【选型】效率高达95%,国产电源芯片SCT2650 可PIN TO PIN 替换TPS54560


Chapter0 【选型】效率高达95%,国产电源芯片SCT2650 可PIN TO PIN 替换TPS54560

原文链接:https://blog.csdn.net/icgogo/article/details/126974690

随着网络信息技术的快速发展,5G基站建设规模不断扩大,某客户在研发一个5G大功率基站的项目,使用到了一款TI的电源芯片TPS54560,目前因为TI的交期比较紧张,急需要一款参数合适的国产电源芯片去替代它。以下就是芯洲科技的SCT2650与TPS54560的参数对比图:
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图1:SCT2650与TPS54560参数对比图
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图2:SCT2650与TPS54560效率曲线对比图

从上面表格中的参数我们可以得知:

1、SCT2650与TPS54560相比,输出电流能力,工作电压范围完全一致,可以进行替代;

2、虽然说SCT2650的静态电流没有TPS54560小,但是SCT2650的内置MOS管的导通电阻要比TPS54560小,说明SCT2650的功耗可以做的比TPS54560小,这大大地延长了芯片的使用寿命;

3、通过对比图2的效率曲线,可以发现也是芯洲科技的SCT2650要高一点,所以说去替换TPS54560具有很大的优势。

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图3:SCT2650(左)与TPS54560(右)封装对比图

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图4:SCT2650(左)与TPS54560(右)典型应用电路对比图

从图3和图4可以看出,SCT2650和TPS54560的封装和管脚定义完全一致,使得在进行物料替换的时候,不需要重新设计PCB,缩短了更换物料时的周期。而且,两个芯片的VFB电压值都是800mA,就不需要修改外部的反馈电阻值,使得在外围器件使用上也可以达成高度的一致。

最后,SCT2650除了具有更高的效率之外,芯洲科技还可以提供及时的技术服务和稳定的现货支持。

Chapter1 TPS54560设计降压模块需要注意事项

原文链接:https://blog.csdn.net/qq_50123515/article/details/124963612

TPS54560设计降压模块需要注意的一些问题

• TPS54560是一款输入电压高达60V,输出电流高达5A的降压稳压器。可以方便灵活的适用于电源的设计中。下面我们一起来看看这个芯片的结构,以及设计中的要求,分享一下经验。
下图为TPS54560的内部结构图,以及典型应用
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从图中我们可以看到,这个芯片的的基本拓扑为BUCK,IC内置有一个MOSFET。我们需要设计的主要参数为电感以及续流二极管。外围结构还是相对简洁的。

• 从TPS54560规格书中参数,我们可以发现,tps54560的典型输入电压可以高达60V,而输出电流可以高达5A!为什么有客户在正常的输入电压范围内,输出电流刚刚到3A,就有叫声了呢?甚至连输出都没有了?如图:

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问题出在TPS54560的控制上面,尤其是COMP脚的环路补偿上面,这个地方是关系整个系统稳定的重要一环。从上面的波形可以看出,电源的工作不稳定,波形存在大小抖动的情况,需要重新调节环路参数。

•关于环路参数的计算方法,在TPS54560的规格书中,有详细的公式,需要客户工程师仔细研究下。除了环路不稳定外,其实要有另外需要注意的就是输入输出电容的选择问题,从下图中,我们可以看到,TPS54560的工作频率可以高达数百KHZ,一般的电解电容由于ESR过大,并不太合适,最好是选择钽电容,或者陶瓷电容靠近输入输出口放置,并且减小环路面积。

•最后需要注意的,就是散热的处理,由于输入,输出压差较大,电流也不小,所以导致占空比很小,在输出二极管上面的损耗也相对较大,TPS54560本身的损耗也不可忽视。在设计中我们需要尽可能的选择大的同流能力的二极管,肖特基是不错的选择。最后在没有风冷的情况下,需要充分利用PCB的合理布局去最大限度的散热。最主要的地方,就是tps54560下面自带的这个热焊盘。这个可以参考TI推荐的PCB布局方案。圆圈中就是用于散热的热焊盘。布局如下图所示:

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TPS54560订购信息与以前也有更新:
|1| TPS54560DDAR |老版
|2|TPS54560QDDARQ1–|老版车规级正常供货
|3| TPS54560BDDAR |新版推荐,货况好
|4|Ti13724212401–|张工345
|5|TPS54560BQDDARQ1 |新版推荐,车规级,货况好

•以上这些就是在服务客户中遇到的常见问题,学习tps54560的资料得到的一些体会,与大家一起分享下。有经验的,使用过的大咖留言分享,一起成长,

Chapter2 SCT2432QSTER 3.8V-40V 3.5A 高效同步降压DCDC PIN to PIN LMR14030

特征

  • 符合汽车应用要求
  • AEC-Q100 符合以下结果:

