MOSFET、TVS管、ESD和自恢复保险丝选型与应用

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已于 2024-08-19 13:46:30 修改

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文章标签：硬件工程单片机 pcb工艺

于 2024-07-25 14:09:22 首次发布

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1、MOS管的模型

2、参数

2.1 漏源级间的导通电阻 $R_{DS\left ( ON \right )}$

功率MOSFET 的功耗主要消耗在漏源极之间的导通电阻 $R_{DS\left ( ON \right )}$ 上，般为若干毫欧。一般而言，MOSFET尺寸越大， $R_{DS\left ( ON \right )}$ 越小。

N个MOSFET并联使用时，漏源极之间的等效导通电阻为单个MOSFET导通电阻 $R_{DS\left ( ON \right )}$ 的 1/N，即 MOSFET并联使用有利于减小MOSFET上的功耗。

$R_{DS\left ( ON \right )}$ 具有正的温度系数，当某个MOSFET通流比较多，功耗就会大，温度上升，导致电阻变大，使一部分电流分配到导通电阻小的MOSFET，实现多个MOSFET并联使用时的均流。

2.2 导通时的栅源级间电压 $V_{GS}$

设计时不能只是略大于 $V_{GS}$ 。

2.3 额定导通电流 $I_{D}$

2.4 响应速度

$C_{iss}$ ——栅极与源极之间的寄生电容 $C_{rss }$ ——栅极与漏极之间的寄生电容

3、TVS管（电压型瞬态抑制二极管）

3.1 过压保护

当输入电压突然增大，超过阈值电平时，TVS管反向导通，并提供快速的电流泄放通道，从而将电压钳位在安全区域，后级电路得到保护，而当输入电压恢复正常时，TVS管又能迅速地回到反向截至状态，不影响后级电路的正常工作。

2.2 TVS管特性

TVS管有单向与双向之分，单向TVS管一般应用于直流供电电路，双向TVS管应用于电压交变的电路。

例如，单向TVS管应用于直流电路时，如下图所示。当电路正常工作时，TVS 处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到TVS（雪崩）击穿电压时，TVS 迅速由高电阻状态突变为低电阻状态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常过电压钳制在较低的水平，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后，TVS 阻值又恢复为高阻态。

2.3 关键参数

（1） $V_{RWM}$ 截止电压

TVS 的最高工作电压，可连续施加而不引起TVS劣化或损坏的最高工作峰值电压或直流峰值电压。对于交流电压，用最高工作电压有效值表示，在 $V_{RWM}$ 下，TVS 认为是不工作的，即是不导通的。电路设计时最高工作电压必须小于 $V_{RWM}$ ，否则将会导致TVS动作导致电路异常。

选型： $V_{RWM}\approx1.1\sim 1.2*V_{CC}$ (不能选取的过高，如果太高，钳位电压也会较高)

(2) $I_{R}$ 漏电流

漏电流，也称待机电流。在规定温度和最高工作电压条件下，流过 TVS 的最大电流。对于同功率和同电压的 TVS，双向TVS漏电流是单向 TVS 漏电流的 2 倍。对于一些模拟端口，漏电流会影响AD的采样值，所以TVS的漏电流越小越好。

(3) $V_{BR}$ 击穿电压

击穿电压，指在 V-I 特性曲线上，在规定的脉冲直流电流 $I_{T}$ 或接近发生雪崩的电流条件下测得 TVS 两端的电压。

(4) $I_{PP}$ 峰值脉冲电流和 $V_{C}$ 钳位电压

$V_{C}$ 与TVS的雪崩击穿电压及 $I_{PP}$ 都成正比。

选型： $V_{C}<V_{max}$ (后级电路能承受的最高电压)

（5） $P_{PPM}$ 额定瞬态功率

TVS产品的额定瞬态功率应大于电路中可能出现的最大瞬态浪涌功率，理论上，TVS的功率越大越好，能够承受更多的冲击能量和次数，但是功率越高，TVS的封装越大，价钱也越高，所以，TVS的功率满足要求即可。对于不同功率等级的 TVS，相同电压规格的 TVS 其 $V_{C}$ 值是一样的，只是 $I_{PP}$ 不同。故 $P_{PPM}$ 与 $I_{PPM}$ 成正比， $I_{PPM}$ 越大， $P_{PPM}$ 也越大。

4、ESD (静电抑制二极管)

