stm32学习笔记--LCD-FSMC简介

  1.FSMC是什么？

FSMC，即灵活的静态存储控制器，能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接，STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器。（不支持SDRAM(F4支持)）

存储控制器，一个NOR和一个NAND/PC，有四个信号，一个公用

       

2.FSMC如何控制SRAM？FSMC控制TFTLCD的原理是什么？

FSMC驱动外部SRAM时，外部SRAM的控制一般有：

地址线（如A0~A25）（RS）

数据线（如D0~D15）

写信号（WE，即WR）

读信号（OE，即RD）

片选信号（CS）

如果SRAM支持字节控制，那么还有UB/LB信号

而TFTLCD的信号我们在前面介绍过，包括：RS、D0~D15、WR、RD、CS、RST和BL等，其中真正在操作LCD的时候需要用到的就只有：RS、D0~D15、WR、RD和CS。

其操作时序和SRAM的控制完全类似，唯一不同就是TFTLCD有RS信号，但是没有地址信号。      

所以我们要把RS当作一个地址线来用

TFTLCD通过RS信号来决定传送的数据是数据还是命令，本质上可以理解为一个地址信号

比如我们把RS接在A0上面，那么当FSMC控制器写地址0的时候，会使得A0变为0，对TFTLCD来说，就是写命令。

而FSMC写地址1的时候，A0将会变为1，对TFTLCD来说，就是写数据了。

这样，就把数据和命令区分开了，他们其实就是对应SRAM操作的两个连续地址。当然RS也可以接在其他地址线上，战舰V3和精英板开发板都是把RS连接在A10上面，而探索者STM32F4把RS接在A6上面。        

 因此，可以把TFTLCD当成一个SRAM来用，只不过这个SRAM有2个地址，这就是FSMC可以驱动LCD的原理。

 把LCD当成一个sram来用就可以用NOR控制器驱动LCD 

3.FSMC如何快速的访问硬件？

FSMC（Flexible Static Memory Controller）能够将外部存储器映射到微控制器的地址空间中，这种映射称为存储块映射。

FSMC将外部存储器分为四个固定大小为256MB的存储块（Bank），每个存储块可以独立配置为连接不同类型的存储器或外部设备。

STM32的FSMC有四个存储块，每个存储块的大小为256MB，具体的映射如下

• 固定地址范围：每个存储块的地址范围是固定的，且每个存储块的大小为256MB。这意味着，不管你连接的外部存储器实际容量是多少，它在STM32的地址空间中都会占用256MB的地址空间。

• 灵活配置：每个存储块可以独立配置，支持不同类型的存储器。例如，你可以在Bank 1连接一个NOR闪存，同时在Bank 2连接一个NAND闪存。FSMC允许你独立设置每个存储块的时序、数据宽度、操作模式等参数。

• 内存映射访问：一旦存储器通过FSMC映射到STM32的地址空间中，你就可以像访问内存那样访问这些外部设备。这种内存映射的方式使得与外部设备的数据交换非常高效，适合高速数据传输需求。

STM32的FSMC支持8/16/32位数据宽度，我们这里用到的LCD是16位宽度的，所以在设置的时候，选择16位宽就OK了。FSMC的外部设备地址映像，STM32的FSMC将外部存储器划分为固定大小为256M字节的四个存储块

4.如何配置存储块？

STM32的FSMC存储块1（Bank1）用于驱动NOR FLASH/SRAM/PSRAM，被分为4个区，每个区管理64M字节空间，每个区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。

Bank1的256M字节空间由28根地址线（HADDR[27:0]）寻址    

• HADDR[27:26]：用于选择 Bank1 的四个子区域（每个子区域 64MB）
• HADDR[25:0]：用于在每个子区域内进行寻址

 这里HADDR，是内部AHB地址总线，其中，HADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]对4个区进行寻址。如下表所示：

 当Bank1接的是16位宽度存储器的时候：HADDR[25:1]→ FSMC_A[24:0]（右移一位）

这里HADDR一个地址对应的是一个字节，而十六位相当于两个字节，所以需要除以2

当Bank1接的是8位宽度存储器的时候：HADDR[25:0]→FSMC_A[25:0]

