一道图像传感器设计工程师面试题

载自：一道图像传感器设计工程师面试题 - Analog/RF IC 设计讨论 - EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) -

下面是一道我在面试中经常用于区别新手（1~3年），熟手（5年左右），专家级（>10年）图像传感器设计师的面试题
现在提供出来供大家讨论吧（我不会提供答案）

如下图所示是一个CMOS图像传感器的典型QE曲线（我网上找的某公司的图），现有如下问题：(问题难度逐渐加大）
1. 为何CIS的QE曲线峰值通常在550nm波长的附近？
2. 为何CIS的QE曲线在偏红（~700nm）或者偏蓝(~400nm)的区域都会下降？
3. 在红光及NIR区域，QE曲线可能会发生很多抖动，这是为啥？
4. QE曲线在UV区域，为何在大约360nm处会有偏折？
5. 在波长>250nm时，为何最低点在大约280nm处？
6. 为何在大约230~240nm处会突然出现一个尖峰？
7. QE在峰值附近的区域的波长范围很窄(>500nm而<600nm) ，有什么办法能增加这个波长范围吗？
8. 如果我想提高UV(<400nm)区域的QE，有哪些解决办法？而这样做了，会牺牲CIS其他什么性能吗？
9. 如果我想提高NIR(>700nm)区域的QE，有哪些解决办法？而这样做了，会牺牲CIS其他什么性能吗？

1~3: 新手
1~6：熟手
1~9：专家
当然并不是说只有专家才能回答出所有问题，新手只要有些经验，再有思考够深入的话，也是能答出来的
当然我也见过5年以上工作经验的工程师只能准确答出来第一问的。。。

1. 为何CIS的QE曲线峰值通常在550nm波长的附近？
人眼对550nm波长附近的光最敏感，需要将QE曲线峰值设计在550nm波长附近，抗反射涂层的带宽通常会调整到这个波长附近。
Yes！
如果想把peak点移到400nm或700nm，该做些什么？
2. 为何CIS的QE曲线在偏红（~700nm）或者偏蓝(~400nm)的区域都会下降？
抗反射涂层的带宽影响了蓝光和红光的QE；为减小暗电流，通常在硅表面进行外延，外延层厚度有限，波长高于600nm的光由于吸收长度大，无法在有限厚度的外延层中被吸收，造成偏红区域QE下降；波长小于400nm时，吸收长度较小，光子在靠近表面处被吸收，表面又存在很多表面态、缺陷等，这些会和光子产生的电子进行复合，电子并没有进入PPD，所以QE曲线在偏蓝区域下降。
Yes！

3. 在红光及NIR区域，QE曲线可能会发生很多抖动，这是为啥？
这种fringe是由于这段波长的光在镜头、color filter、金属层、衬底等（BSI为镜头、color filter、衬底）多个面之间来回反射，引起整体反射率的变化，使得QE出现抖动。
主要是由于多层的反射造成的，但不是镜头，color filter这些造成的
这个是sensor本身的QE，不会考虑镜头；另外这是mono的QE，不会有color filter的问题

4. QE曲线在UV区域，为何在大约360nm处会有偏折？
360nm左右的光吸收长度较小，光子在靠近表面处被吸收，表面又存在很多表面态、缺陷等，这些会和光子产生的电子进行复合，电子并没有进入PPD，所以QE曲线在360nm处有偏折。
是的，这是其中一个重要的原因。但其实不是主因

还有一个原因
另外一个更深入的问题，为啥是360nm这个点? 物理上的本质原因是啥？
5. 在波长>250nm时，为何最低点在大约280nm处？
在280nm-360nm之间，随波长减小，吸收长度呈减小趋势，在小于280nm时，吸收长度增加，因此在吸收长度最小的280nm处附近，光子被表面吸收的最多，QE最低。
这个问题其实和4很像。同样，你说对了一半。
另外，为啥硅在280nm时，吸收长度是最小的？物理上的本质原因？
6. 为何在大约230~240nm处会突然出现一个尖峰？
小于230nm波段的光子能量高，穿透能力强，被吸收的概率减小，因此随波长减小QE减小，大于240nm小于280nm波段的光随波长减小，吸收长度增加，不与表面态复合，QE增加，因此在230-240nm处出现尖峰。
嗯嗯，说对了1/3的原因，算是主因之一，另外还有一个主因，和一个次因
7. QE在峰值附近的区域的波长范围很窄(>500nm而<600nm) ，有什么办法能增加这个波长范围吗？
扩展抗反射涂层的带宽。
是这样的。
但是具体怎么做能够增加这个带宽呢？ 另外，怎加了带宽，有可能会牺牲些什么？
如果要求QE始终>85%，带宽最大能做到什么程度？(这个问题非常难，具体数值不重要，重要的是理解上限和下限的bottleneck都在哪，怎么解决）
8. 如果我想提高UV(<400nm)区域的QE，有哪些解决办法？而这样做了，会牺牲CIS其他什么性能吗？
做表面钝化处理，减小表面态复合的概率；加了钝化层后，光子会在更深处被吸收，如果在耗尽层被吸收，产生的电子可能被临近像素吸收，降低MTF；电子也可能会被丢掉，导致QE降低；电子也可能进入FD，恶化PLS。
算是挨到边了，但其实还是不太对，没有解决主要矛盾。另外，UV这块儿PLS不太会出问题。
9. 如果我想提高NIR(>700nm)区域的QE，有哪些解决办法？而这样做了，会牺牲CIS其他什么性能吗？
增加外延层厚度，增加对红光的吸收；由于红光在更深处被吸收，电子可能被相邻像素吸收，引起crosstalk，降低MTF；电子也可能进入FD，恶化PLS。
增加厚度算是一个办法，那还有其他办法吗？
增加厚度确实会引起MTF下降，怎么解决呢？
PLS怎么解决呢？注意，给出的QE是BSI sensor的