电路板/硬件---器件

MOS

MOS的选择

1. 电压等级（Voltage Rating）：确保 MOSFET 的电压等级足够高以处理电路中的电压。

2. 电流容量（Current Rating）：根据电路中的电流要求选择合适的电流容量，以避免过载。

3. 导通电阻（On-Resistance）：低导通电阻意味着更小的功耗和更高的效率。

4. 阈值电压（Threshold Voltage）：确保 MOSFET 在适当的电压下开始导通。

5. 开关速度（Switching Speed）：根据应用需求选择适当的开关速度，以确保快速而稳定的开关操作。

6. 封装类型（Package Type）：选择适合电路板布局和散热要求的封装类型。

MOS是金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）依次排列、接触所形成的结构，有P型和N型之分。

怎么区分N型和P型呢？一般来说，硼（B）元素掺杂进中性半导体就会形成P型半导体；磷（P）、砷（As）掺杂进中性半导体就会形成N型半导体。

要判断MOS管是P型还是N型，既可根据导通时沟道的类型判断，又可根据半导体掺杂类型判断。最简单的方式就是看两侧源极和漏极重掺杂的类型，两边重掺杂N型，那就是NMOS。同理，两边重掺杂P型，那就是PMOS。

MOS 细分类型

根据反型层的形式，MOS又可细分为四种类型，包括增强型NMOS，耗尽型NMOS，增强型PMOS和耗尽型PMOS。

若在零栅极偏压下，沟道电导很低，必须在栅极施加一正电压以形成N型沟道，称为增强型NMOS。

若在零栅极偏压下，已有N沟道存在，而必须外加一负电压来排除沟道中的载流子以降低沟道电导，称为耗尽型NMOS。

类似的，需外加电压形成P型沟道，实现导通的P沟道MOSFET，称为增强型PMOS。

无需外加电压即有P型沟道，需要外加负压降低沟道电导的P沟道MOSFET，称为耗尽型PMOS。

NMOS衬底为P型掺杂，沟道为N型，载流子为电子，载流子运动方向为从源极到漏极，即电流方向为漏指向源极。增强型NMOS的阈值电压为正，而耗尽层NMOS的阈值电压为负。

PMOS衬底为N型掺杂，沟道为P型，载流子为空穴，载流子运动方向为从源极到漏极，即电流方向为从源极指向漏极。增强型PMOS的阈值电压为负，而耗尽型PMOS的阈值电压为正。

CMOS 基本介绍

CMOS 即 Complementary MOSFET，互补型MOSFET，在大规模集成电路里面，NMOS和PMOS被集成在一起，通过同一个信号来控制，从而实现数字信号的逻辑运算功能。这种结构是组成集成电路的基础单元。

将NMOS和PMOS结合，就能形成CMOS。但是问题在于怎么在一个半导体上同时形成NMOS和PMOS呢？这时我们需要在衬底上额外加个阱。所谓阱就是一块比较大的P型或N型掺杂。

最简单的CMOS的制造流程：

第一步：选取轻掺P型衬底；

第二步：离子注入（磷）制备N阱；

第三步：离子注入（硼）制备P阱；

第四步：制备栅介质层和栅极；

第五步：制备NMOS源漏区；

第六步：制备PMOS源漏区；

第七步：制备介质层、形成接触孔、淀积金属。

CMOS被广泛应用在数字电路和模拟电路中。

在数字电路中，由CMOS门电路使得各种逻辑的实现成为可能，让数字电路成为一个丰富多彩的世界。在模拟电路中，CMOS也是基石般的存在。尽管随着电路设计的发展，越来越多类型的器件出现，如DMOS、BJT等，但是CMOS仍然发挥着不可替代的重要作用，并且越来越多的工艺要求将CMOS和其他器件能共同集成，如现今流行的BCD工艺，将BJT、DMOS、CMOS结合到了一起。

CMOS制造工艺还被广泛应用于制作数码影像器材的感光元件，尤其是片幅规格较大的单反数码相机。虽然在用途上与过去CMOS电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同，但基本上它仍然是采取CMOS的工艺，只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能，再透过芯片上的模-数转换器（ADC）将获得的影像讯号转变为数字信号输出。另外，在集成功率IC中，CMOS也是相当热门的基础器件,如今如火如荼的芯片市场中，它必不可少。

 极限参数:

ID: 最大漏源电流.是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过 ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.

IDM: 最大脉冲漏源电流.体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系，此参数会随结温度的上升而有所减额.

