使用单片机非AD方式实现温度测测量

最新推荐文章于 2023-04-19 15:12:35 发布

天使画笔

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分类专栏： STM32 文章标签：单片机 PT100

原文链接：https://blog.csdn.net/weixin_43940932/article/details/84783036?utm_medium=distribute.pc_relevant.none-task-blog-BlogCommendFromMachineLearnPai2-4.control&depth_1-utm_source=distribute.pc_relevant.none-task-blog-BlogCommendFromMachineLearnPai2-4.control

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最近在一个新的开发项目中，因一个需要一个简小的外联功能模块，考虑到体积尺寸和单一的功能需求，故而思琢采用性价比较高的STC51单片机。项目需求中需要用到温度测量，但是后来发现，自身未带AD口，无奈，遂想到之前在图书馆借阅的老外著作的《模拟电路》中有讲解到使用GPIO+TIMER+RC实现温度测量的原理步骤，当时觉得就蛮新奇的，在此之前也听闻过网友使用此法实现了温度测量，效果说也不错，于是就决定尝试使用该方法。

https://blog.csdn.net/weixin_43940932/article/details/84783036?utm_medium=distribute.pc_relevant.none-task-blog-BlogCommendFromMachineLearnPai2-4.control&depth_1-utm_source=distribute.pc_relevant.none-task-blog-BlogCommendFromMachineLearnPai2-4.control

原理如下：
已知电容充电放电时间计算公式：
设，V0 为电容上的初始电压值；
Vu 为电容充满终止电压值；
Vt 为任意时刻t，电容上的电压值。
则，
Vt=V0+（Vu-V0）* [1-exp(-t/RC)] -----1
如果，电压为E的电池通过电阻R向初值为0的电容C充电
V0=0，充电极限Vu=E，
故，任意时刻t，电容上的电压为：
Vt=E*[1-exp(-t/RC)] -----2
t=RCLn[E/(E-Vt)] -----3
如果已知某时刻电容上的电压Vt，根据常数可以计算出时间t。

分别计算两路的充电时间Tntc;Tref;
据公式3有：Rntc=Rref*(Tntc/Tref)

然后根据手册查表即可得到当前温度。

可能当时记漏啦，后来PCB样板回来后，发现我画的原理，使用的是两个GPIO口，如图1，
在这里插入图片描述
但是后来翻看那本书，上面使用的是三个GPIO口，如图2。

为了保证先实现，遂在PCB上找一个空GPIO引脚飞一下。按照书上的步骤，最后总算实现了对环境温度的测量，无论是精度，稳定度，效果还是不错的。

在实现完这个之后，我就想了想，应该是可以用两个GPIO口实现温度测量，因为我那个漏掉的GPIO口，按书上逻辑是直接用来给电容C直接充放电通道的。
但是实际应该也可以使用上面两个自身的GPIO口就可以进行充放电动作。故而我更改了一下思路步骤，嘿嘿，最后还真实现啦，效果跟三线制一样的效果。

当然该方法可以在AD资源匮乏的情况下使用，如有AD建议使用AD采集方式更为可靠。

具体实现代码，可参阅如下：
两线制法

//-----two wire
#define Rntc_CAP_DISCHARGE() {P34_PP_MODE();GP1=0;Delay1ms(5);} //GP1 //use for charging and discharging port//the capitor discharge equel to zero;
#define Rntc_CAP_CHARGE() {P34_PP_MODE();GP1=1;}

#define Rref_CAP_DISCHARGE() {P35_PP_MODE();GP2=0;Delay1ms(5);}
#define Rref_CAP_CHARGE() {P35_PP_MODE();GP2=1;}

void two_element_charge_action()
{
       ntc_charge_over_flag=0;//NTC路充电完成标志置初值0
   ntc_charge_t=0;//NTC路充电时间置初值0
   P35_HZ_MODE();//GPIO设置为高阻抗模式
       Rntc_CAP_DISCHARGE();//NTC路电容放完电
   Rntc_CAP_CHARGE();//对电容充电
   while(0==GP2)//开启计时并检测GPIO电平的翻转
       {
           T0_ON();
       }
   T0_OFF();   //关闭计时
ntc_charge_over_flag=1;//充电完成标志置位
/
       ref_charge_over_flag=0;//REF路充电完成标志置初值0
       ref_charge_t=0;//REF路充电时间置初值0
       P34_HZ_MODE();//GPIO设置为高阻抗模式
       Rref_CAP_DISCHARGE();//REF路电容放完电
   Rref_CAP_CHARGE();//对电容充电
   while(0==GP1)//开启计时并检测GPIO电平的翻转
       {
           T0_ON();
       }
   T0_OFF();   //关闭计时
       ref_charge_over_flag=1;       //充电完成标志置位
}

