晶闸管(可控硅)参数符号说明

晶闸管(可控硅)参数符号说明

以下参数符号说明的1～11符合1985年颁布的国家标准GB4940-85

1、断态及反向重复峰值电压VDRM和VRRM

控制极断路，在一定的温度下，允许重复加在管子上的正向电压为断态重复峰值电压，用VDRM表示。这个数值是不重复峰值电压VDSM的90％，而不重复峰值电压即为正向伏安特性曲线急剧弯曲点所决定的断态峰值电压。

反向重复峰值电压用VRRM表示，它也是在控制极开路条件下，规定一定的温度，允许重复加在管子上的反向电压，同样，VRRM为反向不重复峰值电压VRSM的90％。

“重复”是指重复率为每秒50次．持续时间不大于10ms。

VDRM和VRRM随温度的升高而降低，在测试条件中，将对温度作严格的规定。

生产厂把VDRM和VRRM中较小的一个数值作为管子的额定电压。

2、断态漏电流IDRM和反向漏电流IRRM

对应VDRM和VRRM的漏电流为断态漏电流和反向漏电流，分别用IDRM 和IRRM表示。这个数值用峰值表示。

3、额定通态电流IT

在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，在单相工频(即50Hz)正弦半波电路中，导通角为不小于170°，负载为电阻性，当结温稳定且不超过额定结温时，管子所允许的最大通态电流为额定通态电流。这个值用平均值和有效值分别表示。

4、通态电压VTM

在规定环境温度和标准散热条件下，管子在额定通态电流IT时所对应的阳极和阴极之间的电压为通态电压，即一般称为管压降。此值用峰值表示。

这是一个很重要的多数，晶闸管导通时的正向损耗主要由IT与VTM之积决定，希望VTM越小越好。

5、维持电流IH

在室温下，控制极开路，晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最小电流。也就是说，在室温下，在控制极回路通以幅度和宽度都足够大的脉冲电流，同时在阳极和阴极之间加上电压，使管子完全开通。然后去掉控制极触发信号，缓慢减小正向电流，管子突然关断前瞬间的电流即为维持电流。

6、控制极触发电流IGT和触发电压VGT

在室温条件下，晶闸管阳极和阴极间施加6v或12v的直流电压，使管子完全开通所必须的最小控制极直流电流为控制极触发电流IGT。普通晶间管的IGT 一般为数毫安至几百毫安；高灵敏晶闸管的IGT小至数微安。
对应控制极触发电流的控制极电压称为控制极触发电压VGT。

7、浪涌电流

在规定条件下，晶闸管通以额定电流，稳定后，在工频正弦波半周期间内管子能承受的最大过载电流。同时，紧接浪涌后的半周期间应能承受规定的反向电压。浪涌电流用峰值表示，是不重复的额定值；在管子的寿命期内，浪涌次数有一定的限制。

8、断态电压临界上升率(dv/dt)

在额定结温和控制极断路条件下，使管子从截止转人导通的最低电压上升率称为断态电压临界上升率，用dv/dt表示，希望这个数值愈大愈好。50-100A晶闸管的dv/dt≥25V/μs，200A以上管子的dv/dt≥50V/μs。

9、通态电流临界上升率(di/dt)

在规定条件下，管子在控制极开通时能承受而不导致损坏的通态电流的最大上升率称为通态电流临界上升率，用di/dt表示。管子在开通瞬间产生很大的功率损耗，而且这种损耗由于导通扩展速度有限，总是集中在控制极附近的阴极区域，如果管子的di/dt耐力不够，就容易引起过热点，导致控制权永久性破坏，对大电流的管子，这个问题更为突出。

10、控制极开通时间（tgt）

当控制极加上足够的触发信号后，晶闸管并不立即导通，而是要延迟一小段时间。这延迟的一小段时间称为开通时间tgt。具体规定是控制极触发脉冲前沿的10％到阳极电压下降至10％的时间为tgt。

11、电路换向关断时间（tq）

从通态电流降至零这一瞬间起到管子开始能承受规定的断态电压瞬间为止的时间间隔称为电路换向关断时间tq。

开通时间tgt和关断时间tq决定管子的工作频率，工作频率较高的电路要选用tq小的管子(tq小，tgt会更小)。这一参数是普通晶闸管和快速晶闸管的主要区别。关断时间tq的大小除了和管子内部结构有关以外，还与应用条件有很大关系，关断前晶闸管所通电流大小、温度、关断时所加反向电压大小，重加dv/dt，反向di/dt对关断时间tq的影响：温度、重加dv/dt、正向电流、重加电压、反向di/dt增加，则关断时间增大；反向电压增加，则关断时间减小。

以下内容供参考：

1、反向不重复峰值电压VRSM：控制极开路条件下，反向伏安特性曲线急剧弯曲点所决定的反向峰值电压；

2、正向转折电压VBO：晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极（G）开路的条件下，在其阳极（A）与阴极（K）之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。