【电工学(下)】部分基础概念整理

1. 本征半导体、杂质半导体、载流子、电中性。热敏、光敏性。

   • 本征半导体：完全纯净的、晶格完整的半导体。

   • 杂志半导体：掺入微量杂质的半导体，导电性能大大增强。

     虽然都有一种载流子占多数，但是整个晶体仍然不带电。

     载流子包括自由电子、空穴。

     • N型（电子半导体）：掺磷
       • 多子：自由电子
       • 少子：空穴
     • P型（空穴半导体）：掺硼
       • 多子：空穴
       • 少子：自由电子

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2. （理想）二极管的伏安特性（单向导电性），特性参数受温度的影响。（死区电压、导通时的压降）

   • 正向偏置/正向电压（从P到N）：电源正极接P，负极接N。此时PN结处于导通状态。

     反向偏置：和正向偏置相反。此时PN结处于截止状态。

   • （理想）二极管的伏安特性：单向导电性

     • 外加正向电压很低时，外加电流很小，几乎为零。电压超过一定数值后，电流快速增长。该一定数值称为死区电压/开启电压（硅管0.5V，锗管0.1V）。导通时的正常压降：硅管0.6-0.8V，锗0.2-0.3V。

       影响死区电压的大小的因素：材料、环境温度

     • 外加反向电压时，形成很小的反向电流。

       反向电流特点：

       ① 随温度上升增长很快（原因：本征激发程度上升，少子数量增多，反向电流增大）；

       ② 在反向电压不超过一定范围时，反向电流大小基本恒定，与反向电压的大小无关，故又称反向饱和电流。（原因：引起反向饱和电流的是少子，数量很少，稍加反向电压就全部漂移过去）

       反向电压过大时，被击穿且一般不可复原。击穿时的电压称为反向击穿电压 $U_{(BR)}$。

   • 二极管的作用

     （书上的）：整流、检波、限幅、元件保护、开关元件（数字电路中）等

     （老师给的）：单向导通、稳压、整流、发光指示(LED)、续流保护。

   • 有多个二极管并联，先判断哪个二极管先导通，就看哪一条回路。有一个先导通后，要注意观察另外的二极管是否也能导通。

     化简并联电路。

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3. 稳压二极管的工作特点。

   • 和适当数值的电阻配合后可以起稳定电压的作用。

   • 反向特性曲线比较陡。

   • 工作在反向击穿区。反向击穿（可逆）后，电流可以在很大范围内变化，但两端电压变化很小。

     当反向电流超过允许范围，会发生热击穿而损坏。

   • 主要参数

     • ${\alpha }_U$（电压温度系数）

       温度稳定性（6V左右）。

       （一般）小于6V：负温度系数。大于6V：正温度系数。

     • $r_Z$（动态电阻）

       $r_Z=\frac{\Delta U_Z}{\Delta I_Z}$

       稳压二极管的反向伏安特性曲线越陡，动态电阻越小。

     • $P_{ZM}=U_Z{I}_{ZM}$（最大允许耗散功率，$U_Z$是稳定后的电压）

       稳压二极管不致发生热击穿的最大功率损耗。

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4. 晶体管工作状态的判断（饱和、截止、放大）。

   • $I_E=I_C+I_B,I_C,I_E>>I_B$

   • 基极要薄的原因：减少电子与基区空穴复合的机会，使大部分自由电子都能扩散到集电结边缘。

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     以NPN型为例：

   • 饱和

     Uce<Ube。

     集电结、发射结都正向偏置。

     Uce约等于0，Ic约等于Ucc/Rc。利用这个和电流放大倍数可以计算晶体管刚饱和时的Ib。

   • 截止：对应曲线$I_B=0$以下的区域。

     集电结、发射结都反向偏置。

     通常使$U_{BE}<=0$。

     此时，$I_C$ 约等于0，Uce约等于Ucc。

   • 放大：$$\begin{gathered} V_B>V_E, \\ {V}_C>V_B \end{gathered}$$，即$U_{BE}>0,U_{BC}<0$，$U_{CE}>U_{BE}$。

     集电结反向偏置，发射结正向偏置。

     此时，$I_c=\overline{\beta }{I}_B$。

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5. 给定放大电路中三极管各极电位，如何判定三个电极分别是什么？三极管是什么类型（PNP/NPN，硅/锗）。

   • 根据$V_B,V_E,V_C$之间的关系来判断三个电极。

   • 判断NPN/PNP：看电位，如果都是正的，就是NPN；都是负的，就是PNP。

   • 判断硅管和锗管：看基极和发射极的电位，差0.6-0.7V→硅管；差0.2-0.3V→锗管。

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6. 晶体管特性参数。当温度升高时，集电极电流变大，产生零点漂移。

   • 零点漂移见差分放大电路。

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7. 放大电路静态工作点的计算。

   • 静态分析：确定 Ib, Ic, Ube和Uce。
     • P62-63
     • 图解法：Ic-Uce的关系曲线
   • 动态分析：有信号输入。确定Au，ri和ro。
     • 微变等效电路。把三极管转换为一个等效电阻rbe和一个电源$\beta I_B$。

