W25Q64学习 非易失性存储器

嵌入式开发之Nand-Flash和Nor-Flash的区别_nand flash谁定义的-CSDN博客

w25q64是nor FLash  用SPI通信

W25Q64模块硬件电路，这里的HOLD,WP功能都没用到

对于w25q64整个存储空间，划分为128个块，对于每个块，划分为16个扇区，对于整个存储空间，会划分为很多个页，每页256个字节

FLASH操作事项

写入

1.写入操作前，必须先用spi发送写使能信号

2.写入数据前必须先擦除，只需要发送擦除指令给FLash,擦除后，所有数据位变为1，这里解决了第2条限制缺陷，

3.擦除必须按最小擦除单位进行，不能指定某个字节擦除，擦除最小1个扇区，就是4096Byte

4.若想单独改写一个字节，则先将该字节所在扇区的数据读出放在RAM里面，改写完数据后再放回Flash里面，或者将使用频繁的扇区放在RAM里，当使用频率降低时然后位操作单独字节n

5，因为flash写入速度慢，先将数据写入256byte页缓存区，所以多字节写入时，不能超过一页数据，写入结束后会进入慢状态，通过读状态寄存器的BUSY位=0时芯片就不忙了

6.在发送擦除指令后，芯片也会进入忙状态，我们也得等忙状态Busy=0后，才能进行后续操作

读取，芯片进入忙状态，不会响应新的读写操作，在读取之前，要判断芯片是否在忙状态

状态寄存器BUSY位（忙）=1，WEL（写使能锁存），写入完成后，会自动写失能

指令集

指令集

wrrite enable,发送起始信号，再发送06h

status register的S0位是BUSY位，S1是写使能位

Page program（页编程）

擦除典型时间