【无标题】ROHM第4代SiCMOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势

ROHM第4代SiCMOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势

近年来,为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标,需要进一步普及下一代电动汽车(xEV),从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车(EV)领域,为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸,提高发挥驱动核心作用的电控系统的效率已成为一个重要课题。SiC(碳化硅)作为新一代宽禁带半导体材料,具备高电压、大电流、高温、高频率和低损耗等独特优势。因此,业内对碳化硅功率元器件在电动汽车上的应用寄予厚望。n罗姆第4代SiCMOSFET应用于“三合一”电桥近日,上汽大众与臻驱科技联合开发的首款基于SiC技术的“三合一”电桥完成试制。据悉,对比现有电桥产品,这款SiC“三合一”电桥在能耗表现方面非常抢眼,每百公里可节约0.645kW·h电能。以上汽大众在ID4X车型上的测试结果为例,对比传统的IGBT方案,整车续航里程提升了4.5%。由此可知,SiC电桥方案的优势非常明显。但作为一种新技术,SiC电控系统还存在一些开发难点,比如SiC模块的本体设计,以及高速开关带来的系统EMC应对难题。值得一提的是,臻驱科技此次完成试制的“三合一”电桥采用的是罗姆第4代SiCMOSFET裸芯片,充分发挥了碳化硅器件的性能优势。罗姆于2020年完成开发的第4代SiCMOSFET,是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品。该产品用于车载主驱逆变器时,效率更高,与使用IGBT时相比,效率显著提升,因此非常有助于延长电动汽车的续航里程,并减少电池使用量,降低电动汽车的成本。watermark,type_d3F5LXplbmhlaQ,shadow_50,text_Q1NETiBAbTBfNjA0NDEzMDA=,size_20,color_FFFFFF,t_70,g_se,x_16

 

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