1、ESD工作原理

ESD 静电保护元件，又称静电抑制二极管，是一种钳位型过压保护器件，用于静电防护及一些较低浪涌的防护。ESD 是多个 TVS 晶粒或二极管采用不同的布局做成具有特定功能的多路或单路 ESD 保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护，如 USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、 SD 等。

(1)超低电容ESD系列（ $C_{J}<1pF$ ）

(2)低电容ESD系列（ $1pF<C_{J}<5pF$ ）

(3)普通电容ESD系列（ $C_{J}>5pF$ ）

2、ESD参数说明

$V_{RWM}$ 反向截止电压

ESD 允许施加的最大工作电压，在该电压下 ESD 处于截止状态，ESD 的漏电流很小，可以达到 10 纳安左右。

$V_{BR}$ 击穿电压

击穿电压是 ESD 要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为 1mA 的电流下测量。

$I_{R}$ 漏电流

在 ESD 器件两端施加 $V_{RWM}$ 电压下测得 ESD 的漏电流。

$I_{PP}$ 峰值脉冲电流和 $V_{C}$ 钳位电压

钳位电压，在给定大小的 $I_{PP}$ 下测得 ESD 两端的电压。大部分ESD产品 $V_{C}$ 与 $V_{BR}$ 及 $I_{PP}$ 成正比关系。

$C_{J}$ 结电容

PN 结的结电容，会影响数据传输，高频信号选取 ESD 时，一定要考虑 $C_{J}$ 对信号的影响，对于相同电压ESD产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的ESD，工作电压越高结电容就越低。

ESD一般用于各类通信端口静电防护，在一些高速数据线路，比如USB3.0、HDMI、IEEE1394等接口，ESD静电保护二极管的结电容应尽量选择小的，以避免影响通信质量。

5、自恢复保险丝（PPTC）

自恢复保险丝，英文缩写PPTC（Polymer Positive Temperature Coefficient），也叫聚合物正温度系数热敏电阻，是由高分子基体材料及导电微粒组成的一种具有自动恢复功能的被动保护器件。当有异常过电流通过自恢复保险丝时，产生的热量使高分子基体材料膨胀，包裹在高分子基体材料外的导电微粒会分开从而切断自恢复保险丝的导电通道使自恢复保险丝电阻上升，从而减小异常过电流。当异常过电流故障清除后，自恢复保险丝高分子基体材料收缩至原来的形状重新将导电微粒联结起来，导电通道会恢复，自恢复保险丝电阻又恢复到原来的低阻状态；此过程可循环多次。

5.1 自恢复保险丝(PPTC)特点特性

（1）对电流和温度比较敏感，电阻随温度和电流的增加而增大

（2）响应速度慢，一般几十毫秒甚至几秒，与电流大小有关

（3）PPTC 在电路正常工作状态下为低阻值，对电路几乎无影响

5.2 PPTC 选型注意事项

（1） $I_{h}$ 维持电流

PPTC 的维持电流定义为 PPTC 的最大不动作电流（维持电流），即在规定的环境温度下(优先 25°C )下，PPTC 始终保持其低电阻态的最大电流。

(2) $V_{max}$ 最大工作电压

$V_{max}$ 应大于或等于被保护线路的工作电压，否则容易导致 PPTC 失效。当 PPTC 处于保护状态，即高电阻状态时，被保护电路的系统电压会加在 PPTC 的两端，PPTC 应有足够的承受能力，否则故障电流排除后 PPTC 将难以恢复到初始的低阻状态，对 PPTC 的使用寿命有影响。

(3) 环境温度

PPTC 对环境温度较敏感，在较高的环境温度下，PPTC 的 $I_{h}$ 要降额选取，具体可参考规格书。

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MOSFET、TVS管、ESD和自恢复保险丝选型与应用

具有正的温度系数，当某个MOSFET通流比较多，功耗就会大，温度上升，导致电阻变大，使一部分电流分配到导通电阻小的MOSFET，实现多个MOSFET并联使用时的均流。N个MOSFET并联使用时，漏源极之间的等效导通电阻为单个MOSFET导通电阻。功率MOSFET 的功耗主要消耗在漏源极之间的导通电阻。的 1/N，即 MOSFET并联使用有利于减小MOSFET上的功耗。一般而言，MOSFET尺寸越大，——栅极与源极之间的寄生电容。设计时不能只是略大于。——栅极与漏极之间的寄生电容。
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