S5PV210的启动方式与过程详解与内存和外存的介绍

S5PV210启动过程流程图：

存储器情况：
210内置了一块96KB大小的SRAM（叫iRAM），同时还有一块内置的64KB大小的NorFlash（叫iROM）
启动过程详解：
①iROM可以进行初始引导：初始化系统时钟，设备专用控制器和引导设备（该代码被称为BL0，出厂前就已经设置）。
②iROM引导代码可以将引导加载程序加载到SRAM。 引导加载程序被称为BL1。
然后，iROM在安全启动模式下验证BL1的完整性。
③将执行BL1：BL1将在SRAM上加载被称为BL2的剩余引导加载程序，加载到SRAM，
然后在安全引导模式下BL1验证BL2的完整性。
④将执行BL2：BL2初始化DRAM控制器，然后将OS数据加载到SDRAM。
⑤最后，跳转到OS的起始地址。 那将为使用系统创造良好的环境。
注：之所以会分为BL1和BL2两部分，是为了解决启动代码过大的情况。
启动过程简化图：

内存和外存的介绍：

内存
内部存储器 用来运行程序的 RAM 举例（DRAM SRAM ）
外存
外部存储器 用来存储东西的 ROM 举例（硬盘 Flash（Nand iNand···· U盘、SSD） 光盘）
常用内存：
SRAM 静态内存 特点就是容量小、价格高，优点是不需要软件初始化直接上电就能用。
DRAM 动态内存 特点就是容量大、价格低，缺点就是上电后不能直接使用，
需要软件初始化后才可以使用（DRAM=>SRAM=>DDR速度越来越快）。
常用外存：
NorFlash 总线式访问，接到SROM bank，优点是可以直接总线访问，一般用来启动。
NandFlash 分为SLC和MLC
eMMC/iNand/moviNand eMMC（embeded MMC） iNand是SanDisk公司出产的eMMC，moviNand是三星公司出产的eMMC
oneNAND oneNand是三星公司出的一种Nand
SD卡/TF卡/MMC卡
eSSD
SATA硬盘 机械式访问、磁存储原理、SATA是接口
嵌入式系统：因为NorFlash很贵，随意现在很多嵌入式系统倾向于不用NorFlash，
直接用：外接的大容量Nand + 外接大容量DRAM + SoC内置SRAM。