保险丝熔断指示电路图

最新推荐文章于 2023-12-15 10:20:32 发布
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文章标签： 电路图 应用方案 典型应用电路图
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如图所示，保险丝烧断后，可以使图中2A电路迅速显示出来。原理是一旦保险丝烧毁，电压就会通过限流电阻R加在气管两端，使其起辉。如按图B装接，氖管能发出闪烁光，更加醒目。同样道理，如果氖管并接在灯开关上，那么在夜间走入屋内，氖管的亮光将会清楚地告诉人们开关的位置，从而带来很大的方便。保险丝熔断指示电路图：


luyu2015
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保护元件-详实的保险丝(熔断器)知识
让你爱上电路设计
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本文详细探讨了保险丝的设计与计算、选型过程，以及低压熔断器的选择性特点。介绍了保险丝的基本概念、构造和工作原理，包括保险丝熔断及分断时间、时间/电流特性曲线和环境温度修正系数等关键参数。深入解析了熔断积分 I²t 的含义及其测量与计算方法。设计举例与分析部分通过具体案例，展示了保险丝设计与选型的实际应用。
简单实用的熔断器监测电路
07-28
用作电路安全保护的熔断器（俗称保险丝）因价格低廉、使用简单、适用范围广的特点而被广泛采用。然而一旦有保险丝熔断你必须想办法找到并更换它们。
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作者：美团点评技术团队链接：https://zhuanlan.zhihu.com/p/23711137来源：知乎著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。在我们的工程实践中，偶尔会遇到一些服务由于网络连接超时，系统有异常或load过高出现暂时不可用等情况，导致对这些服务的调用失败，可能需要一段时间才能修复，这种对请求的阻塞可能会占用宝贵的系统资源，如：内存，线程，数据库连...
电路设计_自恢复保险丝参数说明
快乐梦想家
09-10 795
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嵌入式Linux
12-12 1949
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微型自恢复保险丝   自恢复保险丝是由高科技聚合树脂及纳米导电晶粒经特殊工艺加工制成，正常情况下，纳米导电晶体随树脂基链接形成链状导电通路，保险丝正常工作；当电路发生短路或者过载时，流经保险丝的大电流使其集温升高，当达到居里温度时，其态密度迅速减小，相变增大，内部的导电链路呈雪崩态变或断裂，保险丝呈阶跃式迁到高阻态，电流被迅速夹断，从而对电路进行快速，准确的限制和保护，其微小的电流使保
基于STM32的数控线性稳压电源设计：恒压恒流输出与过流保护
05-08
内容概要：本文详细介绍了一种基于STM32单片机的数控线性稳压电源设计方案。该电源采用220V市电输入，经过工频变压器降压、全桥整流及电容滤波，最终输出稳定的直流电压。设计中采用了线性稳压调整器方案，通过STM32单片机控制TLC5615数模转换器，实现了电压的数控调整。系统具备恒压恒流输出、过流保护、温度监测等功能，并配有LCD1602显示屏和声光报警装置。所有设计资料（源程序、原理图、PCB）均经过验证，具有较高的学习和设计参考价值。 适合人群：电子工程专业学生、嵌入式系统开发者、硬件工程师。 使用场景及目标：适用于实验室、工业自动化等领域，需要稳定电源供应的场合。目标是帮助读者理解和掌握基于STM32的数控线性稳压电源设计方法，提高电源系统的可靠性和安全性。 其他说明：文中提供的设计资料详尽完整，有助于读者深入理解每个环节的工作原理和技术细节。
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【电子设计竞赛】基于FPGA和电阻应变片的简易电子秤设计：称重与功能实现详解
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灭火器识别数据集，识别率99.5%，分别率640x640，127张训练图，支持yolov7格式的标注框
05-08
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介绍一下电子保险丝
03-18
<think>好的，用户之前询问了关于Buck电路增加防短路和防反接保护的问题，我给出了两个方案，其中电子保险丝是其中一个建议。现在用户进一步询问“介绍一下电子保险丝”，需要详细解释这个概念。 首先，用户可能对电子保险丝不太了解，需要从基础开始介绍。用户可能是一位电子爱好者或者工程师，正在设计电源电路，需要可靠的保护方案。用户之前选择了低成本和高效率的方案，现在想深入了解电子保险丝的原理和实现。 用户的需求可能包括了解电子保险丝的工作原理、与传统保险丝的区别、设计要点以及应用场景。需要结构清晰的回答，分点说明，可能还需要举例和参数说明，以帮助用户实际应用。 我需要确保回答覆盖定义、工作原理、关键组成部分、设计步骤、优缺点比较和应用场景。同时，考虑到用户之前提到的是5V输出，可能需要举例时使用相关参数，比如5V系统中的过流保护。 要注意使用中文，避免技术术语过于晦涩，同时保持专业性。