电源芯片TPS54560典型应用电路及设计详解


典型电路参考

TPS54560 是一款配有集成型高侧 MOSFET 的 60V、5A DC-DC转换器,输入电压范围7-60V,输出电压可通过外部反馈电阻设置成略低于输入电压的任意值。典型应用电路如下图所示。
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输出电压设计计算方法

设计 TPS54560 的输出电压时,主要通过外部反馈电阻网络来设置输出电压。这种反馈电路图中R5、R6)将输出电压与 TPS54560 内部的参考电压 Vref典型值为 0.8V)进行比较,从而调节输出电压。

反馈电阻计算

输出电压通过外部反馈电阻R5和R6设置,公式为:
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其中:

  • Vref = 0.8V(内部参考电压)。
  • R5 是上拉电阻,连接到输出电压 。
  • R6 是下拉电阻,连接到地。

例1:设计输出电压为3.3V

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**所以,**R5=31.25KΩ、R6:10KΩ(常用值)时,即可设置输出电压为 3.3V。

例2:设计输出电压为12V

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**所以,**R5=140KΩ、R6:10KΩ(常用值)时,即可设置输出电压为12V。

输出电感设计选型方法

为 TPS54560 选择适合的输出电感时(图中L1),需考虑输入电压、输出电压、开关频率以及输出电流的要求。电感值决定了输出电流纹波的大小和电源转换的效率。因此,电感的选型应确保电源稳定并具备良好的瞬态响应和效率。

电感选型公式

选择电感的一个重要依据是控制输出电流的纹波大小。可以通过以下公式计算:
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其中:

  • Vin是输入电压。
  • Vout是输出电压 。
  • fsw=500kHz是 TPS54560 的开关频率。
  • ΔIL是允许的电流纹波峰峰值,通常设计为最大输出电流的 20% 到 40%。假设输出电流为 5A,取电流纹波为 30%,即ΔIL=1.5A。

例1:输出电压为3.3V时,电感值计算,输入电压假设(24V)

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因此,输出 3.3V ,输入电压24V时推荐的电感值为 8µH 至 10µH。

例2:输出电压为12V时,电感值计算,输入电压假设(24V)

在这里插入图片描述
因此,输出 12V 时推荐的电感值为 8µH。

电感其他参数确认

  • 电感的饱和电流:电感的饱和电流应该大于电路的峰值电流。比如按照最大5A负载,一般选择>5.75A饱和电流电感。
  • 电感的直流电阻DCR):电感的 DCR 也需要考虑。较低的 DCR 可以减少功耗和发热,提高效率。建议选择 低 DCR 的电感以确保效率。

输入电压欠压锁定功能设计方法

在 TPS54560 中,输入电压的欠压锁定(UVLO, Undervoltage Lockout)是通过外部电阻 (图中R1、R2)进行设置的。这两个电阻决定了输入电压达到一定值时,芯片何时开始工作,从而避免在输入电压过低时运行,保护电路免受损坏。

输入欠压锁定(UVLO)设定公式

UVLO的启动电压Vstart和关断电压Vstop由以下公式确定:
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  • Vstart是设定的启动电压,也就是输入电压需要达到的最小值才能启动稳压器。
  • Vstop是设置的关断电压。
  • Vth=1.25V是 UVLO 比较器的内部参考电压(TPS54560 的内部特性)。
  • R1是连接在输入电压 Vin和UVLO引脚之间的电阻。
  • R2是连接在 UVLO 引脚与地之间的电阻。
  • Rh是UVLO内部的滞后电阻,典型值是200kΩ。

