功率场效应管与双级型晶体管不同,它是一个电压驱动型器件,因此可以有多种驱动形
式,通常最简单和最方便的方法是通过TTL集成电路、CMOS集成电路和专用集成电路艺片
的驱动。
1.TIL集成电路的驱动
MOSFET是电压型驱动器件,因此,小功率的TTL电路可以驱动一般的MOSFET。但是,普通的TTL集成电路的高电平输出最低是3.5V。而功率场效应管的开启电压是2~4V；用普通TTL直接駆动功率场效应管,驱动电压还是得低一些,所以采用集电板开路的OC门TTL集成电路来驱动。
        为了提高TTL驱动的输出电平,可以通过一个上拉电阻接到+5V电源上,不过,为了保证能有足够高的电平駆动MOSFET,并使它导通,实际中是把上拉电阻按到+10~+15V电源上。
        功率场效应管的输入电容在MOSFET导通和关断时要充电和故电。TTL集成电路的驱动要为此提供条件。吸人(充电)和拉出(放电)电流对MOSFET的开关速度影响很大,吸入和拉出的电流越
多,开关的速度就越快,图1-1给出了用TTL集成电路驱动功率场效应管的电路实例,其中上拉电阻决
定了MOSFET的吸入电流。

图 1-1 MOSFET的TIL驱动
有时,为了保证功率场效应管有更快的开关速度,在TTL与MOSFET之间加一级品体管,如图2-1(a)所示,晶体管可以加速功率场效应管的导通速度,并减小功耗。在播源板之间并联一只5.1~20kQ的电阻R2,以提高MOSFET的耐压、du/dr耐量和抗干扰能力,必要时还要并联两只反串的稳压管,图2-1(b)的晶体管接成互补式,它们可以提高功率场效应管的导通速度和关断速度。