答疑方向:半导体设计,职场规划、项目管理、硬件设计、高速PCB设计,高速电路设计,EMC设计,仿真等等!
答疑讲师:白纪龙 飞利浦技术专家、上市公司研发经理、资深硬件教育讲师
1、擅长领域:擅长复杂硬件体系设计,多核系统设计,基于RTOS、Linux,QT等进行相关底层驱动和应用程序的编写;精通嵌入式常用的滤波算法,数据拟合算法,PID等控制算法并可以对算法做自由的优化。
2、代表作品:五分类血球仪(ARM+FPGA混合架构);qPCR仪(A8+3*Cortex-M3内核,以CAN bus构建整个体系);ICP-MS质谱仪(Freescale+FPGA混合架构));干式荧光免疫分析仪(iMX6+openCV,以PD+图像识别算法进行定量的尿液吸毒分析)
3、从事领域:从事过消费类电子,汽车电子以及医疗电子等多行业,做过版图设计,也流过片。目前致力于物联网技术以及人工智能以及IVD领域医疗器械的研究与实践。
学生提问:DCDC芯片的占空比是输出电压除以输入电压,那么当负载电流增加的时候,占空比是增加的,为什么不等于输出比输入了呢?
白老师答:(1)首先我需要纠正一点在开关电源的3种基本拓扑中,只有buck开关电源其占空比=Vout/Vin。
(2)而其他拓扑结构其占空比≠Vout/Vin,有一句话叫如有雷同纯属巧合,只不过很多人都对Buck开关电源比较熟悉所以就认为所有拓扑的开关电源其占空比duty = Vout/Vin,其实并非如此。
(3)大家学习开关电源首先要把开关电源的最基本的3种拓扑搞得非常熟悉才行,说先占 空比的定义=ton/(ton + toff)。
(4)然后开关电源其有伏秒原则即Vonton = Vofftoff,伏秒原则其本质其实是在整个PWM周期内,电感在ON和OFF期间其△I相等。
(5)然后由3和4我们就能够得出其不同拓扑结构其通用的占空比的公式duty=Voff/(Von+Voff)。
(6)而不同的拓扑结构其Von和Voff是不相同的,所以最终其不同拓扑结构其占空比是不一样的。
(7)所以最终我们不同拓扑结构得到的结构如下图:
(8)我们在来分析另外一个问题,但负载电流增加的时候,首先是Vo变化,Vo变化而Vin不变化,所以占空比就发生变化,其占空比仍然遵循我们上述规律公式!