设备温度等级 1:-40°C 至 125°C环境工作温度范围

器件 HBM ESD 分类等级 H1C

器件 CDM ESD 分类等级 C3B

  • 宽输入范围:3.8V-40V
  • 高达 3.5A 的连续输出电流
    -0.8V ±1% 反馈参考电压
  • 集成 85mΩ 高侧和 55mΩ 低侧
    功率 MOSFET  具有 25uA 静态电流的脉冲跳跃模式 (PSM)
    睡眠模式下的电流
  • 100ns 最短导通时间
  • 可调软启动时间
    -可调频率 300KHz 至 2.2MHz
  • 外部时钟同步
    -扩频 (FSS) 调制
    降低 EMI
    -可编程的精密启用阈值
    输入电压欠压锁定保护
    (UVLO) 阈值和迟滞
    -低压差模式操作
    -可导反相稳压器
    -过压和过温保护
    -采用 ESOP-8 封装

应用
-汽车系统
-USB Type-C 供电、USB 充电
-工业和医疗分布式电源

SCT2432QSTER替代LMR14030

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Chapter3 SCT2433,对标替代TPS5430-3.8V-40V输入,3.5A,低静态电流同步降压DCDC转换器

原文链接:https://blog.csdn.net/Yyq13020869682/article/details/136398268

SCT2433是一款输出电流高达3.5A的高功率密度全集成同步降压DCDC转换器。其输入电压范围为3.8V到40V。SCT2433提供570KHz固定开关频率,和2ms固定软启动时间。SCT2433采用峰值电流控制模式,可实现在脉宽调制模式(PWM) 与脉冲跨周期调制模式(PSM) 间的平滑切换确保快速有效的动态响应。睡眠模式下静态电流为25μA,可满足用户轻载高效的应用需求。SCT2433上管MOSFET的最小导通时间为100ns,同时支持输入输出低压差LDO工作模式。转换器内部集成的频谱扩展技术(FSS)可有效抑制电磁干扰(EMI)。在保护设计方面,SCT2433提供峰值电流限制和过流打嗝(hiccup)保护,过热关断保护,输出过压保护以及输入欠压保护,为实际应用的安全性提供了多重保障。SCT2433提供工业通用的8个管脚的ESOP-8封装,管脚简单,为用户小型化设计提供了简洁的电源解决方案。

• 3.8V-40V 宽输入电压范围
• 连续输出电流:高达 3.5A
• 反馈参考电压: 0.8V ±1%
• 上端/下端 MOSFET Rdson: 80mΩ/50mΩ
• 轻负载下脉冲跨周期调制(PSM Mode)
• 睡眠模式下静态电流: 25uA
• 最小导通时间: 100ns
• 内置软启动时间: 2ms
• 开关频率 570KHz
• 精密的使能电压,可编程UVLO阈值和迟滞
• 支持低压差模式
• 抖频FSS抑制电磁干扰EMI
• 支持负电压降压转化设计
• 输出过压和170C过热保护
• ESOP-8 封装

应用:

电动工具,无人机,航模,GPS系统,车充,LCD显示,USB PD,USB充电, 工业医疗电源系统,光通讯网络,汽车

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Chapter4 【高效降压DCDC转换器】SCT2632Q 车规 4.2V-60V Vin 3A,可兼容LMR16030、LMR14030

原文链接:https://blog.csdn.net/AUTO_15075675965/article/details/128934543

【高效降压DCDC转换器】SCT2632Q 车规 4.2V-60V Vin 3A,可兼容LMR16030、LMR14030

北京冠宇铭通 一级代理

描述:
SCT2632Q是3A buck转换器,宽输入电压,从4.2V到60V,集成an220mΩ高侧MOSFET。SCT2632Q采用峰值电流模式控制,支持脉冲跳过调制(PSM),这有助于转换器在轻负载或待机条件下实现高效率。
SCT2632Q具有从100 kHz到1.2 MHz的可编程开关频率,带有外部电阻,提供了优化效率或外部组件尺寸的灵活性。转换器支持外部时钟同步,频带从100kHz到1.2MHz。SCT2632Q允许从高输入电压到低输出电压的功率转换,高侧MOSFET的通时最小为100ns。
该设备提供可调软启动,以防止输出电压斜坡启动期间的涌流。SCT2632Q具有内部回路补偿,以简化回路补偿设计。
SCT2632Q提供逐周限流、热停机保护、输出过压保护和输入欠压保护。

特性:
-汽车应用合格

  • 符合以下结果:
    设备温度等级1:—40℃~ 125℃
  • 环境工作温度范围
    设备HBM ESD分级为H2级
    设备CDM ESD分类等级C3B
    -宽输入范围:4.2V-60V
    -3A连续输出电流
    -0.8V±1%反馈参考电压
    -集成220mΩ高侧MOSFET
    -低静止电流:100uA
    -轻负载下的脉冲跳过模式(PSM)
    -100ns最小准点率
    -可调节的缓启动时间
    -易于使用的内部补偿
    -可调频率100KHz至1.2MHz
    -外部时钟同步
    -可编程输入精度使能阈值
    -电压欠压锁定保护(UVLO)
    -阈值和滞后
    -低退出模式操作
    -过电压和过温保护

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