CPU——MOSFET

1.N型参杂

        硅原子最外层有4个电子，其两两之间容易形成共价键，由于共价键是一种很稳定的结构，此时不容易得到电子，也不容易失去电子，导电性很弱，如下图所示。        如果往纯净的硅中参入少量的磷元素，磷最外层有5个电子，其中4个电子和硅形成共价键，还有多出1个电子，该电子受到的束缚力较弱，比较容易移动，因此此时导电性就会上升。这种参杂称为N型参杂。

2.P型参杂

        如果往纯净的硅中参入少量的硼元素，硼最外层只有3个电子，这三个电子与硅形成共价键，但由于少1个电子，因此会产生空穴，其它的电子可以移动到这个空穴上来， 由于别的电子移动了过来，就相当于空穴移动到了别的地方，因此此时导电性也会上升。

3.PN结

        如果在同一块硅晶体的左右相邻区域参入少量磷原子和硼原子，就会得到一个PN结。

        因为N型参杂的电子比较多，P型参杂的电子比较少，由于扩散作用，N区的电子会自发地扩散到P区，由于N区电子流失，N区显正电性，P区得到电子，P区显负电性，因此就会形成一个方向由N区指向P区的电场，这个电场给往P区扩散的电子施加了一个往N区的电场力，随着电子的扩散，会达到一个电场力和自由扩散力的动态平衡，此时N区不再失去电子，P区不再得到电子。中间这块缺乏载流子（因为这块区域的电子不移动）、存在内电场的区域被称为耗尽层。

        此时如果外接一个灯泡，电池的正极接P负极接N，电池提供的场强是由右向左的，当这个电场足以抵消内建电场，N区的电子会顺着自由扩散方向和受电场力方向源源不断向右移动，形成电流，灯泡发光。        但是如果反过来接，电池的电场和内建电场方向相同，就会有越来越多的电子聚集在N区，且自由扩散作用也越来越强，此时耗尽层会增大，电子无法流通，无法产生电流，灯泡不亮。         这就是二极管，电子可以从N流行P，不可以从P流行N。 

4.MOSFET的工作原理

        在一块纯硅中进行如下图所示的参杂，扩散作用会使N和P的交界处形成耗尽层。         如果往两个N区接一个电池一个灯泡形成回路，就会无论发现电池的正负极无论怎么接，总有一处耗尽层是越来越大而导致电子无法流通的。        要想导通，我们可以添加如下设备。两个金属板中间夹着一个绝缘层，再接入电源，在电源的作用下，金属板一侧的电子会聚集到另一侧，此时就会形成两个金属板之间就会形成电场。        此时把这个结构装到两个N区域的中间，上层是金属板，中间是绝缘层，下层的P区域充当金属板，此时我们给这个结构通电。电子就会往上聚集，在填充空穴的同时还会多出很多自由电子，当达成平衡的同时也会因为扩散作用在这片区域的下方形成耗尽层，此时两个N区被连接起来了，此时连接灯泡的电路就可以被导通了。        最终，我们得到了一个可以用电压控制的开关，当且仅当绝缘层上层金属板施加一定大小的正电压，连接灯泡的电路就可以被导通，即电压高于阈值电压则导通，低于阈值电压则不导通，这个称为NMOS，其中间的电极称为栅极，左边的电极称为源极，右边的电极称为漏极。

        如果把正负极调换一下方向，给栅极施加反向电压，P和N互换，就可以得到电压高于阈值电压则不导通，低于阈值电压则导通，这个称为PMOS。

5.NMOS和PMOS共同构成CMOS（非门） 

6.锁存器具有记忆功能的原理

        下面是一个具有可持续保存0、1的电路。

         触发器也是这么一个电路，只不过外加了可以控制输出0和1的输入。