PN结及其单向导电

PN结

PN结是半导体器件的最基本的结构之一，具有**单向导电性**

PN结的形成

*****在本征半导体(纯净的单晶半导体)中掺杂五价元素杂志形成以自由电子为多数，空穴为少数的N型半导体，同样在本征半导体中掺入三价元素杂志，就可以形成P型半导体。
*****若采用特殊制造工艺，在同一块半导体基片两边分别形成P型半导体和N型半导体，P型半导体和N型半导体交界处会形成一个空间电荷区，P区中的空穴会移动到N区与自由电子组对，同样N区 的自由电子也会移动到P区与空穴组对，这样中间相近的自由电子与空穴都移动走了，这个电荷区就是PN结，同时建立内电场，由N区指向P区。

PN结正偏

若给PN结外加偏置电压如上图，电流由P流向N，此时内电场的电流方向与外加偏执电场中电流的方向相反，PN结被挤压变窄，外电场抵消内电场的作用，形成较大的正向电流，PN结呈现很小的电阻，此时PN结导通，也叫PN结正偏。

PN结反偏

若给PN结外电场偏置电压如上，电流由N区流向P区，此时外电场电流方向与内电场电流方向一致，属于是变相的加强的内电场，使PN结变宽，只形成很小的反向电流，近似为零，此时PN结截止，也叫PN结反偏。

注：硅材料的PN结内电场导通电压在0.5V~0.7V之间，锗材料在0.2到0.3V之间