三极管及其基本电路

晶体三极管

以NPN型三极管为例

分三个极：集电极（collect），基极（base），发射极（emit）
上下两个N区和P区交界处形成了PN结，分别叫集电结和发射结

网上的图片发射极和集电极总是长得一样，但是他们是不一样的，不能互换的，它们的区别是：1.发射极掺杂浓度很高，2.集电结的面积比发射结面积大

晶体三极管的工作状态

• 放大区：发射结正偏，集电结反偏，是三极管工作在放大状态的必要条件
• 饱和区：$u_{CE}$不够大，没有充分利用发射极掺杂浓度高这个特性
• 截止区：$i_B=0,则i_c=0$, 没有放大电流

晶体三极管的电流放大作用

在发射结正偏，集电结反偏的状态下，三极管内的电流如图：

这时候可能工作在放大区和饱和区

关于图上的各种电流，$I_E$表示是发射极的电流，$I_C,I_B$以此类推
$I_{EP},I_{EN}$指的是通过发射结的电流, P是空穴引起的，N是电子引起的，$I_{BN},I_{CN}$以此类推，$I_{CBO}$是反向饱和电流
$I_E,I_C,I_B$是三极管外部的电流，其他几个是内部的电流

• 发射结正偏，内部：发射极多子电子流向基极，形成$I_{EN}$, 基极多子空穴流向发射极，形成$I_{EP}$, 外部:形成发射极电流$I_E$,则有$I_E=I_{EN}+I_{EP}$。由于发射极掺杂浓度很高，基极掺杂浓度很低，所以$I_{EP}<<I_{EN}$，近似分析时忽略。
• 基区外部：形成$I_B$, 内部：发射区扩散到基区的电子和空穴复合形成$I_{BE}$,由于基区掺杂浓度低，所以$I_B$很小，比$I_E$小得多（在这里由KCL就可以得到$I_E=I_C+I_B$，$I_B$小，所以起到放大作用了）。
• 集电结反偏外部形成$I_C$,内部：由于反偏，有利于少子的漂移运动，不利于多子的扩散运动，所以扩散到基区的电子流向集电区（$I_{CN}$），集电区和基区的少子空穴流向基区，形成反向饱和电流（$I_{CBO}$）
  由上面三点可以得到
  $$\{\begin{array}{l}{I}_E=I_{EN}+I_{EP}=I_{BN}+I_{CN}+I_{EP}\\ I_B=I_{BN}-I_{CBO}+I_{EP}\\ I_C=I_{CN}+I_{CBO}\end{array}$$
  定义扩散到集电区的电流$I_{CN}$和基区复合电流$(I_{BN}+I_{EP})$之比为共发射极电流放大系数z则，
  $\overline{\beta }=\frac{I_{CN}}{I_{BN}+I_{EP}}=\frac{I_C-I_{CBO}}{I_B+I_{CBO}}$
  由于穿透电流$I_{CBO}$很小，把它忽略，则有
  { I C ≈ β ‾ I B