【光子器件逆向设计：研究热点与论文价值】

PART 01热点论文
《采用逆向设计的新型高集成度光子器件研究》（作者：韩晶慜，2020 年）：该论文在逆向设计的思想下，就新型的光电子器件展开了研究。主要成果包括设计了一种可作为光混沌源的新型硅基微腔光机械系统，提出了一种基于逆向设计的可调四通道波分复用器、一种基于表面等离激元的双通道波分复用器和一种基于表面等离激元的结构性彩色滤波器。
《Quantized Inverse Design for Photonic Integrated Circuits》（作者：Frederik Schubert, Konrad Bethmann, Yannik Mahlau，2024 年）：此论文提出了一种高效的反向模式自动微分框架，用于有限差分时域（FDTD）模拟，能够处理由新型制造方法引起的若干约束。通过创建越来越复杂的结构来解决集成光子电路中的耦合问题，展示了该方法在未来光子集成电路设计和实际应用中的潜力
《硅基集成亚波长模式复用光子器件及其逆向设计研究》（作者：常卫杰，2020 年）：论文围绕逆向设计共性科学问题和亚波长模式复用光子器件开展研究。提出并建立了硅基亚波长光子集成器件逆向设计的物理模型、高效优化方法及工艺制备的研究体系，实验制备了超小型基于亚波长非对称 Y 分支的逆向设计的硅基集成模式复用器、基于 “零色散” 亚波长 MMI 的逆向设计的硅基集成双模波导交叉连接器以及三种光传输链路的硅基集成亚波长多模光子器件
《Inverse-designed diamond photonics》（作者：Constantin Dory, Dries Vercruysse, Ki Youl Yang，2019 年）：利用逆向设计方法克服了前沿金刚石纳米制造方法的限制，制造出具有独特规格的紧凑而坚固的金刚石器件。实验展示了逆向设计的光子自由空间接口及其与经典光子晶体腔和逆向设计的波导分路器等不同设备的可扩展集成，代表了朝着集成金刚石量子光学电路迈出的关键一步
《基于生成模型和混合优化算法的纳米光子器件按需逆向设计方法》（作者：Zhu Lu, Li Yue, Yang Zhikang, Zong Danlong, Liu Yuanyuan，2024 年）：提出一种结合生成模型和遗传算法的逆向设计方法，解决了纳米光子器件按需设计中的问题。该方法遵循从性能指标到目标光谱再到结构参数的过程，成功实现了多层纳米薄膜的按需逆向设计
《光子器件的基于伴随的优化和逆向设计》（作者：Hughes, Tyler William，2019 年）：讨论了逆向设计在芯片上激光驱动粒子加速器和光学神经网络的片上训练等新兴光子技术中的应用，以及伴随方法在新场景中的推广，包括设计通用波系统和非线性光学现象中的应用
。《Inverse-Designed Photonic Crystal Circuits for Optical Beam Steering》（作者：D. Vercruysse, N. Sapra, K. Yang，2021 年）：通过光子逆向设计解决了光子晶体波导在光子应用中的设计挑战，实验展示了具有宽转向范围的慢光光子晶体波导光学相控阵。
《基于鲁棒逆设计的紧凑型中红外硫族化物玻璃光子器件》（作者：Xiaobin Lin, Maoliang Wei, Kunhao Lei, Songtao Yang, Hui Ma, Chuyu Zhong, Ye Luo, Da Li, Junying Li, Changgui Lin, Wei Zhang, Shixun Dai, Xiaoyong Hu, Lan Li, Erping Li, Hongtao Lin，2023 年）：介绍了一种逆向设计方法和一种新的鲁棒逆向设计方法，用于中红外硫族化物玻璃光子器件设计，首次展示了高性能中红外逆设计偏振分束器、波导偏振器、模式转换器和波长解复用器。
《Inverse Design of Nanophotonic and Radio-Frequency Devices using Fast Maxwell Solvers》（作者：Davit Aslanyan, Yifei Zheng, Jin Hu，2024 年）：介绍了一种基于快速高阶三维边界积分方程求解器的逆向设计方法，可与基于梯度的优化算法结合用于高性能纳米光子器件的逆向设计，并给出了边界积分方法中快速计算目标函数梯度的伴随方法。
《Deep Neural Network Inverse Design of Integrated Nanophotonic Devices》（作者：Yingheng Tang, K. Kojima, T. Koike-Akino，2020 年）：提出了一种增强了对抗性审查和主动学习的新型条件变分自动编码器（CVAE）模型，用于生成具有任意分束比的 550nm 宽带宽（1250nm 至 1800nm）功率分配器，是首次将 CVAE 模型应用于辅助硅光子器件设计。
详细内容超表面逆向设计及前沿应用