PD: 最大耗散功率.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量.此参数一般会随结温度的上升而有所减额.（此参数靠不住）

VGS: 最大栅源电压.，一般为：-20V~+20V

Tj: 最大工作结温.通常为 150 ℃或 175 ℃ ,器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有一定裕量. （此参数靠不住）

TSTG: 存储温度范围

 静态参数

V(BR)DSS : 漏源击穿电压.是指栅源电压 VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。它具有正温度特性.故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑， 加负压更好。

△V(BR)DSS/ △ Tj : 漏源击穿电压的温度系数，一般为 0.1V/ ℃。

RDS(on) : 在特定的 VGS (一般为 10V )、结温及漏极电流的条件下， MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数,决定了 MOSFET 导通时的消耗功率.此参数一般会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。

VGS(th) : 开启电压(阀值电压)。当外加栅极控制电压 VGS超过 VGS(th) 时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

IDSS : 饱和漏源电流,栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源电流.一般在微安级。

IGSS : 栅源驱动电流或反向电流。由于 MOSFET 输入阻抗很大，IGSS 一般在纳安级。

动态参数

gfs : 跨导，是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。gfs 与 VGS 的转移关系图如下图所示。

Qgs: 栅源充电电量。

Qg : 栅极总充电电量。MOSFET 是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的，下面将有此方面的详细论述。

Qgd : 栅漏充电(考虑到 Miller 效应)电量。

Td(on) : 导通延迟时间.从有输入电压上升到 10% 开始到 VDS 下降到其幅值90% 的时间 ( 参考图 4)。

Tr : 上升时间。输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间。

Td(off) : 关断延迟时间。输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间。

Tf : 下降时间。输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间( 参考图 4)。

Ciss: 输入电容,Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路)。

Coss : 输出电容. Coss = CDS +CGD 。

Crss : 反向传输电容. Crss = CGD 。

最后三个公式非常重要

 雪崩击穿特性参数

这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标.如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态.

EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,说明 MOSFET 所能承受的最大雪崩击穿能量.

IAR :雪崩电流.

EAR :重复雪崩击穿能量.

 热阻

结点到外壳的热阻.它表明当耗散一个给定的功率时,结温与外壳温度之间的差值大小.公式表达

⊿ t = PD*  .

外壳到散热器的热阻,意义同上.

结点到周围环境的热阻,意义同上.

体内二极管参数

IS :连续最大续流电流(从源极).

ISM :脉冲最大续流电流(从源极).

VSD :正向导通压降.

Trr :反向恢复时间.

Qrr :反向恢复充电电量.

Ton :正向导通时间.(基本可以忽略不计).

一些其他的参数：

Iar:    雪崩电流；Ear:     重复雪崩击穿能量；Eas:     单次脉冲雪崩击穿能量；di/dt---电流上升率（外电路参数）；dv/dt---电压上升率（外电路参数）；ID(on)---通态漏极电流；IDQ---静态漏极电流（射频功率管）；IDS---漏源电流；IDSM---最大漏源电流；IDSS---栅-源短路时，漏极电流；IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）；IG---栅极电流（直流）；IGF---正向栅电流；IGR---反向栅电流；IGDO---源极开路时，截止栅电流；IGSO---漏极开路时，截止栅电流；IGM---栅极脉冲电流；IGP---栅极峰值电流；IF---二极管正向电流；IGSS---漏极短路时截止栅电流；IDSS1---对管第一管漏源饱和电流；IDSS2---对管第二管漏源饱和电流；Iu---衬底电流；Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）；gfs---正向跨导；Gp---功率增益；Gps---共源极中和高频功率增益；GpG---共栅极中和高频功率增益；GPD---共漏极中和高频功率增益；ggd---栅漏电导；gds---漏源电导；K---失调电压温度系数；Ku---传输系数；L---负载电感（外电路参数）；LD---漏极电感；Ls---源极电感；rDS---漏源电阻；rDS(on)---漏源通态电阻；rDS(of)---漏源断态电阻；rGD---栅漏电阻；rGS---栅源电阻；Rg---栅极外接电阻（外电路参数）；RL---负载电阻（外电路参数）；R(th)jc---结壳热阻；R(th)ja---结环热阻；PD---漏极耗散功率；PDM---漏极最大允许耗散功率；PIN--输入功率；POUT---输出功率；PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）；Tj---结温；Tjm---最大允许结温；Ta---环境温度；Tc---管壳温度；Tstg---贮成温度；VGSF--正向栅源电压（直流）；VGSR---反向栅源电压（直流）；VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）；VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）；Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）；V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压；VDS(on)---漏源通态电压；VDS(sat)---漏源饱和电压；VGD---栅漏电压（直流）；Vsu---源衬底电压（直流）；VDu---漏衬底电压（直流）；VGu---栅衬底电压（直流）；Zo---驱动源内阻；η---漏极效率（射频功率管）；Vn---噪声电压；aID---漏极电流温度系数；ards---漏源电阻温度系数

二、在应用中需要考虑的特征

1、 V ( BR ) DSS 的正温度系数特性。这一有异于双极型器件的特性使得其在正常工作温度升高后变得更可靠.但也需要留意其在低温冷启机时的可靠性.

