一、导体,绝缘体,半导体
导体:能够导电的介质。
绝缘体:不能导电的介质。
半导体:根据特定外界条件的变化,介质对外表现为导体或者绝缘体。
二、半导体的制作
硅原子的结构图如下:
最外层有4个电子,纯净的硅晶体内部全是硅原子,最外层共享彼此的4个价电子,能在外层形成稳定的8电子结构,不会有自由电子或者自由空穴。对外表现为绝缘体。
掺杂
分为两种:n型掺杂和p型掺杂
n型掺杂:向硅晶体加入一些磷(P,最外层5个电子),形成的混合物中会存在大量的电子
p型掺杂:向硅晶体加入一些硼(B,最外层3个电子),形成的混合物中会存在大量的空穴
两种掺杂后导电性会显著提高,载流子分别为电子和空穴。
pn结
在同一块硅晶体的相邻区域分别进行n型掺杂和p型掺杂,就能得到一个 pn结
。
n型掺杂区的电子较多,p型掺杂区的空穴较多。
根据扩散作用,电子或向右扩散到p型掺杂区与那里的空穴相结合。
在n区p区交界的地方,n区失去了电子得到了空穴,因此显正电性;p区相反显示负电性。
从而形成一个从正电区域指向负电区域的电场。
这个电场对电子空穴的扩散作用具有抑制作用。
最终电场和扩散作用达到平衡,在中间这块电场区域不存在载流子,这一块区域叫做耗尽层
。
半导体的单向导电性
如下图,若是能在两端外加电场来抵消这个内电场,那么扩散能继续进行,这一块pn结对外表现为导体
。
如下图,若在两端外加的电场会增强这个抑制电场,那么扩散仍不能进行,这一块pn结对外表现为绝缘体
。
二极管其实就是上面的pn结,具有单向导电性,电流只能从p极流向n极。
三、mos管的工作原理
全称:金属氧化物半导体场效应晶体管
以n型掺杂为例,将一块硅晶体按如下方式掺杂,如下图:
在n区和p区的交界处会形成耗尽层:
在两个n区上接电,都是无法导通的,因为总有一个耗尽层是增强内电场,抑制扩散作用的,如下图:
解决方法是施加一个额外的电场,重新制造 一个n区
和 一个耗尽层
,如下两个图:
如上图,通过施加一个额外的电场,形成了一个新的n沟道,从而导通两个n极。
如此得到 一个电压控制电路通断的开关
。当额外施加的电压高于某个阈值时,能形成n沟道,导通两个n极。低于时不导通。
源极,栅极和漏极
规定上面用到的三个电极,如下图:
nmos和pmos
pmos就是把上面的掺杂区域反过来。
电路符号
四、总结
mos管
是构成 逻辑门电路
的基本单元。
各种逻辑门
组合成 运算单元
。
运算单元
,加上 存储单元
和 其它电路
,就构成了完整的 cpu
。