直流负载线和交流负载线静态工作点分析，与非线性失真类型分析

由于晶体管放大电路输出端带负载情况对整个电路有很大影响，在此做一个统一的总结，首先直接给出回路方程的结论，再做分析：（以共射放大电路为例）

当输出端带负载情况下的输出回路方程：（有RL）
Uce-Uceq=-(Rc//RL)(ic-icq) （交流负载恒定过空载时候的Q点）
记RL’=(Rc//RL)
即Uce=Uceq+icqRL’-icRL’ （交流负载线方程）
当输出端空载情况下的输出回路方程：（无RL）
Uce=Vcc-ic*Rc （直流负载线方程）

直流通路：

交流通路：

直流负载线与交流负载线：

上图为晶体管输出特性曲线与交流、直流负载线画在一起的图：
我们可以看到在带负载情况下，直线斜率变为-1/(Rc//RL)
ps.如果是U-I图，则斜率为-(Rc//RL)
但是带负载之后，并不会改变晶体管原本的静态位置，所以交流负载线任然过Q点，只不过是斜率发生了变化，由图中我们也可以看出，交流负载线与横轴交点坐标为Uceq+icqRL’，这个横向截距非常关键！为什么呢？
我们接着讨论一下最大输出电压幅值：
我们知道在一般情况（空载）时，Uomax = min [Uceq-Uces，Vcc-Uceq]
但是，当带负载之后Uomax = min [Uceq-Uces，icqRL’]
发现了吧，其实比较的就是Q点对应横坐标Uceq更偏向于直线横截点，还是纵轴了！当且仅当，Uceq-Uces=icqRL’时，Uo的动态范围最广，其Uomax也是最大的。
关于非线性失真：
Uceq-Uces>icqRL’时,Q点偏右，更容易发生截止失真；
Uceq-Uces<icq*RL’时,Q点偏左，更容易发生饱和失真！