念心科道尊
时间同腐败是一回事。意料不到的东西以意料不到的方式变化,任何人都无从知晓。
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半导体器件物理【13】载流子输运现象 —— 霍尔效应
呀呀呀,天天写这个有点烦。心里不想写又不得不写,甚至写了这个后还有很多要写的,还有好几科没什么进展,更不用提自己喜欢的东西了。我讨厌这个世界。原创 2021-12-10 03:16:20 · 2758 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【4】晶胞晶格晶面晶向
仍然是一些基础知识,从晶体、固体、非晶体到晶向、晶面到原子价键。原创 2021-11-02 01:18:43 · 1517 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【16】非平衡过剩载流子 —— 准费米能级
人生总是缺点什么!无论在哪里都是一样的心情,无论在哪里都被命运牢牢地束缚!原创 2021-12-19 22:02:26 · 1891 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【2】量子理论扫盲——从Schrödinger到扫描隧道显微镜
前言半导体器件物理中量子力学初步的下半部。从薛定谔方程到隧道显微镜。目录前言Schrödinger方程自由粒子的Schrödinger方程第一种推导方法第二种推导方法势场中运动粒子的Schrödinger方程多粒子体系的Schrödinger方程波函数的物理意义几率守恒定律波函数的标准条件定态Schrödinger方程本征值方程解定态问题的步骤定态的性质判断是否是定态的方法一维无限深势阱阱的定态薛定谔方程的解一维无限势阱中粒子的定态波函数一维无限深势阱的几率幅与几率密度曲线宇称要注意的事一维势垒一维势原创 2021-10-31 07:16:29 · 546 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【14】非平衡过剩载流子 —— 非平衡少数载流子浓度 、附加电导、扩散电流、漂移电流、总电流
喝着热水壶装的红枣牛奶,熬着三点钟的夜,一边看木鱼水心,一边看第一序列,一边写读书笔记。刚写完这学期全部但是待修补的数学笔记,之前还喝了瓶咖啡,我现在是两个月里,晚上最清醒的状态。以前每个晚上都不学习,就像吃饭的时候绝不学习一样,很多需要积累思想的时间全部浪费掉了。以后一些天,大概一个月吧,也想天天有这样的状态。晚上喝咖啡打起精神,早上喝咖啡强行振作!...原创 2021-12-15 04:07:01 · 1379 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【15】非平衡过剩载流子 —— 连续性方程
腱鞘炎好痛,就算不用鼠标不打字不拿手机,右手还是痛。目录前言漂移&扩散爱因斯坦关系式连续性方程N型半导体少子(空穴)浓度连续性方程P型半导体少子(电子)浓度连续性方程少子连续性方程应用稳态少子连续性方程稳态扩散方程(无E)光激发载流子的衰减稳态下的表面复合 \; \; \;漂移&扩散漂移由电场、光导致——平衡载流子n,pn,pn,p漂移,非平衡载流子Δn,Δp\Delta n,\Delta pΔn,Δp漂移。扩散由浓度差导致——平衡载流子(n,pn,pn,p)均...原创 2021-12-18 15:40:38 · 3396 阅读 · 1 评论 -
半导体器件物理【5】固体量子 —— 能带与k空间
没时间了,进度拖了两周 ! 好想游泳!原创 2021-11-14 22:38:52 · 1408 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【11】载流子输运现象 —— 散射率Ρ、迁移率μ、电阻率ρ(电导率σ)、砷化镓
载流子输运就是求电流密度相关。目录前言平均自由时间与散射概率 \; \; \;平均自由时间与散射概率自由时间:载流子在电场中漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才能加速平均自由时间τ=1P平均自由时间\tau = \frac{1}{P}平均自由时间τ=P1NNN个电子,某一方向上速度vvv。t0t_0t0时刻未被散射的电子N0N_0N0个,ttt时刻未被散射的电子NNN个。N(t)=N0e−Pt=N0e−tτN(t)=N_0 e^{-Pt}= N_0 e^{-...原创 2021-12-09 16:20:43 · 3466 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【17】非平衡过剩载流子 —— 复合
我对自己失望了。不对别人,不对世界,只对我自己。原创 2021-12-20 01:13:11 · 1876 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【1】量子理论扫盲——从Planck到态叠加原理
前言其实这篇应该是第三篇,前面还有绪论关于半导体制作,和第一章关于晶格晶面的知识。但是因为最近学的是量子力学初步,所以有印像点。再者,上周刚写了篇狄拉克量子力学原理第一篇态叠加原理,然后上这课的时候就碰到了,还是略过的。这让我有了点自豪。量子力学基本原理Planck1900年Planck对黑体辐射的解释:黑体可看作是一组连续振动的带电谐振子,这些谐振子的能量应取分立值,这些分立值都是最小能量ϵ\epsilonϵ的整数倍,这些分立的能量称为谐振子的能级。每个能量子的能量:ϵ=hν=ℏω,其中ℏ=h原创 2021-10-29 23:13:47 · 654 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【7】固体量子 —— 统计力学
概念性的问题,什么是麦克斯韦-玻尔兹曼分布?麦克斯韦-玻尔兹曼分布与玻色-爱因斯坦分布区别是什么?什么是费米分布?这一篇只是简单罗列几个概念,反正这些概念前前后后会反复被提到!原创 2021-11-16 14:30:36 · 1269 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【23】PN结 —— 结电容和势垒电容、扩散电容、三种击穿
前言半导体器件物理最后一个内容了吧。PN结在低频电压下整流效应很好,但是高频时因为电容特性整流效应变坏。原创 2021-12-22 10:53:19 · 7116 阅读 · 2 评论 -