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8. 共发射极放大电路的交流输出波形的失真类型，该如何解决？

   • 截止失真
     • 原因：静态工作点Q的位置选得太低，（以正弦输入电压为例，在输入电压的负半周时，晶体管进入截止状态。输出电压的正半周被削平）
   • 饱和失真
     • 原因：静态工作点Q的位置太高，（在输入电压的正半周，晶体管进入饱和状态，输出电压的负半周被削平）
   • 解决方法
     • 选择合适的静态工作点，大致在交流负载线的中点处
     • 输入电压ui不能过大，以免放大电路的工作范围超过特性曲线的线性范围。【小信号放大电路】

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9. 共发射极放大电路、共集电极放大电路（射极输出器）的特点。

   • 共发射极放大电路

     • 静态工作点稳定

       • 在温度增高引起Ic增大时，发射极电阻Re上的电压降会使Ube减小，从而使$I_B$自动减小，以抑制Ic的增大。

         在一定范围内，Re越大，稳定性能越好。【过大会使发射极电位Ve增高，从而减小输出电压】

     • 当发射极的交流分量$i_e$流过Re时，也会产生电压降，使ube减小从而降低电压放大倍数。

       可用交流旁路电容来解决这个问题。

   • 共集电极放大电路（射极输出器）

     • 电压放大倍数接近1
     • 输入电阻高，输出电阻低。

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10. 输入电阻、输出电阻的意义。

    • 输入电阻（动态）

      放大电路对于信号源来说是一个负载，可用一个电阻来等效代替。即信号源的负载电阻、放大电路的输入电阻$r_i$。

      通常希望放大电路的输入电阻高一些。

      $r_i=\frac{{\dot{U}}_i}{{\dot{I}}_i}$

    • 输出电阻（动态）

      放大电路对于负载来说是一个信号源，其内阻即为放大电路的输出电阻$r_o$。

      通常希望放大电路输出极的输出电阻低一些。

      $r_o=\frac{{\dot{U}}_o}{{\dot{I}}_o}$

      计算在P47

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11. 共模、差模信号的定义、计算。

    • 零点漂移，也称温度漂移

      • 引起的原因：晶体管参数随温度的变化，电源电压的波动，电路元器件参数的变化等。

        温度的影响。

      • 抑制方法：差分放大电路。

    • 共模信号

      • 定义：两个输入信号电压的大小相等、极性相同。

    • 差模信号

      • 定义：两个输入信号电压的大小相等、极性相反。

    • 计算：

      • 单管差模电压放大倍数：$A_{d1}=\frac{u_{O1}}{u_{I1}}=-\frac{\beta i_B{R}_C}{R_B+r_{be}}=A_{d2}$

      • 双端输出电压：$u_O=u_{O1}-u_{O2}=A_{d1}(u_{I1}-u_{I2})$

      • 双端输入-双端输出差分放大电路的差模电压放大倍数：$A_d=A_{d1}$

      • 接有负载时，$A_d=-\frac{\beta i_B{R}_L^{\prime }}{R_B+r_{be}},R_L^{\prime }=R_C//\frac{1}{2}{R}_L$

        P69-70 表15.7.1 四种差分放大电路

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12. 差分放大电路的作用，共模抑制比的定义。

    • 作用：抑制零点漂移。

    • 共模抑制比$K_{CMRR}=\frac{A_d}{A_c}$

      对数形式$K_{CMR}=20\lg \frac{A_d}{A_c}(\text{dB})$

      • 共模抑制比越大，差分放大电路分辨所需要的差模信号的能力越强，而受共模信号的影响越小。

      • 提高共模抑制比的方法：

        ① 使电路参数尽量对称。

        ② 尽可能加大共模抑制电阻Re。

        ​ 对于单端输出的差分放大电路来说，主要的手段只能是加大Re。

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13. 复合管的放大倍数。

    复合管的放大倍数近似为两管的放大系数的乘积。

    $\beta =\frac{i_c}{i_b}=({\beta }_1+{\beta }_2+{\beta }_1{\beta }_2)\approx {\beta }_1{\beta }_2$

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14. 互补对称功率放大电路的基本要求，甲类、乙类、甲乙类的特点，交越失真，OTL，OCL。

    • 基本要求

      ① 在不失真的情况下能输出尽可能大的功率。

      ② 由于功率较大，就要求提高效率。效率，即负载得到的交流信号功率 和 电源供给的直流功率的比值。

    • 甲类、甲乙类、乙类放大电路

      • 甲类：静态工作点Q大致在交流负载线的中点。

        • 特点

          不论是否有输入信号，电源供给的功率都是$P_E=U_{CC}{I}_C$。

          最高效率为50%。

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        甲乙类和乙类的$P_E=U_{CC}{I}_{C(AV)}$

