电路板/硬件---器件

MOS

MOS的选择

1. 电压等级（Voltage Rating）：确保 MOSFET 的电压等级足够高以处理电路中的电压。

2. 电流容量（Current Rating）：根据电路中的电流要求选择合适的电流容量，以避免过载。

3. 导通电阻（On-Resistance）：低导通电阻意味着更小的功耗和更高的效率。

4. 阈值电压（Threshold Voltage）：确保 MOSFET 在适当的电压下开始导通。

5. 开关速度（Switching Speed）：根据应用需求选择适当的开关速度，以确保快速而稳定的开关操作。

6. 封装类型（Package Type）：选择适合电路板布局和散热要求的封装类型。

MOS是金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）依次排列、接触所形成的结构，有P型和N型之分。

怎么区分N型和P型呢？一般来说，硼（B）元素掺杂进中性半导体就会形成P型半导体；磷（P）、砷（As）掺杂进中性半导体就会形成N型半导体。

要判断MOS管是P型还是N型，既可根据导通时沟道的类型判断，又可根据半导体掺杂类型判断。最简单的方式就是看两侧源极和漏极重掺杂的类型，两边重掺杂N型，那就是NMOS。同理，两边重掺杂P型，那就是PMOS。

MOS 细分类型

根据反型层的形式，MOS又可细分为四种类型，包括增强型NMOS，耗尽型NMOS，增强型PMOS和耗尽型PMOS。

若在零栅极偏压下，沟道电导很低，必须在栅极施加一正电压以形成N型沟道，称为增强型NMOS。

若在零栅极偏压下，已有N沟道存在，而必须外加一负电压来排除沟道中的载流子以降低沟道电导，称为耗尽型NMOS。

类似的，需外加电压形成P型沟道，实现导通的P沟道MOSFET，称为增强型PMOS。

无需外加电压即有P型沟道，需要外加负压降低沟道电导的P沟道MOSFET，称为耗尽型PMOS。

NMOS衬底为P型掺杂，沟道为N型，载流子为电子，载流子运动方向为从源极到漏极，即电流方向为漏指向源极。增强型NMOS的阈值电压为正，而耗尽层NMOS的阈值电压为负。

PMOS衬底为N型掺杂，沟道为P型，载流子为空穴，载流子运动方向为从源极到漏极，即电流方向为从源极指向漏极。增强型PMOS的阈值电压为负，而耗尽型PMOS的阈值电压为正。

CMOS 基本介绍

CMOS 即 Complementary MOSFET，互补型MOSFET，在大规模集成电路里面，NMOS和PMOS被集成在一起，通过同一个信号来控制，从而实现数字信号的逻辑运算功能。这种结构是组成集成电路的基础单元。

将NMOS和PMOS结合，就能形成CMOS。但是问题在于怎么在一个半导体上同时形成NMOS和PMOS呢？这时我们需要在衬底上额外加个阱。所谓阱就是一块比较大的P型或N型掺杂。

最简单的CMOS的制造流程：

第一步：选取轻掺P型衬底；

第二步：离子注入（磷）制备N阱；

第三步：离子注入（硼）制备P阱；

第四步：制备栅介质层和栅极；

第五步：制备NMOS源漏区；

第六步：制备PMOS源漏区；

第七步ÿ