三线制法

//-----three wire
#define CAP_INIT_CLEAR() {P12_PP_MODE();GP0=0;Delay1ms(1);}//set the GPIO mode as PP;//as discharge channal of the capitor
#define NTC_TO_CAP_CHARGE() {P34_PP_MODE();GP1=1;}//the capitor start to charge
#define REF_TO_CAP_CHARGE() {P35_PP_MODE();GP2=1;}
void three_element_charge_action(void)//
{
       ntc_charge_over_flag=0;//NTC路充电完成标志置初值0
   ntc_charge_t=0;//NTC路充电时间置初值0
       P34_HZ_MODE();//GPIO设置为高阻抗模式
   P35_HZ_MODE();//GPIO设置为高阻抗模式
   CAP_INIT_CLEAR() ;//电容先放完电
       P12_HZ_MODE();//GPIO设置为高阻抗模式
   NTC_TO_CAP_CHARGE();//对电容充电
       while(0==GP0)//开启计时并检测GPIO电平的翻转
       {
           T0_ON();
       }
       T0_OFF();   //关闭计时
       ntc_charge_over_flag=1;//充电完成标志置位
ntc resistor test over!
       ref_charge_over_flag=0;//对比路充电完成标志置初值0
       ref_charge_t=0;//对比路充电时间置初值0
       P35_HZ_MODE();//GPIO设置为高阻抗模式
       P34_HZ_MODE();//GPIO设置为高阻抗模式
CAP_INIT_CLEAR() ;//电容先放完电
       P12_HZ_MODE();//GPIO设置为高阻抗模式
       REF_TO_CAP_CHARGE();//对电容充电
       while(0==GP0)//开启计时并检测GPIO电平的翻转
       {
           T0_ON();
       }
       T0_OFF();   //关闭计时
       ref_charge_over_flag=1;       //充电完成标志置位
       P35_HZ_MODE();//GPIO设置为高阻抗模式
//ref resistor test over!
}

主函数

void main(void)
{
    EA=0;
    P37_PP_MODE();
    P36_PP_MODE();
    timer0_Init();
    timer1_Init();
    EA = 1;
    while(1)
    {
        two_element_charge_action();
//        three_element_charge_action();
        
    }

}

定时时基配置

//
// t_base=(2^16-X)/f0/12(us)
//set:f0=12MHz
//x=65535 t_base=1us;
#define T0_ON() {TR0 = 1;ET0 =1;}
#define T0_OFF() {TR0 = 0;ET0 =0;}
void timer0_Init(void) //use for charge timer
{
TMOD |= 0x00; //模式0
TL0 = 0xff;
TH0 = 0xff;
T0_OFF();
}
//
// t_base=(2^16-X)/f0/12(us)
//set:f0=12MHz
//x=65535 t_base=1ms;
#define T1_ON() {TR1 = 1;ET1 =1;}
#define T1_OFF() {TR1 = 0;ET1 =0;}
void timer1_Init(void)
{
   TMOD|= 0x00; //模式0
   TL1 = 0x66;
   TH1 = 0xfc;
   T1_ON();
}

定时中断处理

void TM0_Isr() interrupt 1
{

   if(0==ntc_charge_over_flag) ntc_charge_t++;
   if(0==ref_charge_over_flag) ref_charge_t++;
}

void TM1_Isr() interrupt 3
{
seg_fresh_t++;
   if(0==seg_fresh_t%5)//
   {
       seg_fresh_t=0;
       if(ntc_charge_over_flag&&ref_charge_over_flag)
   cur_temp_equel_resistor_val=(float)(ntc_charge_t*1.0/ref_charge_t*1.0)*10.0;//10.0即Rref的阻值（KR）
       cur_temp_val=Find_Tab(cur_temp_equel_resistor_val,tempH_tab,69);
       DisplayScanHc595();
}
}

注意这个是NTC热敏电阻datasheet中自带的R-T对应表，不同于AD采集方法变换后的ADC-R对应表

const float xdata tempH_tab[] = {
//0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
32.116,30.570,29.105,27.716,26.399,25.150,23.965,22.842,21.776,20.764,
//10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
19.783,18.892,18.026,17.204,16.423,15.681,14.976,14.306,13.669,13.063,
//20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
12.487,11.939,11.418,10.449,10,9.571,9.164,8.775,8.405,
//30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
8.052,7.716,7.396,7.090,6.798,6.520,6.255,6.002,5.760,5.529,
//40 41 42 43 44 45 46 47 48 49
5.309,5.098,4.897,4.704,4.521,4.345,4.177,4.016,3.863,3.716,
//50 51 52 53 54 55 56 57 58 59
3.588,3.440,3.311,3.188,3.069,2.956,2.848,2.744,2.644,2.548,
//60 61 62 63 64 65 66 67 68 69
2.457,2.369,2.284,2.204,2.126,2.051,1.980,1.911,1.845,1.782,
};