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RSS订阅原创 晶振容性负载的计算
50ppm，在对应的温度范围内，晶体最大频偏不会超50ppm(——晶体容性负载，这是晶体稳定工作的基本要求，根据芯片资料可得。——引线(Trace）电容，根据芯片资料可得。——引脚电容，根据芯片资料可得。——外部( Trim）电容。三者并联，再与两边并联。
2024-07-27 17:16:16
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原创 MOSFET、TVS管、ESD和自恢复保险丝选型与应用
具有正的温度系数，当某个MOSFET通流比较多，功耗就会大，温度上升，导致电阻变大，使一部分电流分配到导通电阻小的MOSFET，实现多个MOSFET并联使用时的均流。N个MOSFET并联使用时，漏源极之间的等效导通电阻为单个MOSFET导通电阻。功率MOSFET 的功耗主要消耗在漏源极之间的导通电阻。的 1/N，即 MOSFET并联使用有利于减小MOSFET上的功耗。一般而言，MOSFET尺寸越大，——栅极与源极之间的寄生电容。设计时不能只是略大于。——栅极与漏极之间的寄生电容。
2024-07-25 14:09:22
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原创 笔记2——电容的选型及应用
note：泄漏特性——电容在工作过程中，由于介质材料的缺陷或外界环境的影响，会导致电容内部产生泄露电流。ESR：由电容器件的引脚电阻和电容器件两极间等效电阻构成，主要取决于电容工作温度、工作频率以及电容体本身的导线电阻等。ESL：电容器件的引脚电感和电容器件两极间等效电感串联而成，主要取决于封装。note：交流耦合——交流信号从一个电路传输到另一个电路，同时阻止直流。Rated Voltage：额定电压，需要降额20%（2）高频噪声的重要泄放通路。Rleak：取决于电容器件本身特有的泄漏特性。
2024-07-22 13:55:38
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原创 笔记1——LDO（低压差线性稳压器）
而在电流不大的场合，由于电源通路上压降较小，可尽量少地使用SENSE 功能，此时，SENSE引脚应在电源输出端直接与Vout相接。即可，由于SENSE信号线不承载大电流，因此压降极小，可忽略，从而使电源芯片的SENSE引脚对地电压近似等同于负载电压，电源芯片获取该信息后，可自动调节Vout，直到SENSE引脚对地电压接近电源电压的设定值。调整管上产生的功耗全部转换了热能，为了提高散热能力，一些LDO器件会在腹部焊盘提供散热焊盘，一般将该焊盘连接到GND，且在散热焊盘上打多个到内层GND的过孔。
2024-07-20 12:35:24
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空空如也
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