不论外部接8位/16位宽设备，FSMC_A[0]永远接在外部设备地址A[0]

STM32的FSMC存储块1 支持的异步突发访问模式包括：模式1、模式A~D等多种时序模型，驱动SRAM时一般使用模式1或者模式A，这里我们使用模式A来驱动LCD（当SRAM用），其他模式说明详见：STM32中文参考手册-FSMC章节。

模式A读时序图                                                      模式A写时序图

要用到LCD上这里就是一一对应关系，两者的时序是类似的

模式A支持读写时序分开设置！

对STM32F4仅写时序DATAST需要+1

5.怎么配置FSMC

对于NOR FLASH/PSRAM控制器(存储块1)，通过FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器设置（其中x=1~4，对应4个区）。

通过这3个寄存器，可以设置FSMC访问外部存储器的时序参数，拓宽了可选用的外部存储器的速度范围。  

①SRAM/NOR闪存片选控制寄存器（FSMC_BCRx）

EXTMOD：扩展模式使能位，控制是否允许读写不同的时序，需设置为1（否则会降低写入速度）

WREN：写使能位。我们需要向TFTLCD写数据，故该位必须设置为1

MWID[1:0]：存储器数据总线宽度。00，表示8位数据模式；01表示16位数据模式；10和11保留。我们的TFTLCD是16位数据线，所以设置WMID[1:0]=01。

MTYP[1:0]：存储器类型。00表  示SRAM、ROM；01表示PSRAM；10表示NOR FLASH;11保留。我们把LCD当成SRAM用，所以需要设置MTYP[1:0]=00。

MBKEN：存储块使能位。需设置为1

②SRAM/NOR闪存片选时序寄存器（FSMC_BTRx）

ACCMOD[1:0]：访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。

DATAST[7:0]：数据保持时间，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。对ILI9341来说，其实就是RD低电平持续时间，最大为355ns。对STM32F1，一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为15；对STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M) ，设置为60。

ADDSET[3:0]：地址建立时间。表示：ADDSET (+1)个HCLK周期，ADDSET最大为15。对ILI9341来说，这里相当于RD高电平持续时间，为90ns。STM32F1的FSMC性能存在问题，即便设置为0，RD也有190ns的高电平，我们这里设置为1。而对STM32F4，则设置为15。

如果未设置EXTMOD位，则读写共用这个时序寄存器！

 ③SRAM/NOR闪存写时序寄存器（FSMC_BWTRx）

 ACCMOD[1:0]：访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。

DATAST[7:0]：数据保持时间，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。对ILI9341来说，其实就是WR低电平持续时间，为15ns，不过ILI9320等则需要50ns。考虑兼容性，对STM32F1，一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为3；对STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M) ，设置为9。

ADDSET[3:0]：地址建立时间。表示：ADDSET+1个HCLK周期，ADDSET最大为15。对ILI9341来说，这里相当于WR高电平持续时间，为15ns。同样考虑兼容ILI9320，对STM32F1，这里即便设置为1，WR也有100ns的高电平，我们这里设置为1。而对STM32F4，则设置为8。

在ST官方库提供的的寄存器定义里面，并没有定义FSMC_BCRx、FSMC_BTRx，FSMC_BWTRx等这个单独的寄存器，而是将他们进行了一些组合。

规律如下：     

FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，组合成BTCR[8]寄存器组，他们的对应关系如下：

BTCR[0]对应FSMC_BCR1，

BTCR[1]对应FSMC_BTR1

BTCR[2]对应FSMC_BCR2，

BTCR[3]对应FSMC_BTR2

BTCR[4]对应FSMC_BCR3，

BTCR[5]对应FSMC_BTR3

BTCR[6]对应FSMC_BCR4，

BTCR[7]对应FSMC_BTR4

FSMC_BWTRx则组合成BWTR[7]，他们的对应关系如下：

BWTR[0]对应FSMC_BWTR1，

BWTR[2]对应FSMC_BWTR2，

BWTR[4]对应FSMC_BWTR3，

BWTR[6]对应FSMC_BWTR4，

BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留，没有用到。