      • 甲乙类：在Ucc不变的情况下，减小电源供给的功率，结果是Ic减小，工作点Q下移。

        • OTL和OCL电路都工作在甲乙类状态。

      • 乙类：将工作点下移到$I_C\approx 0$处。

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    • 交越失真

      在分析电路时把三极管的导通电压看作零，当输入电压较低时，因三极管截止而产生的失真称为交越失真。这种失真通常出现在通过零值处。与一般放大电路相同，消除交越失真的方法是设置合适的静态工作点，使得三极管在静态时微导通。

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    • **无输出变压器(OTL)**的互补对称放大电路

      • 用两种类型不同、特性基本相同的晶体管（或复合管，要求输出功率较大时）。

      • $C_L$必须足够大。（为了输出波形的对称）。

        但会影响低频性能和无法实现集成化。

      • 由于二极管的动态电阻很小，R1的阻值也不大，所以两个晶体管的交流电位基本上相等。

        否则， 可能会造成输出波形上、下波形不对称的情况。

    • **无输出电容(OCL)**的互补对称放大电路

      • 将OTL的电容$C_L$移去，加一个反向电压 $-U_{CC}$。

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15. 集成运放的电路组成（输入级、中间级、输出级、偏置电路）。

    • 输入级

      输入电阻高、静态电流小、差模放大倍数高、抑制零点漂移和共模干扰信号的能力强。

      采用差分放大电路。

    • 中间级：主要进行电压放大

      电压放大倍数高。

      采用共发射极放大电路：放大管使用复合管，提高电流放大系数；集电极电阻采用晶体管恒流源代替，提高电压放大倍数。

    • 输出极

      输出电阻低，带负载能力强，可以输出足够大的电压和电流。

      采用互补功率放大电路/射极输出器。

    • 偏置电路：为上述各级电路提供稳定和合适的偏置电流，决定各级的静态工作点

      采用恒流源电路。

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16. （理想）运算放大器的主要参数、传输特性。

    • 主要参数

      P97

    • 理想运算放大器

      开环电压放大倍数$A_{uo}\to \infty$

      差模输入电阻$r_{id}\to \infty$

      开环输出电阻$r_o\to 0$

      共模抑制比$K_{CMRR}\to \infty$

    • 运放的主要特点

      开环电压放大倍数高、输入电阻高、输出电阻低、漂移小、可靠性高、体积小。

    • 运放的传输特性：P98 图16.1.4 表示输出电压和输入电压之间关系的特性曲线。

      可分为线性区和饱和区。

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17. 集成运放工作在线性区、饱和区的特点。虚短、虚断、虚地的含义。

    • 线性区（通常引入深度电压负反馈）

      • 分析依据：

        ① 虚断。可认为两个输入端的输入电流为0，即 $i_{+}=i_{-}\approx 0$

        ② 虚短。$u_{+}\approx u_{-}$

        • 虚地。如果反相端有输入时，同相端接地，则 $u_{-}\approx u_{+}=0$。

    • 饱和区

      • $u_O=+U_{O(sat)}或-U_{O(sat)}$

        当$u_{+}>u_{-}$时，$u_O=+U_{O(sat)}$；

        反之则$u_O=-U_{O(sat)}$。

      • 两端的输入电流也可视为0。

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18. 运算放大器在信号运算方面的应用（比例、加法、减法）。

19. 运算放大器在信号处理方面的应用（采样保持、电压比较）。

20. 正负反馈的判断、负反馈类型的判断（并联/串联、电压/电流）、负反馈对放大电路的影响（减低放大倍数、提高放大倍数的稳定性、改善波形失真、对输入、输出电阻的影响）。

    • 正负反馈的判断

      瞬时极性法

    • 负反馈类型的判断：

      • 电压/电流反馈
        • 从负载电阻近地端引出：电流反馈，ro↑
        • 直接从输出端引出：电压反馈，ro↓
      • 串联/并联反馈
        • 加在不同的输入端：串联反馈，ri↑
        • 加在相同的输入端：并联反馈，ri↓

    • 负反馈对放大电路的影响

      • 降低放大倍数
      • 提高放大倍数稳定性
      • 改善波形失真
      • 展宽通频带
      • 对输入电阻的影响ri
        • 串联反馈：ri增大
        • 并联反馈：ri减小
      • 对输出电阻的影响ro
        • 电流反馈：ro较高
        • 电压反馈：ro较低

    • 分立元器件放大电路中的负反馈

      • 集电极引出：电压

      • 发射极引出：电流

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      • 基极引入：并联

      • 发射极引入：串联

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21. 整流电路的类型（半波/桥式）。

    P164 常见的几种整流电路

    • 单相半波
    • 单相全波
    • 单相桥式
    • 三相半波
    • 三相桥式

22. 滤波电路的类型（电容、LC、π形）。

    • 电容滤波器
    • LC滤波器
    • π形滤波器

23. 直流稳压电源（稳压二极管、集成三端稳压电源）。