操作系统：存储器——存储技术

最新推荐文章于 2024-08-07 22:22:58 发布

_索伦

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分类专栏：操作系统文章标签：缓存硬件架构系统架构 c++ 开发语言

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前言

作为一个程序员，你需要理解存储器层次结构，因为它对应用程序的性能有着巨大的影响。如果你的程序需要的数据是存储在CPU寄存器中的，那么在指令的执行期间，在0个周期内就能访问到它们。如果存储在高速缓存中，需要4～75个周期。如果存储在主存中，需要上百个周期。而如果存储在磁盘上，需要大约几千万个周期!

一、存储技术

1. 随机访问存储器（部分）

随机访问存储器(Random-Access Memory，RAM)分为两类：静态的和动态的。

静态RAM(SRAM)比动态RAM(DRAM)更快，但也贵得多。 SRAM 用来作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下。DRAM用来作为主存以及图形系统的帧缓冲区。典型地，一个桌面系统的SRAM不会超过几兆字节，但是 DRAM却有几百或几千兆字节。

1.1 静态RAM

SRAM将每个位存储在一个双稳态的(bistable)存储器单元里。每个单元是用一个六晶体管电路来实现的。这个电路有这样一个属性，它可以无限期地保持在两个不同的电压配置(configuration)或状态(state)之一。其他任何状态都是不稳定的——从不稳定状态开始，电路会迅速地转移到两个稳定状态中的一个。这样一个存储器单元类似于图中画出的倒转的钟摆。

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当钟摆倾斜到最左边或最右边时，它是稳定的。从其他任何位置，钟摆都会倒向一边或另一边。原则上，钟摆也能在垂直的位置无限期地保持平衡，但是这个状态是亚稳态的(metastable)—最细微的扰动也能使它倒下，而且一旦倒下就永远不会再恢复到垂直的位置。
由于SRAM存储器单元的双稳态特性，只要有电，它就会永远地保持它的值。即使有干扰(例如电子噪音)来扰乱电压，当干扰消除时，电路就会恢复到稳定值。

1.2 动态RAM

DRAM将每个位存储为对一个电容的充电。这个电容非常小，通常只有大约30毫微微法拉(femtofarad.)——30×10^-15法拉。不过，回想一下法拉是一个非常大的计量单位。DRAM存储器可以制造得非常密集—―每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。但是，与SRAM 不同，DRAM存储器单元对干扰非常敏感。当电容的电压被扰乱之后，它就永远不会恢复了。暴露在光线下会导致电容电压改变。

图中总结了SRAM和 DRAM存储器的特性。只要有供电，SRAM就会保持不变。与DRAM不同，它不需要刷新。SRAM的存取比DRAM 快。SRAM对诸如光和电噪声这样的干扰不敏感。代价是SRAM单元比DRAM单元使用更多的晶体管，因而密集度低，而且更贵，功耗更大。

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1.3 内存模块

DRAM芯片封装在内存模块( memory module)中，它插到主板的扩展槽上。Corei7系统使用的240个引脚的双列直插内存模块(Dual Inline Memory Module，DIMM)，它以64位为块传送数据到内存控制器和从内存控制器传出数据。

如图展示了一个内存模块的基本思想。示例模块用8个64 Mbit的8M × 8的 DRAM芯片，总共存储64MB(兆字节)，这8个芯片编号为0～7。每个超单元存储主存的一个字节，而用相应超单元地址为(i，j)的8个超单元来表示主存中字节地址A处的64位字。在图6-5的示例中，DRAMO存储第一个(低位)字节，DRAM1存储下一个字节，依此类推。
要取出内存地址A处的一个字，内存控制器将A转换成一个超单元地址(i，j)，并将它发送到内存模块，然后内存模块再将主和j广播到每个 DRAM。作为响应，每个DRAM输出它的(i，j)超单元的8位内容。模块中的电路收集这些输出，并把它们合并成一个64位字，再返回给内存控制器。

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1.4 访问主存

数据流通过称为总线(bus)的共享电子电路在处理器和DRAM主存之间来来回回。次CPU和主存之间的数据传送都是通过一系列步骤来完成的，这些步骤称为总线事务(bus transaction)。读事务(read transaction)从主存传送数据到CPU。写事务(write transaction)从 CPU传送数据到主存。

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2. 磁盘存储

磁盘是广为应用的保存大量数据的存储设备，存储数据的数量级可以达到几百到几千千兆字节，而基于RAM的存储器只能有几百或几千兆字节。不过，从磁盘上读信息的时间为毫秒级，比从 DRAM读慢了10万倍，比从SRAM读慢了100万倍。

