【计组】存储系统笔记整理

分类

作用

主存储器（内存），辅助存储器（外存），高速缓冲存储器（Cache）。

存取方式

随机存储器，只读存储器，串行访问存储器。

串行访问存储器包括顺序存取存储器和直接存取存储器，顺序存取存储器只能顺序存取，直接存取存储器先找到某个小区域，再顺序查找。

易失性

易失性存储器断电后数据会消失。非易失性存储器的数据不会消失。

性能指标

存储容量

存储字数$\times$字长。

单位成本

总成本/总容量。

存储速度

存取时间、存取周期、主存带宽。

多级层次

CPU(Register)$\leftrightarrow$Cache$\leftrightarrow$Memory$\leftrightarrow$Disk$\leftrightarrow$Tape/CD。

主存

SRAM

SRAM存储元是双稳态触发器，读出时是非破坏性读出。

存取速度快、集成度低、功耗大、价格高，一般用于Cache。

DRAM

DRAM的一个基本存储元只有一个晶体管，利用栅极电荷存储信息，但电荷不能长时间保存，需要定时刷新。

DRAM的刷新方式

1. 集中刷新：一个刷新周期内，利用固定的时间对存储器的全部行进行刷新；
2. 分散刷新：每行的刷新在不同的工作周期中，每个工作周期都有刷新；
3. 异步刷新：将分散刷新中的刷新间隔调整为刷新周期/行数。

DRAM的读写周期

读取：

写入：

存储器芯片的内部结构

ROM

ROM的特点

1. 结构简单，位密度高；
2. 具有非易失性，可靠性高。

ROM的类型

1. MROM，制造后不可写入；
2. PROM，可以一次性编程；
3. EPROM，可擦除多次编程；
4. EEPROM，电可擦除可多次编程；
5. Flash存储器；
6. SSD，使用固态电子存储芯片阵列。

主存的构成

DRAM通常使用引脚复用技术：行地址和列地址使用相同的引脚。

多模块存储器

单体多字存储器

一次可以读取n个字。

多行并行存储器

1. 高位交叉编址：高位为体号，体内存储连续数据；
2. 低位交叉编址：低位为体号，相邻体相同位置存储连续数据。可以将存取周期压缩在一起。

主存容量的扩展

位扩展

多个芯片的数据位数并在一起。

字扩展

多个芯片按地址分开。

字位同时扩展

同时使用字扩展和位扩展。

存储芯片的地址分配

1. 线选法：片选的地址线不能同时有效；
2. 译码片选法：在线选法之前加一个译码器。

外存

磁盘

组成

性能指标

1. 记录密度：单位面积上的二进制信息量
2. 磁盘容量：磁盘的容量；
3. 平均存取时间：寻道时间+旋转延迟时间+传输时间；
4. 数据传输率：单位时间传送数据字节数。

磁盘地址组成

驱动器号+柱面号+盘面号+扇区号。

RAID

名称	校验方式
RAID0	无
RAID1	镜像
RAID2	海明码
RAID3	位交叉奇偶校验
RAID4	块交叉奇偶校验
RAID5	无独立校验id奇偶校验
RAID可以提高数据传输率，数据吞吐量，安全可靠性和容错能力。

SSD

Cache

局部性原理：
包括时间局部性和空间局部性。
程序在运行中使用的信息，大部分是最近使用过的、连续分布的信息。

Cache工作原理：

当CPU读取主存时，若命中Cache则读取Cache，若没有命中则读取主存，并将数据存入Cache。数据装入Cache时会进行某种替换算法。

Cache和主存映射方式

直接映射

每块只能装入Cache中的某个位置。

全相联映射

每块可以装入Cache中的任意位置。

组相联映射

某一组的每块可以装入固定的组中的任意位置。

Cache块的替换算法

1. 随机算法：随机替换；
2. FIFO：先进先出；
3. LRU：替换最近最少使用的块。

Cache写策略

写命中时

1. 全写法：写命中时，必须同时写Cache和主存；
2. 回写法：只有块被换出时才会写入主存。

写未命中时

1. 写分配法：加载Cache，更新这个Cache块；
2. 非写分配法：只写入主存，不加载Cache。

虚拟存储器

主存与辅存统一编址。

页式虚拟存储器

页表

页表中的每一项对应一个主存物理地址或者磁盘地址。当读取或写入的页未在主存时，则发生缺页，由操作系统进行缺页处理。

快表

快表把经常访问的页表项放入Cache以提高访问速度。

段式虚拟存储器

按程序的逻辑结构分段。段表要给出段的长度。便于编译、管理、修改、保护和共享。

段页式虚拟存储器

虚拟地址分为段号、段内页号和业内地址三部分。每段一个页表。段的长度必须是页的长度的整数倍。