三极管及其基本电路

晶体三极管

以NPN型三极管为例

分三个极：集电极（collect），基极（base），发射极（emit）
上下两个N区和P区交界处形成了PN结，分别叫集电结和发射结

网上的图片发射极和集电极总是长得一样，但是他们是不一样的，不能互换的，它们的区别是：1.发射极掺杂浓度很高，2.集电结的面积比发射结面积大

晶体三极管的工作状态

• 放大区：发射结正偏，集电结反偏，是三极管工作在放大状态的必要条件
• 饱和区：$u_{CE}$不够大，没有充分利用发射极掺杂浓度高这个特性
• 截止区：$i_B=0,则i_c=0$, 没有放大电流

晶体三极管的电流放大作用

在发射结正偏，集电结反偏的状态下，三极管内的电流如图：

这时候可能工作在放大区和饱和区

关于图上的各种电流，$I_E$表示是发射极的电流，$I_C,I_B$以此类推
$I_{EP},I_{EN}$指的是通过发射结的电流, P是空穴引起的，N是电子引起的，$I_{BN},I_{CN}$以此类推，$I_{CBO}$是反向饱和电流
$I_E,I_C,I_B$是三极管外部的电流，其他几个是内部的电流

• 发射结正偏，内部：发射极多子电子流向基极，形成$I_{EN}$, 基极多子空穴流向发射极，形成$I_{EP}$, 外部:形成发射极电流$I_E$,则有$I_E=I_{EN}+I_{EP}$。由于发射极掺杂浓度很高，基极掺杂浓度很低，所以$I_{EP}<<I_{EN}$，近似分析时忽略。
• 基区外部：形成$I_B$, 内部：发射区扩散到基区的电子和空穴复合形成$I_{BE}$,由于基区掺杂浓度低，所以$I_B$很小，比$I_E$小得多（在这里由KCL就可以得到$I_E=I_C+I_B$，$I_B$小，所以起到放大作用了）。
• 集电结反偏外部形成$I_C$,内部：由于反偏，有利于少子的漂移运动，不利于多子的扩散运动，所以扩散到基区的电子流向集电区（$I_{CN}$），集电区和基区的少子空穴流向基区，形成反向饱和电流（$I_{CBO}$）
  由上面三点可以得到
  $$\{\begin{array}{l}{I}_E=I_{EN}+I_{EP}=I_{BN}+I_{CN}+I_{EP}\\ I_B=I_{BN}-I_{CBO}+I_{EP}\\ I_C=I_{CN}+I_{CBO}\end{array}$$
  定义扩散到集电区的电流$I_{CN}$和基区复合电流$(I_{BN}+I_{EP})$之比为共发射极电流放大系数z则，
  $\overline{\beta }=\frac{I_{CN}}{I_{BN}+I_{EP}}=\frac{I_C-I_{CBO}}{I_B+I_{CBO}}$
  由于穿透电流$I_{CBO}$很小，把它忽略，则有
  $$\{\begin{array}{l}{I}_C\approx \overline{\beta }{I}_B\\ I_E\approx (1+\overline{\beta })I_B\end{array}$$
  $\overline{\beta }$的值一般在20~200，起到放大作用

晶体三极管的伏安特性曲线

以NPN型晶体三极管共射接法为例

可以看到这是一个二端口网络，每个端口都有两个变量，所以他的特性曲线有 输入特性曲线 和 输出特性曲线

• 输入特性曲线: 描述$i_B$和$u_{BE}$的关系，但是$i_B$受$u_{BE}$和$u_{CE}$影响，也就是说
  $i_B=f(u_{BE},u_{CE})$，所以输入特性曲线不是一条曲线而是一族曲线
  

$u_{CE}=0$时，相当于两个二极管并联，所以这一条曲线长的和二极管的差不多
$u_{CE}$增加，则从发射极扩散到基区的电子有一部分由漂移运动，来到集电区，所以施加相同的$u_{BE}$,$i_B$变小
当$u_{CE}$大于一定值的时候，扩散到基区的绝大部分电子都被收集到集电极，所以再增加$u_{CE}$, $i_C$也不会变化，而$i_C=\overline{\beta }{i}_B$,所以$i_B$曲线也不变化了
一般认为：$u_{CE}$大于1V之后，$i_B$曲线就不再变化了

