三极管死区电压和导通电压的区别

本文介绍了三极管的工作电压特性,包括死区电压和导通电压。硅管的死区电压通常为0.5V,导通电压为0.6~0.7V,而锗管的死区电压为0.1V,导通电压为0.2-0.3V。这些参数对于理解三极管从截止到放大状态的转变至关重要。
摘要由CSDN通过智能技术生成

三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube,一般硅管为0.5V,锗管是0.1V;而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube,一般硅管为0.6~0.7V,锗管是0.2-0.3V。

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