2、 V ( GS) th 的负温度系数特性。栅极门槛电位随着结温的升高会有一定的减小.一些辐射也会使得此门槛电位减小,甚至可能低于 0 电位.这一特性需要工程师注意MOSFET 在此些情况下的干扰误触发,尤其是低门槛电位的MOSFET 应用.因这一特性,有时需要将栅极驱动的关闭电位设计成负值(指 N 型, P 型类推)以避免干扰误触发.阈值电压是负温度系数。辐射环境下，阈值电压会迅速降为0，为了在辐射环境下关断MOS，需在GS加反压。MOS的开关速度（即斜率）和温度毫无关系，但导通（0V到Vgsth的时间叫导通延时）和关断延时与温度有关，温度越高，时间越短。

3、VDSon/RDSon 的正温度系数特性。 VDSon/RDSon 随着结温的升高而略有增大的特性使得 MOSFET 的直接并联使用变得可能.双极型器件在此方面恰好相反,故其并联使用变得相当复杂化. RDSon 也会随着 ID 的增大而略有增大,这一特性以及结和面 RDSon 正温度特性使得 MOSFET 避免了象双极型器件那样的二次击穿. 额定电压高的MOS有更高的RDS正温度特性。

但要注意此特性效果相当有限,在并联使用、推挽使用或其它应用时不可完全依赖此特性的自我调节,仍需要一些根本措施..

4、 ID 的负温度系数特性

ID 会随着结温度升高而有相当大的减额.这一特性使得在设计时往往需要考虑的是其在高温时的 ID 参数.

5、雪崩能力 IER/EAS 的负温度系数特性。结温度升高后,虽然会使得 MOSFET 具有更大的V ( BR ) DSS ,但是要注意 EAS 会有相当大的减额.也就是说高温条件下其承受雪崩的能力相对于常温而言要弱很多.

6、 MOSFET的体内寄生二极管导通能力及反向恢复表现并不比普通二极管好。在设计中并不期望利用其作为回路主要的电流载体.往往会串接阻拦二极管使体内寄生二极管无效,并通过额外并联二极管构成回路电流载体.但在同步整流等短时间导通或一些小电流要求的情况下是可以考虑将其作为载体的.

7、 漏极电位的快速上升有可能会发生栅极驱动的假触发现象 (spurious-trigger) 。故在很大的 dVDS/dt 应用场合(高频快速开关电路)需要考虑这方面的可能性.

Rth(j-c)与PD的关系,Tc(环境温度)=Tj-Rth(j-c)*PD

反过来可以推出,环境每上升一度,PD下降数值.(此参数靠不住)

1.开启电压VT

·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；

·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS

·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源极间的穿通击穿

·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

4. 栅源击穿电压BVGS

·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5. 低频跨导gm

·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力

·是表征MOS管放大能力的一个重要参数

·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻RON

·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7. 极间电容

·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

·CGS和CGD约为1～3pF

·CDS约在0.1～1pF之间

8. 低频噪声系数NF

·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的

·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）

·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

MOS在电机上的应用

1. 电机驱动器（Motor Drivers）：MOSFET 可用作电机驱动器的关键组件。通过控制 MOSFET 的导通和截止，可以有效地控制电机的速度和方向。在这种应用中，通常会使用高功率的 MOSFET，如IRF3205，以应对电机启动和运行时的高电流需求。

2. PWM 控制（Pulse Width Modulation）：PWM 控制是一种常见的电机速度控制技术，通过调整 PWM 信号的占空比来控制电机的平均电压和速度。MOSFET 作为 PWM 控制电路的关键开关元件，能够实现快速的开关响应和高效的功率传输。

3. 电机保护（Motor Protection）：MOSFET 可以用于电机保护电路中，例如过流保护和短路保护。通过监测电流并及时切断 MOSFET 的导通，可以有效地保护电机免受损坏。

4. 电机启动器（Motor Starters）：在一些应用中，需要通过 MOSFET 控制电机的启动和停止。MOSFET 可以提供快速响应和精确控制，使得电机启动和停止过程更加平稳和可靠。