• 输出特性曲线: 同上，也是一族曲线
  

分为三个区：
截止区： $i_B=0$曲线以下，在这一区域，发射结电压小于开启电压且集电结反偏（$u_{BE}\le U_{on}且u_{CE}\ge u_{BE}$），此时$i_C$为一个较小的穿透电流$I_{CEO}(I_{CEO}=(1+\overline{\beta })I_{CBO})$,近似认为$i_C\approx 0$
放大区：发射结正偏，集电结反偏，$i_C$和$i_B$成正比，定义晶体三极管的共射电流放大系数$\beta =\frac{\Delta i_C}{\Delta i_B}$ (上面有一个$\overline{\beta }$，叫做共发射极直流电流放大系数，区别是什么我还不知道)
饱和区：发射结和集电结都正偏($u_{BE}>U_{on}且u_{CE}<u_{BE}$),$i_B$的变化对$i_C$的影响较小，$u_{CE}$对$i_C$的影响较大

放大电路基础

共发射极放大电路的组成和工作原理

设计思路（来自 上海交大 郑益慧老师的模电视频，受益匪浅）

测试的放大信号为一个正弦信号，为什么要这样？
因为其他的信号可以经过傅里叶变换转化为几个正弦信号的叠加，所以测试信号一般选用正弦信号

• 首先得有一个三极管
  

• 要构建一个放大电路，必须使这个三极管工作在放大区，而工作在放大区要满足两个条件：发射结正偏，集电结反偏，所以我们需要两个电压源
  

• 上面改完立刻就有新的问题了，这样会使电路电流过大，我们加入电阻进行限流
  

• 加入我们想要放大的信号
  *

• 这里需要两个电源，继续进行化简（假设$U_{BB}=U_{CC}$)
  

引出两个端口，一个是输入的端口，一个是输出的端口

• 这里又有新的问题，就是三极管B端直接和被放大信号相连了，电流不通过BE直接流到输入端那边了，在输入端加一个电阻，使得电流流向BE端
  
• 但是如果只得到$U_i$的放大信号就更好了，这里输入的放大信号包括了直流的放大，所以我们利用电容通交流阻直流的特性，让输入端接收交流，输出端也为交流
  
  这样整个放大电路就设计好了

电路的分析

电路分析之前，先介绍直流通路和交流通路

为什么要有这两个电路？
三极管工作曲线不是直线，所以静态的工作点可能会影响动态的参数

静态分析

比较容易，初高中的内容，我们就可以得到$u_{BE}=U_{cc}-i_B{R}_B$,然后就可以确定静态工作点了

动态分析

比较简单，不做笔记

微变等效电路分析

1. 晶体管的h参数
   前面提到，晶体三极管是一个二端口网络，且有如下关系式
   $$\{\begin{array}{l}{u}_{BE}=f(i_B,u_{CE})\\ i_C=f(i_B,u_{CE})\end{array}$$
   在低频小信号作用下，对上面的式子求全微分有：
   $$\{\begin{array}{l}d{u}_{BE}=\frac{\partial u_{BE}}{\partial i_B}d{i}_B+\frac{\partial u_{BE}}{\partial u_{CE}}d{u}_{CE}\\ d{i}_C=\frac{\partial i_C}{\partial i_B}d{i}_B+\frac{\partial i_C}{\partial u_{CE}}d{u}_{CE}\end{array}$$
   当变化量无穷小时，可以近似得到
   $$\{\begin{array}{l}\Delta u_{BE}=\frac{\partial u_{BE}}{\partial i_B}\Delta i_B+\frac{\partial u_{BE}}{\partial u_{CE}}\Delta u_{CE}\\ \Delta i_C=\frac{\partial i_C}{\partial i_B}\Delta i_B+\frac{\partial i_C}{\partial u_{CE}}\Delta u_{CE}\end{array}$$
   进一步写成h参数方程
   $$\left[\begin{array}{c}\Delta u_{BE}\\ \Delta i_C\end{array}\right]=\left[\begin{array}{cc}{h}_{11}& h_{12}\\ h_{21}& h_{22}\end{array}\right]\cdot \left[\begin{array}{c}\Delta i_B\\ \Delta u_{CE}\end{array}\right]$$
2. h参数的物理意义
   $h_{11}=\frac{\partial u_{BE}}{\partial i_B}$也就是输入端动态电阻
   $h_{12}=\frac{\partial u_{BE}}{\partial u_{CE}}$反映了在静态工作点附近，晶体三极管输出回路电压$u_{CE}$对输入回路电压$u_{BE}$的影响，又称为内反馈系数
   $h_{21}=\frac{\partial i_C}{\partial i_B}$放大系数$\beta$
   $h_{22}=\frac{\partial i_C}{\partial u_{CE}}$输出端动态电导，等于$\frac{1}{r_{ce}}$
3. 建立小信号等效模型
   $$\left[\begin{array}{c}\Delta u_{BE}\\ \Delta i_C\end{array}\right]=\left[\begin{array}{cc}{h}_{11}& h_{12}\\ h_{21}& h_{22}\end{array}\right]\cdot \left[\begin{array}{c}\Delta i_B\\ \Delta u_{CE}\end{array}\right]$$
   由上面这个方程:
   $\Delta u_{BE}$是两个电压之和：$h_{11}$等效为一个电阻，$h_{12}\Delta u_{CE}$等效为一个VCVS
   $\Delta i_C$是两个电流之和: $h_{21}\Delta i_B$等效为一个CCCS，$h_{22}$等效为一个电导
   
