模电1.1 半导体基础知识

1.1.1 半导体

常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料（常用硅Si、锗Ge四价元素）。

1.1.2本征半导体

是纯净的半导体（如单晶硅）。其内部原子在空间内形成排列整齐的点阵，称为晶格。外层电子共用，形成共价键。

内部具有两种载流子：1. 空穴（带正电） 2. 自由电子（带负电）。两者数目相等，均参与导电。本征半导体中的电流为两个电流之和。（导体导电只有一种载流子）

本征激发： 热激发下自由电子和空穴成对出现的现象。

复合： 自由电子填补空穴，两者同时消失的现象。

本征激发与复合会形成动态平衡，使得一定温度下，内部载流子浓度保持恒定。

本征半导体的导电性能很差，且与环境温度密切相关，其温度稳定性差，但可利用这种敏感性制作热敏、光敏元件。

1.1.3 杂质半导体：

在本征半导体中掺杂少量的杂质元素，称为杂质半导体。（制成原因：可根据参入杂质浓度人为地控制其导电性能）

分为N型半导体与P型半导体。

一、N型半导体（Negative）

在纯净的硅（Si）晶体中掺五价元素(如磷)使其取代晶格中Si的位置。

由于掺入了磷（P），在N型半导体中，自由电子浓度大于空穴浓度，称自由电子为多子（多数载流子），空穴为少子（少数载流子）。

杂质原子提供电子，称为施主原子。

二、P型半导体（Positive）

在纯净的硅（Si）晶体中掺三价元素(如硼)使其取代晶格中Si的位置。

在P型半导体中，空穴浓度大于自由电子浓度，称空穴为多子、自由电子为少子。

杂质原子空位吸收电子，称为受主原子。

杂质半导体中，多子几乎全部由杂质提供，受温度影响小；而少子由本征激发产生，受温度影响大。

1.1.4PN结

将P型半导体与N型半导体制作在一片硅片上，它们的交界面会形成PN结。PN结具有单向导电性。

一、PN结的形成

扩散运动： 由高浓度流向低浓度的运动称为扩散运动。

漂移运动： 电场力作用下，载流子的运动称为漂移运动。

在P型N型半导体交接面处存在浓度差，发生扩散运动，P区的空穴扩散到N区复合，N区的自由电子扩散到P区复合，复合使得交界面浓度下降，P区形成负离子区（硼得电子），N区形成正离子区（磷失电子），称这部分区域为空间电荷区，电场方向为由N区指向P区。在内电场力的作用下，少子进行漂移运动，阻碍扩散运动的进行。无外电场和其它激发作用下，多子的扩散运动与少子的漂移运动形成动态平衡，形成PN结，电势差为U_oh。

当P区N区杂质浓度相等时，正负离子区宽度相等，称为对称结；
当杂质浓度不想等时，浓度高的一侧离子区宽度窄，称为不对称结。

二、单向导电性

正向导通： PN结的导通就是在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极（即正向电压），电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，加剧扩散运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过；

反向截止： 如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极（反向电压），则空穴和电子都向远离界面的方向运动，加剧漂移运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这是PN结的截止。

三、PN结的电流方程

外加电压 u 与电流 i 的关系为

其中I_S为反向饱和电流，U_T在 T = 300K时约为26mV 。

四、PN结的伏安特性

当PN结外加正向电压，u >> U_T时，i 随 u 呈指数规律变化；
当PN结外加反向电压，|u| >> U_T时， i ≈ - I_S。

当反向电压大于U_（BR）时，反向电流急剧增加，称为反向击穿。
反向击穿分为齐纳击穿（高掺杂下）与雪崩击穿（低掺杂下）。齐纳击穿温度越高越容易发生，雪崩击穿温度越高越难发生（ps：温度高雪化了肯定难发生雪崩）。

五、PN结的电容效应

电容是电压与电荷的关系，PN结具有电容效应。

势垒电容： 外加反向电压时，耗尽层的电荷量随着外加电压的变化而变化，称为势垒电容C_b。

扩散电容： 外加正向电压时，耗尽层附近载流子浓度随与耗尽层的距离而变化，导致电荷积累与释放的效应，称为扩散电容C_d。
PN结电容C_j是 C_b与 C_d的和，即 C_j = C_b + C_d

1.1.5 例题

一 、判断下列说法是否正确 ，用“ √ ”和“ ×”表示判断 结果填入 空内。

（1） 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型
半导体。（√）
【掺入足量三价元素，使得多子变为空穴，即可改变成为 P 型半导体】

（2）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）
【多子带负电，杂质离子带正电，整体显电中性】

（3） PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√）
【PN结处空间电荷区两侧电势差相等，电流为零】

二、选择正确答案填入空内。

（1） PN 结加正向电压时，空间电荷区将 （A）。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变 宽
【正向电压加剧扩散运动，使空间电荷区变窄】

（2）在 本征半导 体中加入（A）元素 可形成 N 型 半导体 ，加入（C）元素
可形成 P 型半导体。
A. 五价 B. 四价 C. 三价