晶振容性负载的计算

已于 2024-07-29 10:42:19 修改
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于 2024-07-27 17:16:16 首次发布
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1、关键参数

1.1 基准频率

1.2 频率精度

        50ppm，在对应的温度范围内，晶体最大频偏不会超50ppm(10^{-6})

1.3 容性负载

1.4 室温下的精度

1.5 老化度

2、容性负载的计算

                C_{L}——晶体容性负载，这是晶体稳定工作的基本要求，根据晶振资料可得

                C_{e}——外部( Trim）电容（需要我们计算）

                C_{s}——引线(Trace）电容，根据芯片资料可得

                C_{i } ——引脚电容，根据芯片资料可得

        晶体容性负载的计算公式为：
                        C_{L}=\frac{1}{1/(C_{e1}+C_{s1}+C_{i1})+1/(C_{e2}+C_{s2}+C_{i2})}

note：C_{e}、C_{s}、C_{i }三者并联，再与两边并联

晶体两端引线和引脚电容相等，则有：

                ​​​​​​​        ​​​​​​​        ​​​​​​​        ​​​​​​​        C_{e}=2*C_{L}-(C_{S}+C_{i})

以STM32F103的芯片为例，有数据手册可得：

HDSC、
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