模电【第一章 常用半导体器件】

目录

1.1 半导体基础知识

        1. 本征半导体

        2. 杂质半导体

        3. PN结

         4. 例题

1.2 半导二极管

        1. 半导体二极管的几种常见结构

        2. 二极管的伏安特性

        3. 二极管的主要参数

        4. 二极管的等效电路

        5. 稳压二极管

        6. 其他类型二极管

        7.  例题

1.3 晶体三极管（双极型三极管）

        1. 晶体管的结构以及类型

        2. 晶体管的电流放大作用

        3. 晶体管的共射特性曲线

        4. 晶体管的主要参数

        5. 温度对晶体管特性及参数的影响

        5. 例题

1.4 场效应管（单极型场效应管）

        1. 结型场效应管

        2. 绝缘栅型场效应管

        3. 场效应管的主要参数

        4. 场效应管与晶体管的比较

        5. 例题

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1.1 半导体基础知识

        1. 本征半导体

（1）导体：导电物质

（2）绝缘体：几乎不导电

（3）半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间

（4）本征半导体：完全纯净不含杂质且具有晶体结构的半导体

（5）半导体中的两种载流子：自由电子，空穴。二者成对出现。浓度分别为ni，pi。且ni = pi。

（6）本征激发（热激发）：与温度光照相关。温度与光照产生载流子行为。

（7）载流子浓度与温度密切相关，温度越高，浓度指数增加

        2. 杂质半导体

（1）N型半导体

参入5价杂质元素，例如磷。电子是多子，空穴是少子ni >> pi 。

（2）P型半导体

参入3价杂质元素，例如磷。空穴是多子，电子是少子ni << pi 。

 （3） 说明

        a）参入杂质的浓度决定多数载流子浓度，温度决定少数载流子浓度。

        b）杂质半导体载流子远远多于本征半导体，导电性能大大增加

        c）杂质半导体总体上表现电中性

        3. PN结

（1）扩散运动

        自由电子与空穴由于浓度差形成多数载流子扩散的运动

（2）内电场

        a）由于扩散运动，交界处出现空间电荷区--PN结，耗尽层，产生内电场。

        b）交界处载流子浓度降低

        c）内电场阻碍扩散运动，有利于少子运动（漂移运动）

（2）漂移运动

       

 （3）扩散与漂移的动态平衡

        当扩散电流与漂移电流相等时，PN结总的电流为0，空间电荷区的宽度稳定。

        扩散运动使空间电荷区变大，内电场变大，扩散电流变小，同时漂移电流变大

（4）PN结单向导电性

        a）正向偏置

                空间电荷区变小，有利于扩散运动，不利于漂移运动，产生很大的扩散电流（正向电流）。相当于电路接通。

        b）反向偏置

                空间电荷区变大，有利于漂移运动，不利于扩散运动。产生反向饱和电流，（与少子浓度有关（浓度与温度有关），因为少子少，所以反向饱和电流比较小几乎等于0）。相当于电路断开。

（5）PN结电流方程

                由此得出伏安特性曲线

（6）PN结伏安特性曲线

         4. 例题

1.2 半导二极管

        1. 半导体二极管的几种常见结构

        （1）点接触型二极管

        PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路

        （2）面接触型二极管

         PN结面积打，用于工频大电流整流电路

        （3）平面型二极管

        用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中

        2. 二极管的伏安特性

 

         一般用导通电压

        3. 二极管的主要参数

        （1）最大整流电流

                长期运行时允许通过的最大正向平均电流，超过将烧坏二极管

        （2）最高反向工作电压

                工作时允许外加的最大反向电压，超过，二极管可能反向击穿。  =  /2

        （3）反向电流

                未击穿的反向电流，越小，单向导电性越好，对温度敏感

        （4）最高工作频率

                工作时上限截止频率，超过则不能体现单向导电性

        4. 二极管的等效电路

        （1）由伏安特性曲线折线化得到的等效电路

                a）理想模型

                  b）恒压降模型

                 c）折线模型

         （3）二极管的微变等效电路

                二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。

        5. 稳压二极管

        （1）稳压管伏安特性曲线

                利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向击穿状态，反向电压应大于稳压电压。

（2）稳压管主要参数

                a）稳定电压

                        在规定电流下稳压管的反向击穿电压，

                 b）动态电阻 

                 c）最大耗散功率

                 d）最大稳定工作电流和最小稳定工作电流

                 e）温度系数

        6. 其他类型二极管

        （1）发光二极管LED

         （2）光电二极管

        7.  例题

含二级管电路解题步骤

 

 常见稳压管电路

1.3 晶体三极管（双极型三极管）

         两种载流子参与导电。电流型控制器件

        1. 晶体管的结构以及类型

        （1）NPN型

 ·（2）PNP型

        2. 晶体管的电流放大作用

        （1）晶体管内部载流子的运动

                a）工作条件

       主要是发射区电子移动到基区产生的电流，因为基区掺杂浓度不高，空穴向发射区移动的不多，产生的电流也不大。

        发射区的电子到达基区后，由于集电结反向偏置，部分还会 因为漂移运动继续扩散到集电区，产生集电极电流

      集电区的自身的少子（空穴）与基区本来自身的少子（电子）还会因为反向偏置产生反向饱和电流（很小，可忽略）。

        由此可得   =  + 。

        （2）晶体管的共射电流放大系数

        发射极接地：共发射极

         （2）晶体管的共基电流放大系数

        3. 晶体管的共射特性曲线

                （1）输入特性曲线

         （2）输出特性曲线

        4. 晶体管的主要参数

                三极管的参数分为三大类：直流参数，交流参数，极限参数

                （1）直流参数

                        a）共发射极直流电流放大系数

                         b）共基直流电流放大系数

                         c）集电极基极间反向饱和电流和集电极发射极间的反向饱和电流之间的关系

                 （2）交流参数

                        a）共发射极交流电流放大系数

                         b）共基直流电流放大系数

                         c）特征频率

                 （3）极限参数

                        a）最大集电极耗散功率

                        b）最大集电极电流

                        c）反向击穿电压

        5. 温度对晶体管特性及参数的影响

        5. 例题

1.4 场效应管（单极型场效应管）

         一种载流子参与导电。电压型控制器件。

        场效应管：一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，又称单极性三极管。输入电阻高。

        分类：

        1. 结型场效应管

                （1）N沟道结型场效应管

                （2）P 沟道结型场效应管

                 （3）结型场效应管工作原理

                 （3）输出特性曲线

        （4）转移特性

         （5）P沟道

        2. 绝缘栅型场效应管

         （1）N沟道增强型MOS管

                 a）转移特性

                 b）输出特性曲线

         （2）N沟道耗尽型MOS管

        （3）其他

                a）P沟道增强型

                 b）P沟道耗尽型

        3. 场效应管的主要参数

        4. 场效应管与晶体管的比较

        5. 例题