半导体器件物理【24】施主、受主、III族、V族的关系
III族一定是受主吗,V族一定做施主吗?原创 2021-12-27 22:46:03 · 3156 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【3】半导体与IC工艺
半导体器件物理课的绪论,以下内容被忽略:半导体的历史、地位、集成电路的发展趋势和前景等。原创 2021-10-31 20:29:24 · 1056 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【8】平衡半导体 —— 平衡状态、统计力学
这篇很多都和前面的一样,也算是复习了一遍。几种分布函数的确没弄明白。原创 2021-11-30 17:23:18 · 932 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【22】PN结 —— 单向导电、影响结电流电压偏离的因素
前言目录前言单向导电性温度对电流密度影响很大理论与实验的偏差影响PN结电流电压偏离势垒区中的产生和复合势垒的产生电流势垒的产生电流势垒的复合电流势垒的复合电流大注入大注入情况 \;\\\;\\\;单向导电性扩散区非平衡少数载流子电流密度J=Js[exp(qVk0T)−1]J=J_s [ exp(\frac{ qV }{k_0T}) - 1 ]J=Js[exp(k0TqV)−1]正偏 J=Jsexp(qV/k0T)J=J_s exp(qV/k_0T)J=Jsexp(qV/k原创 2021-12-21 05:11:59 · 2343 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【9】平衡半导体 —— 掺杂
事多是多,但时间反而减少了。这逼我只能把事给压缩,只做其中的几件事,很多就放弃了。时间是挺宝贵,可是我做事没动力,就算有更多的时间只怕也不行。目录前言半导体掺杂浅掺杂质电离能(施主)浅掺杂质弱束缚电子的基态轨道半径 \; \; \;半导体掺杂III族、V族杂质在Si、GeSi、GeSi、Ge晶体中分别为受主和施主杂质,施主能级比导带低,受主能级比价带高,两种均是浅能级,杂质也为浅能级杂质。杂质处于两种状态:中性态和离化态。当处于离化态,施主杂质向导带提供电子成为正电中心(电子从施...原创 2021-12-06 15:12:56 · 1193 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【12】载流子输运现象 ——扩散运动
大丰打更人里主角给杨千环这个二手逼王几句装逼的话,手握日月摘星辰,世间无我这般人。原创 2021-12-09 16:47:30 · 4390 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【10】载流子输运现象 —— 电流密度、散射
似乎是把电子当做流体、气体?有点Drude模型的意思。原创 2021-12-06 18:32:12 · 2361 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【19】PN结 —— 制造方法、空间电荷区、PN结平衡态
前言目录前言PN结PN结制造方法合金法扩散法离子注入法PN结平衡态空间电荷区电流密度 \;\\\;\\\;PN结一块N型半导体和一块P型半导体结合在一起,交界处形成PN结或同一块半导体内N型区与P型区的边界 \;PN结是一块非均匀的半导体。在任何非均匀半导体中,热平衡时必须具有统一费米能级,即各处费米能级在同一水平面上! \;\\\;\\\;PN结制造方法合金法500°C500 °C500°C 加热溶解杂质金属,在金属下面的半导体衬底中产生PN结这是原创 2021-12-21 01:27:33 · 2728 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【21】PN结 —— 载流子分布、正偏反偏
前言目录前言PN结载流子分布 \;\\\;\\\;PN结载流子分布假设P区为电势零点,P区势垒边界为坐标 −xp-x_p−xp ,N区势垒边界为 xnx_nxn假设任意点电势为正,xnx_nxn有最大值 VdV_dVd电子浓度n=nn0⋅exp(qV(x)−Vdk0T)n=n_{n0} · exp( q \frac{ V(x) - V_d }{k_0T} )n=nn0⋅exp(qk0TV(x)−Vd){V(x)=0 , n(−xp)=np0x=−xpV(x原创 2021-12-21 04:06:23 · 9765 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【18】非平衡过剩载流子习题
空穴区有电子、空穴,电子区有空穴、电子,还有平衡载流子和非频繁载流子,实在是复杂。这一篇复习几个习题,在脑子里过一遍概念! \;\\\;\\\;P型半导体掺杂受主Na=1016/cm3N_a=10^{16}/cm3Na=1016/cm3,少子寿命10us10us10us,在均匀光照下,产生非平衡载流子,其产生率为1018/s⋅cm310^{18} /s· cm^31018/s⋅cm3。求室温时光照下的EfE_fEf,和无光照时的EfE_fEf作比较。(ni=1010/cm3n_i=10^{1原创 2021-12-20 15:37:41 · 559 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【6】固体量子——各种电子有效质量 + 状态密度函数
有效质量是什么?有效质量与静质量的区别?怎么求禁带宽度Eg?原创 2021-11-15 18:28:31 · 3728 阅读 · 0 评论 -
半导体器件物理【20】PN结 —— 费米能级与电流关系、接触电势差
前言目录前言PN结能带势垒区费米能级与电流关系平衡态时接触电势差平衡时相关因素 \;\\\;\\\;PN结能带平衡态的PN结能带图电子从N到P,空穴从P到N产生内建电场EEE,方向从N到P,电势ψ\psiψ从N到P下降,电子电势能 (-q)V(x) 逐渐上升。 \;\\\;\\\;势垒区在PN结的空间电荷区中,因为空间电荷区中的电势能变化,导致能带弯曲这一势能坡叫势垒区 \;\\\;\\\;费米能级与电流关系Jn=Jn扩+Jn漂=qDndndx原创 2021-12-21 02:27:59 · 4696 阅读 · 0 评论