可能需要用简单的电路图说明，但用户可能只需要文字描述。还要检查是否有之前未提到的点，比如自恢复功能或触发后的复位方法。 用户可能还想知道如何选择元件，比如比较器、MOSFET和检测电阻的参数计算，因此需要包含计算公式和选型建议。此外，实际应用中的注意事项，如散热、布局和测试方法，也是用户关心的点。 最后，总结电子保险丝的适用场景，帮助用户判断是否适合他们的项目。可能需要对比之前提到的PPTC，强调电子保险丝的优势，如快速响应和可复位性，同时提到成本较高的缺点。</think>### **电子保险丝（eFuse）详解** 电子保险丝（**eFuse**）是一种基于半导体器件的过流/短路保护方案，通过实时检测电流并快速切断电路，替代传统熔断式保险丝。其核心特点是**可复位、响应快、可控性强**，广泛应用于精密电源、电池管理和工业设备中。 --- ### **一、工作原理** 电子保险丝通过**“检测→判断→切断”**三步实现保护： 1. **电流检测**：使用低阻值电阻（如$R_{\text{sense}}=0.1\Omega$）串联在电路中，检测电流$I_{\text{load}}$产生的压降$V_{\text{sense}}=I_{\text{load}} \times R_{\text{sense}}$。 2. **阈值比较**：比较器（如LM393）将$V_{\text{sense}}$与预设阈值$V_{\text{ref}}$对比。若$V_{\text{sense}} > V_{\text{ref}}$，触发保护。 3. **快速关断**：通过MOSFET（如NMOS AO3400）切断电路，响应时间可达**微秒级**。 --- ### **二、核心组成部分** | 模块 | 功能说明 | 典型元件/参数 | |---------------|------------------------------------------------------------------------|----------------------------------| | **检测电阻** | 将电流转换为电压信号（需低阻值、高功率） | $R_{\text{sense}}=0.05\Omega$~$0.2\Omega$，功率≥1W | | **比较器** | 判断是否过流，需低失调电压和快速响应 | LM393、TLV1701（响应时间<1μs） | | **MOSFET** | 执行电路通断，要求低导通电阻（$R_{\text{DS(on)}}$）和高耐压 | AO3400（$R_{\text{DS(on)}}=0.05\Omega$，30V/5.8A） | | **延时/锁存** | 可选模块，防止误触发（如加入RC延时电路或锁存器） | RC时间常数：$10μs$~$1ms$ | --- ### **三、设计步骤（以5V/3A系统为例）** 1. **设定保护阈值** 若需在$I_{\text{limit}}=3A$时触发： $$R_{\text{sense}} = \frac{V_{\text{ref}}}{I_{\text{limit}}}$$ 假设比较器阈值$V_{\text{ref}}=0.3V$（由电阻分压或基准源设定），则： $$R_{\text{sense}}=0.3V / 3A = 0.1\Omega$$ 选型：$0.1\Omega$/1W金属膜电阻。 2. **选择MOSFET** - 耐压需高于系统电压（如5V系统选30V MOS）。 - 导通损耗计算：$P_{\text{loss}}=I^2 \times R_{\text{DS(on)}}=3^2 \times 0.05=0.45W$，需考虑散热。 3. **比较器配置** - 同相端接$V_{\text{sense}}$，反相端接$V_{\text{ref}}$。 - 输出端通过三极管或逻辑电路控制MOSFET栅极。 --- ### **四、与传统保险丝对比** | 特性 | 电子保险丝 | 传统熔断式保险丝 | |--------------------|-----------------------------------|--------------------------| | **响应速度** | 微秒级（如10μs） | 毫秒~秒级 | | **复位方式** | 自动（延时后）或手动断电复位 | 需更换新保险丝 | | **精度** | ±5%以内（可调） | ±20%以上 | | **成本** | 较高（约$0.5~2美元） | 极低（约$0.01美元） | --- ### **五、典型应用场景** 1. **USB端口保护**：防止设备短路损坏电脑接口（如USB 5V/2.4A）。 2. **锂电池保护板**：避免过充/过放引发危险。 3. **工业设备**：保护电机驱动电路免受过流冲击。 --- ### **六、进阶优化方案** 1. **自适应阈值**：使用数字电位器（如MCP41xxx）动态调整$V_{\text{ref}}$。 2. **状态指示**：加入LED指示过流事件（如触发后亮红灯）。 3. **软启动**：通过MOSFET栅极电容控制导通斜率，抑制浪涌电流。 --- ### **七、注意事项** 1. **检测电阻布局**：需采用开尔文连接（Kelvin Sense）减少误差。 2. **散热设计**：MOSFET和检测电阻需远离热敏感元件。 3. **抗干扰**：在比较器输入端并联小电容（如100nF）滤除噪声。 若需具体电路图或元件选型列表，可进一步提供！
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