底电流

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测试步骤
1.为了与QTI参考数据进行适当的比较，硬件配置也必须可以进行比较。
因此必须量化所有传感器或外部器件的电流消耗量。
量化以下终端的电流消耗量，必须计入已知增量：
传感器和其他第三方元器件
在终端中使用的不同于QTI参考数据的DDR大小
2.根据QTI标准功耗测量程序获得最终功耗测量数据。
将获得的数据与QTI参考功耗数据相比较，需要将第一步中量化的已知增量考虑在内，判断功耗是否过高。
若用户终端测量数据减去已知增量大于QTI参考数据，转到第三步。
3捕抓电池电量电流波形，检查导致功耗过高的原因
若是由于基电流过高，转到第4步
若是由于异常唤醒的出现，转到第7步
4.针对较高基电流的调试，验证终端是否进入VDD最小化模式。
若终端未处于VDD最小化模式，转到第5步
若终端处于VDD最小化模式，转到第6步
5.检查子系统状态以确定是哪一项阻止了终端进入VDD最小化模式，并且进一步调试该子系统。
6.提交用例以获取以下信息：
检查被测终端的VDD_CORE、VDD_MEM保持电压的程序 -----------------？
PMIC转储GPIO参考日志，从电流消耗达到特定芯片组目标的参考终端中获取的调试日志，以用于比较-----------------？
捕抓被测终端的PMIC转储并且将其与QTI参考PMIC日志相比较（？），以确定是否已经打开了任何未使用的SMPS和LDO，如果是，关闭所有未使用的SMPS和LDO
捕抓GPIO转储并且与QTI参考GPIO日志相比较，以确定GPIO配置是否与预期相同。对于使用与QTI参考设计不同的GPIO，睡眠配置必须遵循定制设计。
捕抓轨面电压（？）和电流数据并且与QTI参考细分数据相比较，以确定导轨（？）消耗的电流是否过高并进行进一步调试。
7.对于异常唤醒的调试，通过监控子系统导轨（？）并且检查子系统特定日志，如Modem NPA日志、RPM NPA日志，或者应用处理器子系统（APSS），确定导致这些唤醒的是哪个子系统。
8.1~7步都执行完毕后，若功耗仍大于预期值，向QTI提交用例以获取进一步调试帮助。

底电流调试
1.分析底电流波形
波形分析对功耗调试至关重要，能够提供问题的本质和正确的调试方向的信息。
底电流波形可以分为以下几个部分：
基底电流
唤醒，例如电量计唤醒和PMIC看门狗唤醒
下图是捕抓自MSM8994芯片组的底电流用例波形的快照：

从在被测端上捕抓的底电流波形可以与QTI参考波形相比较，从而确定基底电流是否较高/是否出现异常唤醒。

2.验证XO关闭和VDD最小化
使用以下任一种方法验证系统是否进入XO关闭和VDD最小化状态：
RPM上的T32断点
针对XO关闭------------函数为xo_shutdown_enter()然后mpm_sw_done()
针对VDD最小化-------函数为vdd_min_enter()然后mpm_sw_done()
XO关闭和VDD最小化计数的adb shell命令
a. 输入以下命令获取RPM数据：
mount -t debugfs none /sys/kernel/debug
cat /sys/kernel/debug/rpm_stats
以下内容是以上命令的输出；计数代表XO关闭和VDD最小化出现的数量。
RPM Mode:xosd
count:0
time in last mode(msec):0
time since last mode(sec):791
actual last sleep(msec):0
client votes: 0x00020001
RPM Mode:Vdd Min
count:28
time in last mode(msec):8000
time since last mode(sec):475
actual last sleep(msec):233000
client votes: 0x00000000
b.或者检查以下RPM RAM转储的变量，以确定XO关闭和VDD最小化的计数
？
– sl