三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube,一般硅管为0.5V,锗管是0.1V;而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube,一般硅管为0.6~0.7V,锗管是0.2-0.3V。
三极管死区电压和导通电压的区别
最新推荐文章于 2023-09-25 11:58:03 发布
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三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube,一般硅管为0.5V,锗管是0.1V;而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube,一般硅管为0.6~0.7V,锗管是0.2-0.3V。