   进一步分析，当$u_{CE}$足够大的时候，看上面的那个输入特性曲线，几乎不会变化了，也就是$u_{BE}$几乎不随$u_{CE}$变化而变化，这时候内反馈很弱，$h_{12}$可以忽略
   工作在放大区时，输出特性曲线几乎和横轴平行，所以电阻$r_{ce}$很大，也就是电导很小，所以$h_{22}$很小，可以忽略
   根据这个分析，可以得到下面这个简化的h参数模型
   
4. h参数的确定
   
   查手册可以知道：基区体电阻$r_{b{b}^{\prime }}$
   发射结电阻$r_{b^{\prime }{e}^{\prime }}$不知道，所以下面分析怎么估算它
   发射区体电阻$r_e$很小，忽略不计
   估算：
   $i_E=I_S(e^{\frac{u_{BE}}{U_T}}-1)$，当发射结正偏时，$u_{BE}>>U_T$
   所以近似有：$i_E=I_S{e}^{\frac{u_{BE}}{U_T}}$
   对上面这个式子两边求导有：$\frac{1}{r_{b^{\prime }{e}^{\prime }}}=\frac{d{i}_E}{d{u}_{BE}}=\frac{I_S}{U_T}{e}^{\frac{u_{BE}}{U_T}}=\frac{i_E}{U_T}$
   所以有：$r_{b^{\prime }{e}^{\prime }}=\frac{U_T}{I_{EQ}}$
   忽略$r_e$, 近似有：${\dot{U}}_{be}=\dot{I_b}{r}_{b{b}^{\prime }}+\dot{I_e}{r}_{b^{\prime }{e}^{\prime }}$
   由$r_{be}$的定义有：$r_{be}=\frac{{\dot{U}}_{be}}{\dot{I_b}}\approx \frac{{\dot{U}}_{b{b}^{\prime }}+{\dot{U}}_{b^{\prime }{e}^{\prime }}}{\dot{I_b}}=r_{b{b}^{\prime }}+\frac{{\dot{I}}_e{r}_{b^{\prime }{e}^{\prime }}}{{\dot{I}}_b}$
   最后得出$r_{be}=r_{b{b}^{\prime }}+(1+\beta )r_{b^{\prime }{e}^{\prime }}=r_{b{b}^{\prime }}+(1+\beta )\frac{U_T}{I_{EQ}}$

共发射极放大电路

1. 静态分析
   静态工作点（Q）的基极电流$I_{BQ}=\frac{U_{CC}-U_{BEQ}}{R_B}$
   近似计算时，忽略$U_{BEQ}$
   通过直流通路可以算出
   $I_{CQ}\approx \beta I_{BQ},U_{CEQ}=U_{CC}-I_{CQ}{R}_C$
2. 动态分析
   • 电压放大倍数${\dot{A}}_u=\frac{{\dot{U}}_o}{{\dot{U}}_i}=-\beta \frac{R_C}{r_{be}}$
   • 输入电阻$R_i=\frac{{\dot{U}}_i}{{\dot{I}}_i}=R_B//r_{be}$
   • 输出电阻$R_o=R_C$