2.1 磁盘构造

磁盘是由盘片(platter)构成的。每个盘片有两面或者称为表面(surface)，表面覆盖着磁性记录材料。盘片中央有一个可以旋转的主轴(spindle)，它使得盘片以固定的旋转速率(rotational rate)旋转，通常是5400~15000转每分钟(Revolution Per Minute，RPM)。磁盘通常包含一个或多个这样的盘片，并封装在一个密封的容器内。

图a展示了一个典型的磁盘表面的结构。每个表面是由一组称为磁道(track)的同心圆组成的。每个磁道被划分为一组扇区(sector)。每个扇区包含相等数量的数据位(通常是512字节)，这些数据编码在扇区上的磁性材料中。扇区之间由一些间隙(gap)分隔开，这些间隙中不存储数据位。间隙存储用来标识扇区的格式化位。

磁盘是由一个或多个叠放在一起的盘片组成的，它们被封装在一个密封的包装里，如图b所示。整个装置通常被称为磁盘驱动器(disk drive)，我们通常简称为磁盘(disk)。有时，我们会称磁盘为旋转磁盘(rotating disk)，以使之区别于基于闪存的固态硬盘(SSD)，SSD是没有移动部分的。

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2.2 磁盘容量

一个磁盘上可以记录的最大位数称为它的最大容量，或者简称为容量。磁盘容量是由以下技术因素决定的:

记录密度(recording density)(位/英寸)：磁道一英寸的段中可以放入的位数。
磁道密度(track density)(道/英寸)：从盘片中心出发半径上一英寸的段内可以有的磁道数。
面密度(areal density)(位/平方英寸)：记录密度与磁道密度的乘积。

计算公式：
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2.3 磁盘操作

磁盘用读/写头(read/write head)来读写存储在磁性表面的位，而读写头连接到一个传动臂(actuator arm)一端，如图a所示。通过沿着半径轴前后移动这个传动臂，驱动器可以将读/写头定位在盘面上的任何磁道上。这样的机械运动称为寻道(seek)。一旦读/写头定位到了期望的磁道上，那么当磁道上的每个位通过它的下面时，读/写头可以感知到这个位的值(读该位)，也可以修改这个位的值(写该位)。有多个盘片的磁盘针对每个盘面都有一个独立的读/写头，如图b所示。读/写头垂直排列，一致行动。在任何时刻，所有的读/写头都位于同一个柱面上。

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2.4 访问磁盘

CPU使用一种称为内存映射I/O(memory-mapped I/O)的技术来向I/O设备发射命令。在使用内存映射I/O的系统中，地址空间中有一块地址是为与I/O设备通信保留的。每个这样的地址称为一个1/O端口(I/O port)。当一个设备连接到总线时，它与一个或多个端口相关联(或它被映射到一个或多个端口)。

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3. 固态硬盘

固态硬盘(Solid State Disk，SSD)是一种基于闪存的存储技术，在某些情况下是传统旋转磁盘的极有吸引力的替代产品。SSD封装插到I/O总线上标准硬盘插槽(通常是USB或SATA)中，行为就和其他硬盘一样，处理来自CPU的读写逻辑磁盘块的请求。一个SSD 封装由一个或多个闪存芯片和闪存翻译层(flash translation layer)组成，闪存芯片替代传统旋转磁盘中的机械驱动器，而闪存翻译层是一个硬件/固件设备，扮演与磁盘控制器相同的角色，将对逻辑块的请求翻译成对底层物理设备的访问。

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读SSD比写要快。随机读和写的性能差别是由底层闪存基本属性决定的。如所示，一个闪存由B个块的序列组成，每个块由Р页组成。通常，页的大小是512字节～4KB，块是由32～128页组成的，块的大小为16KB~512KB。数据是以页为单位读写的。只有在一页所属的块整个被擦除之后，才能写这一页(通常是指该块中的所有位都被设置为1)。不过，一旦一个块被擦除了，块中每一个页都可以不需要再进行擦除就写一次。在大约进行100 000次重复写之后，块就会磨损坏。一旦一个块磨损坏之后,就不能再使用了。

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随机写很慢，有两个原因。首先，擦除块需要相对较长的时间，1ms级的，比访问页所需时间要高一个数量级。其次，如果写操作试图修改一个包含已经有数据(也就是不是全为1)的页p，那么这个块中所有带有用数据的页都必须被复制到一个新(擦除过的)块，然后才能进行对页p的写。制造商已经在闪存翻译层中实现了复杂的逻辑，试图抵消擦写块的高昂代价，最小化内部写的次数，但是随机写的性能不太可能和读一样好。