计组复习（一）主存中的部分内容（仅用于快速复习，建议是多看例题，靠题目复习来唤醒知识快得多）

存储器的三个性能指标

• 速度
• 容量
• 成本

分类：

• 主存（随机存取，和物理位置无关。可类比数组，下标index存于MAR）
• 辅存（按照物理位置的先后顺序寻找地址。可类比链表，顺序查找）
• 缓存（用于CPU和主存之间，解决CPU和主存速度不匹配的问题）

主存的两个指标

• 存储容量
• 存储速度（带宽）

主存

存储容量：存储单元个数*存储字长（一个存储单元存储的bit数）
存储速度：存取时间和存取周期来表示。

存取时间：存储器的访问时间，启动一次存储器操作（读or写）到完成操作的时间。

• 读出时间：从存储器的MAR接收到==有效地址（不是形式地址）开始，到产生有效输出（MDR—(数据总线)---->CPU决定要传送的目的地）==所需要的全部时间。
• 写入时间：存储器接收到有效地址开始（同上），到数据写入指定单元的时间。

存取周期：存储器进行连续两次独立的存储器操作所需要的最小间隔时间。（包含了存取时间）

存储器带宽：与存取周期密切相关。
单位时间内存储器存取的信息量。 单位：字/秒 ，字节/秒 ， 位/秒
一个存取周期是t秒，能存取m位，那么带宽就是m/t （bit/s）

提高存储器带宽：

• 缩短存取周期 （t更小）
• 增加存储字长（一个存取周期可以读写更大的m）
• 增加存储体 （多体存储中，待补充）

存储器的基本单元电路：寄存0和1代码的电路。

RAM:用于主存。只要断电，就丢失数据。
静态RAM：以触发器原理寄存信息

信息读出后仍然保持原状态，不需要再生。但是电源掉电，信息丢失

动态RAM：以电容存储电荷的原理寄存信息

电容上存有足够多的电荷，1；电容上的电荷一般只能维持1~2ms，即使电源不掉电信息也会自动消失，2ms进行一次刷新：对所有存储单元恢复一次原状态

刷新的三种方式：

1. 集中刷新
2. 分散刷新
3. 异步刷新

存储容量的扩展 ：
单片存储芯片的容量有限，必须将若干存储芯片连在一起才能组成足够容量的存储器。

• 位扩展：增加存储字长 （一个存储单元能够容纳更多位）
• 字扩展：增加存储器字的数量。（存储单元变多了）
• 字位扩展：增加存储字长，然后增加存储器字的数量

存储器与CPU的连接

注意片与片之间 三总线的连接。

• 地址线
  CPU的地址线往往比存储芯片的地址线多。
  CPU的低位地址线和存储芯片的地址线相连，CPU地址的高位线多用于扩容。

存储器的校验

汉明码。
k个检测位：在2^i-1 位处：1,2，4,8，…

奇偶校验。