5. 电机控制器（Motor Controllers）：一些复杂的电机控制系统中，可能会使用多个 MOSFET 构成的桥式电路或 H 桥电路来实现精确的电机控制，例如调速、反向旋转等功能。

         电机驱动器是一种用于控制电机运行的电子设备，通常由功率放大器和控制电路组成。其作用是接收控制信号并将其转换为适当的电源和电流，以驱动电机转动。MOSFET 在电机驱动器中扮演着重要角色，通常用于实现电机的高效控制和保护。MOSFET 驱动器通常包含高侧和低侧驱动器，用于控制 MOSFET 的导通和截止，以便在电机启动、停止、加速和减速过程中实现精确的控制。这种驱动器可以根据控制信号的变化来调整电机的速度和方向，实现各种应用场景下的精确控制，如工业自动化、电动车辆、机器人等。

        PWM（脉冲宽度调制）控制是一种常见的电子控制技术，通过调整脉冲信号的占空比来控制输出电压或电流的平均值。在电机控制中，PWM 控制常用于调节电机的速度和转矩。

具体来说，PWM 控制通过周期性地改变信号的占空比来控制电机驱动器的开关状态，从而控制电机的平均电压和速度。当占空比较大时，电机驱动器会持续通电，电机转速较快；当占空比较小时，电机驱动器断电时间较长，电机转速较慢。

MOSFET 在 PWM 控制中扮演着重要角色，作为开关器件，用于控制电路的导通和截止。通过调整 MOSFET 的导通时间和截止时间，可以实现精确的电机速度调节，同时保证高效能量转换和电机的平稳运行。

        在电机应用中，保护电机免受损坏是至关重要的。MOSFET 在电机保护电路中起着重要作用，可以用于实现多种保护功能，包括过流保护、过温保护和短路保护等。

1. 过流保护（Overcurrent Protection）：通过监测电机的电流，当电流超出设定的安全范围时，保护电路会及时切断 MOSFET 的导通，防止电机因过载而损坏。

2. 过温保护（Overtemperature Protection）：在高温环境下，电机和电路元件容易受损。通过监测 MOSFET 温度并实施保护措施，可以防止电机因过热而受损。

3. 短路保护（Short Circuit Protection）：如果电机出现短路情况，保护电路会快速切断电路中的电源，防止电流过大而损坏电机或其他电路元件

        电机启动器是用于控制电机启动和停止的装置，通常包括接触器、热过载继电器和控制电路。其主要功能是提供对电机的电源供应，并在启动和停止过程中保护电机和电路。

1. 接触器（Contactor）：接触器是电机启动器的核心组件，用于控制电路的通断。当接触器闭合时，电流可以流经电机，使其启动；当接触器打开时，电流被切断，电机停止运行。

2. 热过载继电器（Thermal Overload Relay）：热过载继电器用于监测电机的电流，并在电流超出额定范围时断开电路，防止电机因过载而损坏。它根据电机的运行状态和环境温度来检测过载情况，并触发保护动作。

3. 控制电路：控制电路包括启动按钮、停止按钮和控制逻辑，用于手动或自动地控制电机的启停和运行。通过控制电路，用户可以方便地控制电机的运行状态，并实现各种启动和停止方式，如正转、反转和变频控制等。

电机启动器的设计和选择取决于电机的功率、负载特性和应用要求。它们在工业自动化、建筑设备、电力系统等领域广泛应用，保障了电机安全可靠地启动和停止

        电机控制器在自动化系统中扮演着关键的角色，它们用于管理电机的运行，实现精确的速度控制、方向控制和扭矩控制等功能。常见的电机控制器包括直流电机控制器、交流电机控制器和步进电机控制器等。

1. 直流电机控制器（DC Motor Controller）：直流电机控制器用于控制直流电动机的速度和方向。它通常包括功率放大器、速度反馈回路和控制逻辑，可以实现精确的速度调节和动态响应。直流电机控制器广泛应用于工业自动化、机器人技术和电动车辆等领域。

2. 交流电机控制器（AC Motor Controller）：交流电机控制器用于控制交流电动机的速度和扭矩。它通常包括变频器、矢量控制器和电流反馈回路，可以实现对交流电机的精确控制，适用于各种工业应用和家用电器。

3. 步进电机控制器（Stepper Motor Controller）：步进电机控制器用于控制步进电机的步进角度和转速。它通常包括驱动器、步进控制器和位置反馈系统，可以实现对步进电机的精确定位和运动控制。步进电机控制器常用于CNC机床、3D打印机和精密仪器等领域。

电机控制器的选择取决于电机类型、应用需求和性能要求。合适的电机控制器可以提高系统的稳定性、效率和精度，实现更加可靠和高效的电机控制。