例:启动电压22V,关断电压20V

  • 计算启动电压对应的电阻比
    对于启动电压Vstart=22V,使用公式:
    在这里插入图片描述
    因此,R1=16.6/R2
  • 计算关断电压对应的电阻比
    对于关断电压Vstop=20V,使用公式:
    在这里插入图片描述
  • 选择合适的R2值并计算R1
    假设选择R2=50KΩ(常用电阻值),那么R1=830KΩ
  • 其他电阻值调整的考虑
    如果您希望启动电压和关断电压有所不同,可以微调 R1 和 R2 的值。例如,选择更大的 R2 值会降低启动电压;选择更小的 R2 值会提高启动电压。同时,确保您使用的是高精度(1% 或更高)的电阻,以确保启动和关断电压的精度。

其他器件选型方法

都可以和上面图中TI官方示例推荐的一样,选择相同的器件。比如:

输入滤波电容(图中C1、C2、C3、C10)、输出滤波电容(图中C6、C7、C9)

  • 通常选择陶瓷电容(如X7R、X5R材料)因为其具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),能够有效滤除高频噪声。
  • 有时也会在陶瓷电容旁并联一颗铝电解电容,以增强低频滤波能力。
  • 多个电容并联时,总电容值等于各个电容值的总和。这对于满足较高的滤波需求或储能需求非常重要。
  • 多个电容并联可以显著降低系统的总ESR和ESL,这对于高频滤波和快速瞬态响应至关重要。
### TPS5430DDAR电路设计概述 TPS5430DDAR属于TPS543x系列,这是一款高输出电流PWM转换器,集成了低电阻高端N沟道MOSFET[^3]。该器件具备多种特性来优化其性能和可靠性。 #### 功能特点 - **集成高性能电压误差放大器**:能够在瞬态条件下提供精确的电压调节。 - **欠压锁定(UVLO)**:防止设备在输入电压低于安全阈值(5.5 V)时启动。 - **慢启动电路**:限制初始接通期间可能出现的大浪涌电流。 - **过流、过压保护以及热关断机制**:保障运行稳定性和安全性。 - **内部补偿反馈环路**:减少外部组件需求并简化整体设计方案。 #### 设计考量因素 对于基于TPS5430DDAR的应用来说,在选择外围元器件时需考虑如下几个方面: - 输入电容的选择应考虑到纹波电流能力和ESR规格; - 输出滤波电感L1及其对应的饱和电流等级; - 反馈分压网络中的两个电阻(Rfb1 & Rfb2),它们决定了最终输出电压水平; ```circuitikz \begin{circuitikz}[american voltages, scale=0.85] % Components placement \draw (0,0) node[op amp](opamp){}; % Input side \draw (-2,-1) to [short,*-,o-*] ++(0,2) coordinate(a); \draw (a) --++(-1,0)node[left]{Vin}to[C,l=$C_{in}$]++(0,-2)--++(1,0); % Output stage with LDO and output cap \draw (opamp.out) |- ($(opamp.out)+(0.5,-1)$)coordinate(b) to[R,mirror,l_=$R_sense$]($(b)+(1,0)$)coordinate(c) to[L,l=$L_1$,mirror]($(c)+(1,0)$)coordinate(d) to[short]($(d)+(0,.75)$)coordinate(e); \draw (e) --++(.5,0)node[right]{Vo} to[C,l=$C_{out}$]++(0,-1.5)-|($(opamp.-)-(0.5,0)$)|-(a); % Feedback network setup \draw (e) --++(0,.5)coordinate(f) to[R,l=$R_{fb1}$]($(f)+(-1,0)$)coordinate(g) to[R,l=$R_{fb2}$]($(g)+(-1,0)$)coordinate(h) --++(0,-1.5)-|(h); \draw (g) --++(0,-.5)node[ground]{GND}; % Drawing connections between opamp inputs and feedback point \draw (opamp.+)--++(-.5,0)node[left]{Ref}(opamp.-) -| (g); \end{circuitikz} ``` 此图展示了基本的降压型DC/DC变换器结构,其中包含了必要的元件如输入电容器\( C_{in}\), 感抗 \(L_1\) 和输出电容器 \(C_{out}\). 同样也体现了反馈路径中使用的分压电阻 \(R_{fb1}, R_{fb2}\).
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